[發明專利]光刻標記、對準標記及對準方法

有效

• 申請號: 202010832174.X
• 申請日: 2020-08-18
• 公開（公告）號: CN111948919B
• 公開（公告）日: 2022-11-04
• 發明（設計）人: 童立峰;李銘;陳繼華
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: G03F9/00
• 分類號: G03F9/00
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 曹廷廷

本發明提供一種光刻標記、對準標記以及對準方法。所述光刻標記包括：遮光結構和感光結構。所述遮光結構上設有多個盲孔，所述感光結構填充于多個所述盲孔內并且能夠在一定光照下消失。基于同一發明構思，本發明還提供一種對準標記，包括第一對準標記和第二對準標記，所述第二對準標記包括至少一個所述光刻標記。當機臺提供的光束照射于所述第二對準標記上，所述感光結構消失，則所述盲孔暴露。因盲孔的底面低于所述遮光結構的表面以滿足機臺的測量范圍，從而使得在保障所述光刻標記厚度的同時，能夠通過所述盲孔精準測得所述第二對準標記相對于所述第一對準標記的偏移量，進而能夠實現各襯底層之間的位置對準，提高器件性能及產品的良率。

技術領域

本發明涉及半導體制造技術領域，特別涉及一種光刻標記、對準標記及對準方法。

背景技術

在半導體器件制備工藝中，必不可少地要使用到光刻膠。光刻膠作為后續工藝中的掩蔽層，用于把集成電路設計的圖形轉移到硅基板上。其中，轉移過程要遵循精確與偏差小的兩大原則，精確是指線寬大小滿足工藝需求，偏差小是指當前制備的電路層需要和前一層電路層之間盡可能的減小偏差。

在實際制備過程中，為滿足深尺寸的刻蝕，經常會使用到較厚的光刻膠層，有的光刻膠層的厚度超過3.5微米，甚至能達到7微米，或者十幾微米。為滿足偏差小的原則，需要對準上下兩層之間的連接區域，但在對準較厚的光刻膠層與之前光刻膠層時，會出現因厚度過高而超過量測機臺的測量范圍，導致較厚的光刻膠層與之前光刻膠層無法清楚成像在同一個平面上，進而使得各層電路層之間出現較大偏差，不便于各層電路層之間的連接，嚴重影響器件性能。

因此，需要一種新的光刻標記、對準標記及對準方法，來解決在使用超厚光刻膠層制備半導體電路層時，每層電路層之間的對準問題。

發明內容

本發明的目的在于提供一種光刻標記、對準標記及對準方法，以解決在使用超厚光刻膠層制備半導體電路層時，每層電路層之間的對準問題。

為解決上述技術問題，本發明提供一種光刻標記，包括：遮光結構和感光結構；所述遮光結構上設有多個盲孔，所述感光結構填充于多個所述盲孔內并且所述感光結構能夠在一定光照下消失。

可選的，在所述的光刻標記中，多個所述盲孔均勻分布于所述遮光結構上。

可選的，在所述的光刻標記中，相鄰兩個所述盲孔的中心之間的間距小于0.18微米。

可選的，在所述的光刻標記中，在設置有多個所述盲孔的所述遮光結構的表面上，多個所述盲孔的總面積小于所述遮光結構面積的30％。

可選的，在所述的光刻標記中，所述遮光結構的形狀包括長方體或回形體。

可選的，在所述的光刻標記中，所述盲孔的截面的形狀包括矩形、圓形或三角形。

可選的，在所述的光刻標記中，所述光刻標記的材質為光刻膠。

基于同一發明構思，本發明還提供一種對準標記，所述對準標記包括第一對準標記和第二對準標記，所述第二對準標記包括至少一個所述光刻標記；其中，

所述第一對準標記設置于第一襯底上；

所述第二對準標記設置于第二襯底上，所述第二襯底位于所述第一襯底上。

可選的，在所述的對準標記中，所述第二對準標記包括多個所述光刻標記，多個所述光刻標記組合成長方體或回形體。

可選的，在所述的對準標記中，所述第一對準標記形狀包括長方體或回形體。

可選的，在所述的對準標記中，所述第一對準標記的厚度小于或等于所述第二對準標記的厚度。

可選的，在所述的對準標記中，所述第一對準標記的尺寸大于所述第二對準標記。