[發(fā)明專利]用于電荷耗散的系統(tǒng)和方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010831051.4 | 申請(qǐng)日: | 2020-08-18 |
| 公開(公告)號(hào): | CN112563295A | 公開(公告)日: | 2021-03-26 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 張閔 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 半導(dǎo)體元件工業(yè)有限責(zé)任公司 |
| 主分類號(hào): | H01L27/146 | 分類號(hào): | H01L27/146;H01L27/148 |
| 代理公司: | 中國(guó)貿(mào)促會(huì)專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 11038 | 代理人: | 張小穩(wěn) |
| 地址: | 美國(guó)亞*** | 國(guó)省代碼: | 暫無(wú)信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 用于 電荷 耗散 系統(tǒng) 方法 | ||
本發(fā)明題為“用于電荷耗散的系統(tǒng)和方法”。本發(fā)明公開了一種通過包括圖像傳感器的嵌入式金屬連接進(jìn)行電荷耗散的系統(tǒng)和方法。具體實(shí)施方式包括半導(dǎo)體基板、耦接在半導(dǎo)體基板上方的抗反射涂覆(ARC)層、包括在ARC層內(nèi)的電荷耗散結(jié)構(gòu)和耦接在ARC層上方的鈍化層。
相關(guān)專利申請(qǐng)的交叉引用
本申請(qǐng)要求授予Min Jang的名稱為“用于電荷耗散的系統(tǒng)和方法(SYSTEMS ANDMETHODS FOR ELECTRICAL CHARGE DISSIPATION)”的美國(guó)臨時(shí)專利申請(qǐng)62/906,267的提交日期的權(quán)益,該申請(qǐng)?zhí)峤挥?019年9月26日,該申請(qǐng)的公開內(nèi)容據(jù)此全文以引用方式并入本文。
技術(shù)領(lǐng)域
本文件的各方面整體涉及半導(dǎo)體傳感器。更具體的實(shí)施方式涉及圖像傳感器。
背景技術(shù)
半導(dǎo)體傳感器用于各種電子設(shè)備,諸如車輛、智能電話、平板計(jì)算機(jī)和其他設(shè)備。圖像傳感器是一種類型的半導(dǎo)體傳感器。圖像傳感器將照射像素的光轉(zhuǎn)換為電信號(hào)。電信號(hào)可以使用數(shù)字信號(hào)處理器進(jìn)行處理以形成電子圖像。
發(fā)明內(nèi)容
圖像傳感器的實(shí)施方式可包括:半導(dǎo)體基板;耦接在半導(dǎo)體基板上方的抗反射涂覆(ARC)層;包括在ARC層內(nèi)的電荷耗散結(jié)構(gòu);和耦接在ARC層上方的鈍化層。
圖像傳感器的實(shí)施方式可以包括以下各項(xiàng)中的一者、全部或任何一者:
濾色器陣列可耦接在鈍化層上方。
多個(gè)透鏡可耦接在濾色器陣列上方。
二氧化鉿層可耦接在ARC層上方。
背側(cè)深溝槽隔離結(jié)構(gòu)或正側(cè)深溝槽隔離結(jié)構(gòu)中的一者可包括在半導(dǎo)體基板內(nèi)。
電荷耗散結(jié)構(gòu)可包括導(dǎo)電金屬。
導(dǎo)電金屬可被配置為收集靜電荷并將靜電荷引導(dǎo)到地。
電荷耗散結(jié)構(gòu)可包括柵格。
電荷耗散結(jié)構(gòu)可包括多個(gè)基本上平行的條。
在各種實(shí)施方式中,電荷耗散結(jié)構(gòu)的至少一部分可以接觸接地式焊盤。
形成圖像傳感器的方法的實(shí)施方式可包括:提供半導(dǎo)體基板;在半導(dǎo)體基板上方形成抗反射涂覆(ARC)層;以及圖案化ARC層以在其中形成多個(gè)溝槽。該方法還可包括:將電荷耗散層形成到多個(gè)溝槽中;將像素陣列區(qū)域蝕刻到電荷耗散層中;以及在ARC層上方形成鈍化層。
形成圖像傳感器的方法的實(shí)施方式可包括以下各項(xiàng)中的一者、全部或任一者:
該方法可包括在鈍化層上方形成濾色器陣列。
該方法可包括在濾色器陣列上方形成多個(gè)透鏡。
該方法還可包括在ARC層上方形成二氧化鉿層,以及在將像素陣列區(qū)域蝕刻到電荷耗散層中期間,使用二氧化鉿層作為蝕刻阻擋件。
該方法可包括在半導(dǎo)體基板中蝕刻多個(gè)溝槽,以及用多晶硅或?qū)щ姴牧现械囊徽咛畛涠鄠€(gè)溝槽中的每個(gè)溝槽以形成背側(cè)深溝槽隔離結(jié)構(gòu)或正側(cè)深溝槽隔離結(jié)構(gòu)中的一者。
ARC層可包括耦接在第一層上方的至少第二層,并且該方法還可包括使多個(gè)溝槽中的一個(gè)或多個(gè)溝槽完全延伸穿過ARC層的第一層。
形成圖像傳感器的方法的實(shí)施方式可包括:提供半導(dǎo)體基板;在半導(dǎo)體基板上方形成抗反射涂覆(ARC)層;以及在ARC層上方形成蝕刻阻擋層。該方法還可包括:圖案化ARC層以在其中形成多個(gè)溝槽;將電荷耗散層形成到多個(gè)溝槽中;將像素陣列區(qū)域蝕刻到電荷耗散層中;以及在ARC層上方形成鈍化層。
形成圖像傳感器的方法的實(shí)施方式可包括以下各項(xiàng)中的一者、全部或任一者:
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- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的





