[發(fā)明專利]多層陶瓷電容器及制造多層陶瓷電容器的方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010830259.4 | 申請日： | 2020-08-18 |
| 公開（公告）號： | CN112885600A | 公開（公告）日： | 2021-06-01 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 金東勳;李鉉慜;鄭鍾錫;柳東建;李知賢;尹碩晛 | 申請（專利權(quán)）人： | 三星電機株式會社 |
| 主分類號： | H01G4/005 | 分類號： | H01G4/005;H01G4/30 |
| 代理公司： | 北京銘碩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286 | 代理人： | 何巨;金光軍 |
| 地址： | 韓國京畿*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 多層 陶瓷 電容器 制造 方法 | ||
本發(fā)明提供一種多層陶瓷電容器及制造多層陶瓷電容器的方法，所述多層陶瓷電容器包括：陶瓷主體，包括介電層；多個第一內(nèi)電極和多個第二內(nèi)電極，設(shè)置在所述陶瓷主體內(nèi)部，暴露于第一表面和第二表面，并且具有暴露于第三表面或第四表面的端部；以及第一側(cè)邊緣部和第二側(cè)邊緣部，分別設(shè)置在暴露于所述第一表面和所述第二表面的所述多個第一內(nèi)電極和所述多個第二內(nèi)電極的側(cè)部上。比Db/Da滿足大于等于1.00且小于等于1.07，其中，“Db”是在所述第一側(cè)邊緣部和所述第二側(cè)邊緣部的相應(yīng)邊緣區(qū)域的在所述介電層的堆疊方向上的兩端之間的距離，并且“Da”是所述陶瓷主體的在中央?yún)^(qū)域的在所述堆疊方向上的距離。
本申請要求于2019年11月29日在韓國知識產(chǎn)權(quán)局提交的第10-2019-0156838號韓國專利申請的優(yōu)先權(quán)的權(quán)益，所述韓國專利申請的全部公開內(nèi)容通過引用被包含于此。
技術(shù)領(lǐng)域
本公開涉及一種多層陶瓷電容器及制造多層陶瓷電容器的方法，在該多層陶瓷電容器中，可改善防潮可靠性，同時可改善耐受電壓。
背景技術(shù)
通常，諸如電容器、電感器、壓電元件、壓敏電阻或熱敏電阻的使用陶瓷材料的電子組件包括利用陶瓷材料形成的陶瓷主體、形成在陶瓷主體內(nèi)部的內(nèi)電極以及設(shè)置在陶瓷主體的表面上以連接到內(nèi)電極的外電極。
近來，由于電子產(chǎn)品已小型化和多功能化，芯片組件也已小型化和高度功能化。因此，要求多層陶瓷電容器具有高容量和小尺寸。
如上所述，對于小且高容量的產(chǎn)品，確?？煽啃院透吣褪茈妷禾匦允潜匾摹?/p>
多層陶瓷電容器的小型化和高電容要求顯著增大有效電極面積(增大電容實現(xiàn)所需的有效體積分數(shù))。
為了實現(xiàn)如上所述的小且高容量的多層陶瓷電容器，在制造多層陶瓷電容器時，可使內(nèi)電極在主體的寬度方向上暴露，從而通過無邊緣設(shè)計在寬度方向上顯著增大內(nèi)電極面積。例如，在預(yù)燒制階段，在制造這樣的片之后，采用將側(cè)邊緣部單獨地附著到片的寬度方向的電極暴露表面以完成多層陶瓷電容器的方法。
然而，在按照以上方法形成側(cè)邊緣部的工藝中，側(cè)邊緣部中的空隙增多，并且濕氣可貫穿空隙，從而降低了防潮可靠性。
提高燒制溫度以去除空隙可能引起這樣的問題：可能由于與側(cè)邊緣部相鄰的內(nèi)電極的過度燒制而降低耐受電壓。
因此，需要研究在超小且高容量的產(chǎn)品中改善防潮可靠性并確保高擊穿電壓(BDV)。
發(fā)明內(nèi)容
提供本發(fā)明內(nèi)容以按照簡化的形式介紹所選擇的構(gòu)思，并在下面的具體實施方式中進一步描述所述構(gòu)思。本發(fā)明內(nèi)容既不意在限定所要求保護主題的關(guān)鍵特征或必要特征，也不意在用于幫助確定所要求保護主題的范圍。
本公開的一方面在于提供一種可改善防潮可靠性同時可改善耐受電壓的多層陶瓷電容器及制造多層陶瓷電容器的方法。
根據(jù)本公開的一方面，一種多層陶瓷電容器包括：陶瓷主體，包括介電層，所述陶瓷主體具有彼此相對的第一表面和第二表面、連接所述第一表面和所述第二表面的第三表面和第四表面以及連接到所述第一表面、所述第二表面、所述第三表面和所述第四表面并且彼此相對的第五表面和第六表面；多個第一內(nèi)電極和多個第二內(nèi)電極，設(shè)置在所述陶瓷主體內(nèi)部，暴露于所述第一表面和所述第二表面，并且具有暴露于所述第三表面或所述第四表面的端部；以及第一側(cè)邊緣部和第二側(cè)邊緣部，分別設(shè)置在暴露于所述第一表面和所述第二表面的所述多個第一內(nèi)電極和所述多個第二內(nèi)電極的側(cè)部上。比Db/Da滿足大于等于1.00且小于等于1.07，其中，“Db”是所述第一側(cè)邊緣部和所述第二側(cè)邊緣部的相應(yīng)邊緣區(qū)域的在所述介電層的堆疊方向上的兩端之間的距離，并且“Da”是所述陶瓷主體的在中央?yún)^(qū)域的在所述堆疊方向上的距離。
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