[發(fā)明專利]碎片樣品的平面擴(kuò)展方法以及平面擴(kuò)展的碎片樣品在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010834812.1 | 申請(qǐng)日： | 2020-08-18 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN111943132A | 公開（公告）日： | 2020-11-17 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 孫浩宇;王孟祺;王鵬飛;王亞;石發(fā)展;葉翔宇;余佩;劉航宇;杜江峰 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué) |
| 主分類號(hào)： | B81C1/00 | 分類號(hào)： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021 | 代理人： | 劉歌 |
| 地址： | 230026 安*** | 國(guó)省代碼： | 安徽;34 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 碎片 樣品 平面 擴(kuò)展 方法 以及 | ||
1.一種碎片樣品的平面擴(kuò)展方法，其特征在于，包括：
獲取第一平面襯底和第二平面襯底，其中，所述第一平面襯底和所述第二平面襯底均為表面光滑且尺寸大于所述碎片樣品的尺寸的平面襯底；
將所述碎片樣品放置于所述第一平面襯底上；
獲取夾具，所述夾具具有中空設(shè)置，所述中空設(shè)置用于容置所述碎片樣品；
將所述夾具壓置于所述第一平面襯底上，且所述夾具的中空設(shè)置套置于所述碎片襯底上；
在所述夾具的中空設(shè)置處涂敷填充物；
將所述第二平面襯底壓置于所述夾具上；
剝離所述第一平面襯底和所述第二平面襯底，得到平面擴(kuò)展后的所述碎片樣品。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一平面襯底和所述第二平面襯底的材料包括聚二甲基硅氧烷。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述獲取夾具包括：
通過機(jī)械加工、激光加工、濕法刻蝕或干法刻蝕的方式得到所述夾具。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述夾具的材料包括硅、玻璃或金屬。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，夾具的形狀尺寸根據(jù)加工設(shè)備對(duì)樣品形狀尺寸的要求進(jìn)行選擇和適配；所述夾具的形狀包括正方形、長(zhǎng)方形或圓形。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述填充物包括紫外膠、聚甲基丙烯酸甲酯或熱固膠。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述夾具的中空設(shè)置處涂敷填充物還包括：
等待第一預(yù)設(shè)時(shí)間，使所述填充物漫布所述夾具。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，將所述第二平面襯底壓置于所述夾具上還包括：
等待第二預(yù)設(shè)時(shí)間，使所述填充物完全填充所述碎片樣品、所述第一平面襯底、所述第二平面襯底和所述夾具之間的空隙。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，將所述第二平面襯底壓置于所述夾具上還包括：
在預(yù)設(shè)環(huán)境下等待第三預(yù)設(shè)時(shí)間，使所述填充物固化。
10.一種平面擴(kuò)展的碎片樣品，其特征在于，所述平面擴(kuò)展的碎片樣品通過所述權(quán)利要求1至9中任一項(xiàng)所述的方法得到。
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