[發明專利]碎片樣品的平面擴展方法以及平面擴展的碎片樣品在審
| 申請號: | 202010834812.1 | 申請日: | 2020-08-18 |
| 公開(公告)號: | CN111943132A | 公開(公告)日: | 2020-11-17 |
| 發明(設計)人: | 孫浩宇;王孟祺;王鵬飛;王亞;石發展;葉翔宇;余佩;劉航宇;杜江峰 | 申請(專利權)人: | 中國科學技術大學 |
| 主分類號: | B81C1/00 | 分類號: | B81C1/00 |
| 代理公司: | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人: | 劉歌 |
| 地址: | 230026 安*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 碎片 樣品 平面 擴展 方法 以及 | ||
本發明公開了一種碎片樣品的平面擴展方法以及平面擴展的碎片樣品。其中,該方法包括:獲取第一平面襯底和第二平面襯底,其中,第一平面襯底和第二平面襯底均為表面光滑且尺寸大于所述碎片樣品的尺寸的平面襯底;將碎片樣品放置于第一平面襯底上;獲取夾具,夾具具有中空設置,中空設置用于容置碎片樣品;將夾具壓置于第一平面襯底上,且夾具的中空設置套置于碎片襯底上;在夾具的中空設置處涂敷填充物;將第二平面襯底壓置于夾具上;剝離第一平面襯底和第二平面襯底,得到平面擴展后的碎片樣品。該方法實現簡單,提高了勻膠工藝中小尺寸碎片樣品特別是小尺寸樣品邊緣光刻膠的均勻性,并使得碎片樣品兼容現有晶圓加工設備,降低了加工成本。
技術領域
本發明涉及微納米制造加工技術領域,具體地,涉及一種碎片樣品的平面擴展方法以及平面擴展的碎片樣品。
背景技術
微納加工技術指在亞毫米、微米和納米量級的尺度上對元件以及由這些元件構成的部件或系統進行優化設計、加工、組裝、系統集成等,涉及多個領域和學科,是先進制造的重要組成部分。如今基于微納加工技術,可以在新材料、新器件、新功能上進行研究和探索,進而推動科技進步、促進產業發展。但在加工過程中,不可避免的會遇到一些加工上的困難。
在實現本發明構思的過程中,發明人發現相關技術中至少存在如下問題,對于一些新型高性能材料器件的研究和制造,由于受限材料制備技術本身和成本限制,無法提供標準制式大小的晶圓,經常會涉及到2寸或是更小尺寸的樣品加工,目前對于小尺寸樣品的加工往往面臨著許多問題。例如,光刻膠勻膠的均勻性差,加工設備與樣品兼容性差,加工過程可操作性差等。
發明內容
(一)要解決的技術問題
本發明提供了一種碎片樣品的平面擴展方法以及平面擴展的碎片樣品,以至少部分解決上述問題。
(二)技術方案
本發明的一個方面提供了一種碎片樣品的平面擴展方法,包括:獲取第一平面襯底和第二平面襯底,其中,所述第一平面襯底和所述第二平面襯底均為表面光滑且尺寸大于所述碎片樣品的尺寸的平面襯底;將所述碎片樣品放置于所述第一平面襯底上;獲取夾具,所述夾具具有中空設置,所述中空設置用于容置所述碎片樣品;將所述夾具壓置于所述第一平面襯底上,且所述夾具的中空設置套置于所述碎片襯底上;在所述夾具的中空設置處涂敷填充物;將所述第二平面襯底壓置于所述夾具上;剝離所述第一平面襯底和所述第二平面襯底,得到平面擴展后的所述碎片樣品。
可選地,所述第一平面襯底和所述第二平面襯底的材料包括聚二甲基硅氧烷。
可選地,所述獲取夾具包括:通過機械加工、激光加工、濕法刻蝕以及干法刻蝕的方式得到所述夾具。
可選地,所述夾具的材料包括硅、玻璃或金屬。
可選地,夾具的形狀尺寸根據加工設備對樣品形狀尺寸的要求進行選擇和適配;所述夾具的形狀包括正方形、長方形或圓形。
可選地,所述填充物包括紫外膠、聚甲基丙烯酸甲酯或熱固膠。
可選地,在所述夾具的中空設置處涂敷填充物還包括:等待第一預設時間,使所述填充物漫布所述夾具。
可選地,將所述第二平面襯底壓置于所述夾具上還包括:等待第二預設時間,使所述填充物完全填充所述碎片樣品、所述第一平面襯底、所述第二平面襯底和所述夾具之間的空隙。
可選地,將所述第二平面襯底壓置于所述夾具上還包括:在預設環境下等待第三預設時間,使所述填充物固化。
本發明的另一個方面提供了一種平面擴展的碎片樣品,通過上述的方法得到。
(三)有益效果
本發明通過的該碎片樣品的平面擴展方法以及平面擴展的碎片樣品,具有以下有益效果:
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