[發明專利]模塊化封裝結構及方法

在審

• 申請號: 202010835894.1
• 申請日: 2020-08-19
• 公開（公告）號: CN111900155A
• 公開（公告）日: 2020-11-06
• 發明（設計）人: 張凱;曹立強;耿菲
• 申請（專利權）人: 上海先方半導體有限公司;華進半導體封裝先導技術研發中心有限公司
• 主分類號: H01L25/16
• 分類號: H01L25/16;H01L23/367;H01L23/31;H01L21/50
• 代理公司: 上海智晟知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 31313
• 代理人: 張東梅

本發明提供了一種模塊化封裝結構及方法，包括：堆疊布置的至少一個第一模塊，均包括相互背對布置的第一芯片及第二芯片，所述第一芯片電性引出至所述第一模塊的第一表面和/或第二表面，所述第二芯片電性引出至所述第一模塊的第一表面和/或第二表面；附連于所述第一模塊上的第二模塊，其包括第三芯片，所述第三芯片電性引出至所述第二模塊的第一表面和/或第二表面；所述第二模塊與第一模塊電性連接。

技術領域

本發明涉及半導體封裝技術領域，特別涉及一種模塊化封裝結構及方法。

背景技術

現有的異質基板集成結構的制備方法，一般通過多層異質基板和有機金屬布線層進行線路布置和信號互連，然后將多個功能芯片貼于一面，通過空間折疊的形式實現立體式的三維集成。該方法由于采用多層異質基板和有機金屬布線層，所以在三維折疊后Z方向上的尺寸會很大，這對當前需要的小尺寸來說，縮小X、Y方向的同時大大增加Z方向上的尺寸厚度，這無法有效的減小結構件的封裝體積，提高微系統集成度。而且在工作時，由于多芯片導致發熱量較大，因此，其折疊彎曲處的多層異質基板和有機布線層容易因此而老化損壞。

發明內容

本發明的目的在于提供一種模塊化封裝結構及方法，以解決現有的異質集成結構集成度較低的問題。

為解決上述技術問題，本發明提供一種模塊化封裝結構，包括：

堆疊布置的至少一個第一模塊，均包括相互背對布置的第一芯片及第二芯片，所述第一芯片電性引出至所述第一模塊的第一表面和/或第二表面，所述第二芯片電性引出至所述第一模塊的第一表面和/或第二表面；

附連于所述第一模塊上的第二模塊，其包括第三芯片，所述第三芯片電性引出至所述第二模塊的第一表面和/或第二表面；

所述第二模塊與第一模塊電性連接。

可選的，在所述的模塊化封裝結構中，

所述第一芯片為射頻系統數字芯片，用于產生、放大和處理數字信號；

所述第二芯片為射頻收發芯片，用于放大、移相和衰減射頻信號；

所述第三芯片為天線模塊，用于傳輸和接收射頻信號。

本發明還提供一種模塊化封裝方法，包括：

形成至少一個第一模塊并將至少一個第一模塊堆疊布置，將第二模塊附連至所述第一模塊上；

所述第一模塊通過以下步驟制備：

形成將第一芯片電性引出的第一附連結構，將所述第一芯片附連至第一附連結構；

將第二芯片布置為與所述第一芯片相互背對；

形成將所述第二芯片電性引出的第二附連結構，第二附連結構附連至所述第二芯片；

所述第二模塊通過以下步驟制備：

形成將第三芯片電性引出的第三附連結構，將所述第三芯片附連至第三附連結構；

所述第三附連結構與一個或多個所述第一附連結構和/或所述第二附連結構電性連接。

可選的，在所述的模塊化封裝方法中，形成將第一芯片電性引出的第一附連結構，將所述第一芯片附連至第一附連結構包括：

在載片上形成第一粘合層，在所述第一粘合層上依次形成相互電性連接的第一焊盤、第一重布線層及第一導電柱；

第一芯片的焊盤附連至所述第一重布線層。

可選的，在所述的模塊化封裝方法中，形成將第一芯片電性引出的第二附連結構，第二附連結構附連至所述第二芯片包括：

在第一芯片上上形成第二粘合層，