[發明專利]顯示裝置及其制造方法

在審

• 申請號: 202010837922.3
• 申請日: 2020-08-19
• 公開（公告）號: CN112825324A
• 公開（公告）日: 2021-05-21
• 發明（設計）人: 李宗璨;金基范;宋明勛;李政炫;張常希;鄭雄喜
• 申請（專利權）人: 三星顯示有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32
• 代理公司: 北京鉦霖知識產權代理有限公司 11722
• 代理人: 李英艷;玉昌峰

1.一種顯示裝置的制造方法，其中，包括：

準備包括像素區域和透過區域的基板的步驟；

在所述像素區域和所述透過區域上形成多個絕緣層的步驟；

在所述像素區域的所述多個絕緣層上形成像素電極以及在所述像素電極上形成使所述像素電極的至少一部分暴露的像素定義膜的步驟；

在所述像素區域的所述像素定義膜、通過所述像素區域的所述像素定義膜至少一部分暴露的所述像素電極以及所述透過區域的所述多個絕緣層上形成金屬層的步驟；

去除形成在所述透過區域的所述多個絕緣層上的所述金屬層的步驟；以及

去除所述透過區域的所述多個絕緣層的步驟。

2.根據權利要求1所述的顯示裝置的制造方法，其中，還包括：

去除所述像素區域的所述像素定義膜和通過所述像素區域的所述像素定義膜至少一部分暴露的所述像素電極上的所述金屬層的步驟。

3.根據權利要求1所述的顯示裝置的制造方法，其中，

在形成所述金屬層的步驟中，

所述金屬層形成為400埃至1200埃的厚度。

4.根據權利要求3所述的顯示裝置的制造方法，其中，

所述金屬層包括氧化銦鋅、氧化銦錫、氧化鋅、氧化銦、氧化銦鎵和氧化鋅鋁中的至少一種。

5.根據權利要求1所述的顯示裝置的制造方法，其中，

去除形成在所述透過區域的所述多個絕緣層上的金屬層的步驟包括：

在所述像素區域的所述金屬層上將感光性物質進行圖案化的步驟；

去除形成在所述透過區域的所述多個絕緣層上的金屬層的步驟；以及

在所述像素區域的所述金屬層上去除圖案化的所述感光性物質的步驟。

6.根據權利要求5所述的顯示裝置的制造方法，其中，

去除形成在所述透過區域的所述多個絕緣層上的金屬層的步驟為通過濕式蝕刻工藝去除所述透過區域的所述金屬層的步驟。

7.根據權利要求1所述的顯示裝置的制造方法，其中，

去除所述透過區域的所述多個絕緣層的步驟為通過干式蝕刻工藝去除所述透過區域的所述多個絕緣層的步驟。

8.根據權利要求2所述的顯示裝置的制造方法，其中，

去除所述像素區域的所述像素定義膜和通過所述像素區域的所述像素定義膜至少一部分暴露的所述像素電極上的所述金屬層的步驟為通過濕式蝕刻工藝去除所述金屬層的步驟。

9.根據權利要求1所述的顯示裝置的制造方法，其中，

在所述像素區域和所述透過區域上形成多個絕緣層的步驟包括：

在所述像素區域和所述透過區域上形成緩沖層的步驟；

在所述像素區域的所述緩沖層上形成遮光層的步驟；

在所述像素區域的所述遮光層和所述透過區域的所述緩沖層上形成第一絕緣層的步驟；

在所述像素區域的所述第一絕緣層上形成半導體層的步驟；

在所述像素區域的所述半導體層和所述透過區域的所述第一絕緣層上形成第二絕緣層的步驟；

在所述像素區域的所述第二絕緣層上形成第一導電層的步驟；

在所述像素區域的所述第一導電層和所述透過區域的所述第二絕緣層上形成第三絕緣層的步驟；

在所述像素區域的第三絕緣層上形成第二導電層的步驟；

在所述像素區域的所述第二導電層和所述透過區域的所述第三絕緣層上形成第四絕緣層的步驟；

在所述像素區域的所述第四絕緣層上形成第三導電層的步驟；

在所述像素區域的所述第三導電層和所述透過區域的所述第四絕緣層上形成第五絕緣層的步驟；以及

在所述像素區域的所述第五絕緣層上形成第四導電層和第五導電層的步驟。