[發明專利]模塊化封裝結構及方法

在審

• 申請號: 202010835894.1
• 申請日: 2020-08-19
• 公開（公告）號: CN111900155A
• 公開（公告）日: 2020-11-06
• 發明（設計）人: 張凱;曹立強;耿菲
• 申請（專利權）人: 上海先方半導體有限公司;華進半導體封裝先導技術研發中心有限公司
• 主分類號: H01L25/16
• 分類號: H01L25/16;H01L23/367;H01L23/31;H01L21/50
• 代理公司: 上海智晟知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 31313
• 代理人: 張東梅

1.一種模塊化封裝結構，其特征在于，包括：

堆疊布置的至少一個第一模塊，均包括相互背對布置的第一芯片及第二芯片，所述第一芯片電性引出至所述第一模塊的第一表面和/或第二表面，所述第二芯片電性引出至所述第一模塊的第一表面和/或第二表面；

附連于所述第一模塊上的第二模塊，其包括第三芯片，所述第三芯片電性引出至所述第二模塊的第一表面和/或第二表面；

所述第二模塊與第一模塊電性連接。

2.如權利要求1所述的模塊化封裝結構，其特征在于，

所述第一芯片為射頻系統數字芯片，用于產生、放大和處理數字信號；

所述第二芯片為射頻收發芯片，用于放大、移相和衰減射頻信號；

所述第三芯片為天線模塊，用于傳輸和接收射頻信號。

3.一種模塊化封裝方法，其特征在于，包括：

形成至少一個第一模塊并將至少一個第一模塊堆疊布置，將第二模塊附連至所述第一模塊上；

所述第一模塊通過以下步驟制備：

形成將第一芯片電性引出的第一附連結構，將所述第一芯片附連至第一附連結構；

將第二芯片布置為與所述第一芯片相互背對；

形成將所述第二芯片電性引出的第二附連結構，第二附連結構附連至所述第二芯片；

所述第二模塊通過以下步驟制備：

形成將第三芯片電性引出的第三附連結構，將所述第三芯片附連至第三附連結構；

所述第三附連結構與一個或多個所述第一附連結構和/或所述第二附連結構電性連接。

4.如權利要求3所述的模塊化封裝方法，其特征在于，形成將第一芯片電性引出的第一附連結構，將所述第一芯片附連至第一附連結構包括：

在載片上形成第一粘合層，在所述第一粘合層上依次形成相互電性連接的第一焊盤、第一重布線層及第一導電柱；

第一芯片的焊盤附連至所述第一重布線層。

5.如權利要求4所述的模塊化封裝方法，其特征在于，形成將第一芯片電性引出的第二附連結構，第二附連結構附連至所述第二芯片包括：

在第一芯片上上形成第二粘合層，

將第二芯片放置于第二粘合層上；

在所述第二粘合層上依次形成相互電性連接的第二導電柱、第二重布線層及第二焊盤；

所述第二重布線層附連至第二芯片的焊盤；

所述第二導電柱與所述第一導電柱電性連接。

6.如權利要求5所述的模塊化封裝方法，其特征在于，還包括：

在形成所述第一焊盤、所述第一重布線層及所述第一導電柱的步驟之前、之間及之后形成多個第一介質層，所述第一介質層暴露部分所述第一焊盤、所述第一重布線層及所述第一導電柱；

在形成所述第二導電柱、所述第二重布線層及所述第二焊盤的步驟之前、之間及之后形成多個第二介質層，所述第二介質層暴露部分所述第二焊盤、所述第二重布線層及所述第二導電柱。

7.如權利要求5所述的模塊化封裝方法，其特征在于，還包括：去除所述載片和所述第一粘合層。

8.如權利要求5所述的模塊化封裝方法，其特征在于，形成將第三芯片電性引出的第三附連結構，將所述第三芯片附連至第三附連結構包括：

在載片上形成第三粘合層，在所述第三粘合層上依次形成相互電性連接的第三芯片、第三重布線層及第三焊盤；

所述第三重布線層附連至第三芯片的焊盤；

在形成所述第三芯片、所述第三重布線層及所述第三焊盤的步驟之前、之間及之后形成多個第三介質層，所述第三介質層暴露部分所述第三芯片、所述第三重布線層及所述第三焊盤；

去除所述載片和所述第三粘合層。