[發明專利]一種紅光LED芯片制備方法及紅光LED芯片

有效

• 申請號: 202010829939.4
• 申請日: 2020-08-18
• 公開（公告）號: CN114078988B
• 公開（公告）日: 2023-01-13
• 發明（設計）人: 翟峰;許時淵
• 申請（專利權）人: 重慶康佳光電技術研究院有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L33/48;H01L21/683
• 代理公司: 深圳鼎合誠知識產權代理有限公司 44281
• 代理人: 李發兵

1.一種紅光LED芯片制備方法，其特征在于，包括：

在置于生長基板的紅光外延層上設置晶粒膠層，所述晶粒膠層包括粘附膠及被所述粘附膠包覆的多個膠體晶粒，多個所述膠體晶粒處于同一水平面形成晶粒層，所述晶粒層位于所述晶粒膠層靠近所述紅光外延層的一側，所述晶粒層能使所述晶粒膠層中靠近所述紅光外延層一側的粘附膠先于遠離所述紅光外延層一側的粘附膠分解；

利用所述晶粒膠層中的粘附膠將絕緣基板粘附在所述晶粒膠層上并去除所述生長基板，以將所述紅光外延層從生長基板轉移至所述絕緣基板；

設置與所述紅光外延層中半導體層電連接的電極；

采用激光分解所述晶粒膠層中的粘附膠，以分離所述紅光外延層與所述絕緣基板。

2.如權利要求1所述的紅光LED芯片制備方法，其特征在于，所述在置于生長基板的紅光外延層上設置晶粒膠層包括：

在置于生長基板的所述紅光外延層上設置混晶膠，以形成包括一層膠體晶粒的晶粒層；所述混晶膠包括粘附膠以及分散在所述粘附膠中的膠體晶粒；

在所述晶粒層上設置純粘附膠形成純膠層，所述晶粒層與所述純膠層共同構成所述晶粒膠層。

3.如權利要求1所述的紅光LED芯片制備方法，其特征在于，所述紅光外延層中包括依次設置的第一半導體層、有源層、第二半導體層，所述在置于生長基板的紅光外延層上設置晶粒膠層之前，還包括：在所述第二半導體層上設置空穴分散層；

所述在置于生長基板的紅光外延層上設置晶粒膠層還包括：在所述空穴分散層上設置晶粒膠層。

4.如權利要求3所述的紅光LED芯片制備方法，其特征在于，所述空穴分散層包括氧化銦錫ITO層。

5.如權利要求1所述的紅光LED芯片制備方法，其特征在于，所述膠體晶粒的粒徑基于米氏散射原理以及所述激光的波長確定。

6.如權利要求5所述的紅光LED芯片制備方法，其特征在于，所述在置于生長基板的紅光外延層上設置晶粒膠層之前，還包括：

基于米氏散射原理以及所述激光的波長確定膠體晶粒的粒徑，所述粒徑d＝αλ/mπ；所述d為粒徑；所述α為無因次粒徑參量，取值為大于等于5；所述λ為所述激光的波長；所述m為所述膠體晶粒材質的折射率；

基于確定出的粒徑制備膠體晶粒。

7.如權利要求1-6任一項所述的紅光LED芯片制備方法，其特征在于，所述采用激光分解所述晶粒膠層中的粘附膠包括：

采用波長為266nm的激光分解所述晶粒膠層中的粘附膠。

8.如權利要求1-6任一項所述的紅光LED芯片制備方法，其特征在于，所述粘附膠為苯并環丁烯BCB膠。

9.如權利要求1-6任一項所述的紅光LED芯片制備方法，其特征在于，所述膠體晶粒的材質包括二氧化硅和聚苯乙烯中的任意一種。