[發明專利]顯示裝置及其制造方法在審
| 申請號: | 202010837922.3 | 申請日: | 2020-08-19 |
| 公開(公告)號: | CN112825324A | 公開(公告)日: | 2021-05-21 |
| 發明(設計)人: | 李宗璨;金基范;宋明勛;李政炫;張常希;鄭雄喜 | 申請(專利權)人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京鉦霖知識產權代理有限公司 11722 | 代理人: | 李英艷;玉昌峰 |
| 地址: | 韓國京畿*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示裝置 及其 制造 方法 | ||
本公開為了透過率提高的顯示裝置而提供顯示裝置的制造方法,包括:準備包括像素區域和透過區域的基板的步驟;在所述像素區域和所述透過區域上形成多個絕緣層的步驟;在所述像素區域的所述多個絕緣層上形成像素電極以及在所述像素電極上形成使所述像素電極的至少一部分暴露的像素定義膜的步驟;在所述像素區域的所述像素定義膜、通過所述像素區域的所述像素定義膜至少一部分暴露的所述像素電極以及所述透過區域的所述多個絕緣層上形成金屬層的步驟;去除形成在所述透過區域的所述多個絕緣層上的所述金屬層的步驟;以及去除所述透過區域的所述多個絕緣層的步驟。
技術領域
本公開涉及顯示裝置及其制造方法,更加詳細地涉及產品的可靠性提高的顯示裝置及其制造方法。
背景技術
近期,顯示裝置的用途變得多樣。顯示裝置的厚度變薄、重量變輕,從而成為其使用范圍變廣的趨勢。
例如,顯示裝置可以用作手機等之類的小型產品的顯示部,還可以用作電視機等之類的大型產品的顯示部,尤其,通過應用到汽車的HUD(平視顯示器;head up display)或者AI用電子裝置等多種方式來使用。這種顯示裝置根據活用方法,還要求具有使光透過的性質的透明顯示裝置。
發明內容
然而,在現有的顯示裝置中,因配置在透過區域上的多個絕緣層而難以將透過率增加一定以上,當去除配置在透過區域上的多個絕緣層時,存在形成像素區域的平坦化層的有機物質流失的問題。
本公開用于解決包括如上所述問題在內的諸多問題,其目的在于,提供一種防止有機物質的流失的同時具有高透過率的顯示裝置。然而,該課題屬于示例,并不由此限定本公開的范圍。
根據本公開的一觀點,提供一種顯示裝置的制造方法,包括:準備包括像素區域和透過區域的基板的步驟;在所述像素區域和所述透過區域上形成多個絕緣層的步驟;在所述像素區域的所述多個絕緣層上形成像素電極以及在所述像素電極上形成使所述像素電極的至少一部分暴露的像素定義膜的步驟;在所述像素區域的所述像素定義膜、通過所述像素區域的所述像素定義膜至少一部分暴露的所述像素電極以及所述透過區域的所述多個絕緣層上形成金屬層的步驟;去除形成在所述透過區域的所述多個絕緣層上的所述金屬層的步驟;以及去除所述透過區域的所述多個絕緣層的步驟。
在本實施例中,可以是,所述顯示裝置的制造方法還包括:去除所述像素區域的所述像素定義膜和通過所述像素區域的所述像素定義膜至少一部分暴露的所述像素電極上的所述金屬層的步驟。
在本實施例中,可以是,在形成所述金屬層的步驟中,所述金屬層形成為400埃至1200埃的厚度。
在本實施例中,可以是,所述金屬層包括氧化銦鋅(IZO)、氧化銦錫(ITO)、氧化鋅(ZnO)、氧化銦(In2O3)、氧化銦鎵(IGO)和氧化鋅鋁(AZO)中的至少一種。
在本實施例中,可以是,去除形成在所述透過區域的所述多個絕緣層上的金屬層的步驟包括:在所述像素區域的所述金屬層上將感光性物質進行圖案化的步驟;去除形成在所述透過區域的所述多個絕緣層上的金屬層的步驟;以及在所述像素區域的所述金屬層上去除圖案化的所述感光性物質的步驟。
在本實施例中,可以是,去除形成在所述透過區域的所述多個絕緣層上的金屬層的步驟為通過濕式蝕刻工藝去除所述透過區域的所述金屬層的步驟。
在本實施例中,可以是,去除所述透過區域的所述多個絕緣層的步驟為通過干式蝕刻工藝去除所述透過區域的所述多個絕緣層的步驟。
在本實施例中,可以是,去除所述像素區域的所述像素定義膜和通過所述像素區域的所述像素定義膜至少一部分暴露的所述像素電極上的所述金屬層的步驟為通過濕式蝕刻工藝去除所述金屬層的步驟。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





