[發明專利]用于電荷耗散的系統和方法在審
| 申請號： | 202010831051.4 | 申請日： | 2020-08-18 |
| 公開（公告）號： | CN112563295A | 公開（公告）日： | 2021-03-26 |
| 發明（設計）人： | 張閔 | 申請（專利權）人： | 半導體元件工業有限責任公司 |
| 主分類號： | H01L27/146 | 分類號： | H01L27/146;H01L27/148 |
| 代理公司： | 中國貿促會專利商標事務所有限公司 11038 | 代理人： | 張小穩 |
| 地址： | 美國亞*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 用于 電荷 耗散 系統 方法 | ||
1.一種圖像傳感器，包括：
半導體基板；
抗反射涂覆ARC層，所述ARC層耦接在所述半導體基板上方；
電荷耗散結構，所述電荷耗散結構包括在所述ARC層內；和
鈍化層，所述鈍化層耦接在所述ARC層上方。
2.根據權利要求1所述的圖像傳感器，還包括耦接在所述ARC層上方的氧化鉿層。
3.根據權利要求1所述的圖像傳感器，其中所述電荷耗散結構包括導電金屬，所述導電金屬被配置為收集靜電荷并將所述靜電荷引導到地。
4.根據權利要求1所述的圖像傳感器，其中所述電荷耗散結構包括柵格或多個基本上平行的條中的一者。
5.根據權利要求1所述的圖像傳感器，其中所述電荷耗散結構的至少一部分接觸接地式焊盤。
6.一種形成圖像傳感器的方法，所述方法包括：
提供半導體基板；
在所述半導體基板上方形成抗反射涂覆ARC層；
圖案化所述ARC層以在其中形成多個溝槽；
將電荷耗散層形成到所述多個溝槽中；
將像素陣列區域蝕刻到所述電荷耗散層中；以及
在所述ARC層上方形成鈍化層。
7.根據權利要求6所述的方法，還包括：
在所述ARC層上方形成氧化鉿層；以及
在將所述像素陣列區域蝕刻到所述電荷耗散層中期間，使用所述氧化鉿層作為蝕刻阻擋件。
8.根據權利要求6所述的方法，其中所述ARC層包括耦接在第一層上方的至少第二層，并且所述方法還包括使所述多個溝槽中的一個或多個溝槽完全延伸穿過所述ARC層的所述第一層。
9.一種形成圖像傳感器的方法，所述方法包括：
提供半導體基板；
在所述半導體基板上方形成抗反射涂覆ARC層；
在所述ARC層上方形成蝕刻阻擋層；
圖案化所述ARC層以在其中形成多個溝槽；
將電荷耗散層形成到所述多個溝槽中；
將像素陣列區域蝕刻到所述電荷耗散層中；以及
在所述ARC層上方形成鈍化層。
10.根據權利要求9所述的方法，其中所述ARC層包括耦接在第一層上方的至少第二層，并且所述方法還包括使所述多個溝槽中的一個或多個溝槽完全延伸穿過所述ARC層的所述第一層。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
