[發明專利]多層陶瓷電容器及制造多層陶瓷電容器的方法

在審

• 申請號: 202010830259.4
• 申請日: 2020-08-18
• 公開（公告）號: CN112885600A
• 公開（公告）日: 2021-06-01
• 發明（設計）人: 金東勳;李鉉慜;鄭鍾錫;柳東建;李知賢;尹碩晛
• 申請（專利權）人: 三星電機株式會社
• 主分類號: H01G4/005
• 分類號: H01G4/005;H01G4/30
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 何巨;金光軍

1.一種多層陶瓷電容器，包括：

陶瓷主體，包括介電層，所述陶瓷主體具有彼此相對的第一表面和第二表面、連接所述第一表面和所述第二表面的第三表面和第四表面以及連接到所述第一表面、所述第二表面、所述第三表面和所述第四表面并且彼此相對的第五表面和第六表面；

多個第一內電極和多個第二內電極，設置在所述陶瓷主體內部，暴露于所述第一表面和所述第二表面，并且具有暴露于所述第三表面或所述第四表面的端部；以及

第一側邊緣部和第二側邊緣部，分別設置在所述陶瓷主體的所述第一表面和所述第二表面上，

其中，比Db/Da滿足大于等于1.00且小于等于1.07，其中，“Db”是所述第一側邊緣部和所述第二側邊緣部的相應邊緣區域的在所述介電層的堆疊方向上的兩端之間的距離，并且“Da”是所述陶瓷主體的在中央區域的在所述堆疊方向上的距離。

2.如權利要求1所述的多層陶瓷電容器，其中，所述陶瓷主體包括：有效部，包括所述多個第一內電極和所述多個第二內電極，所述第一內電極和所述第二內電極設置為彼此面對且所述介電層介于所述第一內電極和所述第二內電極之間以形成電容；以及覆蓋部，設置在所述有效部的在所述堆疊方向上的上部和下部上，并且

在所述第一側邊緣部和所述第二側邊緣部中的孔隙的數量與在所述有效部的所述介電層中的孔隙的數量的比滿足大于等于0.9且小于等于1.1。

3.如權利要求1所述的多層陶瓷電容器，其中，所述比Db/Da大于1.00且小于等于1.07。

4.如權利要求1所述的多層陶瓷電容器，其中，所述介電層的厚度小于等于0.6μm，并且所述多個第一內電極和所述多個第二內電極中的每者的厚度小于等于0.4μm。

5.如權利要求1至4中的任一項所述的多層陶瓷電容器，其中，比d2/d1大于1.00且小于等于1.05，其中，“d2”是所述第一內電極與所述第二內電極之間的在所述陶瓷主體的與所述第一側邊緣部或所述第二側邊緣部相鄰的端部上的間隔，并且“d1”是所述第一內電極與所述第二內電極之間的在所述陶瓷主體的中央區域中的間隔。

6.一種制造多層陶瓷電容器的方法，包括：

制備第一陶瓷生片和第二陶瓷生片，在所述第一陶瓷生片上以預定間隔形成多個第一內電極圖案，在所述第二陶瓷生片上以預定間隔形成多個第二內電極圖案；

以所述多個第一內電極圖案和所述多個第二內電極圖案彼此交錯重疊的這樣的方式層疊所述第一陶瓷生片和所述第二陶瓷生片，以形成陶瓷生片層疊主體；

切割所述陶瓷生片層疊主體以具有所述多個第一內電極圖案的邊緣和所述多個第二內電極圖案的邊緣在寬度方向上暴露的側表面；

在切割的層疊主體的所述側表面上分別形成第一側邊緣部和第二側邊緣部；以及

燒制所述切割的層疊主體以提供包括介電層以及第一內電極和第二內電極的陶瓷主體，

其中，比Db/Da滿足大于等于1.00且小于等于1.07，其中，“Db”是所述第一側邊緣部和所述第二側邊緣部的相應邊緣區域的在所述介電層的層疊方向上的兩端之間的距離，并且“Da”是所述陶瓷主體的在中央區域的在所述層疊方向上的距離。

7.如權利要求6所述的方法，其中，所述第一陶瓷生片和所述第二陶瓷生片中的每者的厚度小于等于1.0μm，并且所述第一內電極圖案和所述第二內電極圖案中的每者的厚度小于等于0.5μm。

8.如權利要求6所述的方法，其中，所述陶瓷主體包括：有效部，包括多個第一內電極和多個第二內電極，所述第一內電極和所述第二內電極設置為彼此面對且所述介電層介于所述第一內電極和所述第二內電極之間以形成電容；以及覆蓋部，設置在所述有效部的在所述堆疊方向上的上部和下部上，并且

在所述第一側邊緣部和所述第二側邊緣部中的孔隙的數量與在所述有效部的所述介電層中的孔隙的數量的比滿足大于等于0.9且小于等于1.1。

9.如權利要求6所述的方法，其中，所述比Db/Da大于1.00且小于等于1.07。

10.如權利要求8或9所述的方法，其中，比d2/d1大于1.00且小于等于1.05，其中，“d2”是所述第一內電極與所述第二內電極之間的在所述陶瓷主體的與所述第一側邊緣部或所述第二側邊緣部相鄰的端部上的間隔，并且“d1”是所述第一內電極與所述第二內電極之間的在所述陶瓷主體的中央區域中的間隔。