[發(fā)明專利]確定晶圓加工參數(shù)的方法和晶圓的加工方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010829427.8 | 申請(qǐng)日: | 2020-08-18 |
| 公開(公告)號(hào): | CN112071765A | 公開(公告)日: | 2020-12-11 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 蔡偉耀;盧健平 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 徐州鑫晶半導(dǎo)體科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/66 | 分類號(hào): | H01L21/66;B24B37/04;B28D5/00;B82Y40/00 |
| 代理公司: | 北京清亦華知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 尹璐 |
| 地址: | 221004 江蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 確定 加工 參數(shù) 方法 | ||
本發(fā)明提供了確定晶圓加工參數(shù)的方法和晶圓的加工方法,確定晶圓加工參數(shù)的方法包括:獲取晶圓加工工序中多個(gè)晶圓上的預(yù)定線條的平整度數(shù)據(jù);根據(jù)所述預(yù)定線條的平整度數(shù)據(jù),確定所述預(yù)定線條的徑向數(shù)據(jù);根據(jù)多個(gè)所述晶圓的預(yù)定線條的所述徑向數(shù)據(jù),確定硅晶圓加工參數(shù)。該方法,可以通過對(duì)前一批次硅棒硅棒的加工數(shù)據(jù),來確定后一批次硅棒或者晶圓后道加工工序的參數(shù),使得到的晶圓的平整度精度更高,加工良率更高,同時(shí)可以降低成本。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域,具體的,涉及確定晶圓加工參數(shù)的方法和晶圓的加工方法。
背景技術(shù)
納米形貌作為表征晶圓0.2~幾十mm的凸凹成分的平整度參數(shù),對(duì)后續(xù)芯片有著極其重要的影響。納米形貌主要在硅晶圓的切片和減薄階段產(chǎn)生,但由于納米形貌所涉及的數(shù)值較小,在切割和減薄階段,因?yàn)楣杈A表面比較粗糙,一般采用電容式或雙面激光測量方式,只測量數(shù)條直線掃描資料,且量測位置主要是槽口作為基準(zhǔn),如圖2所示,圖2中量測了以通過槽口點(diǎn)和圓心的槽口線,然后在依次旋轉(zhuǎn)45度,量測其他3條線。由于粘棒中晶圓的位置隨機(jī),切口完成后,槽口線的位置完全不能表征切割的狀況,無法得知晶圓工序的情況。此外,現(xiàn)有的量測僅將每條線的量測數(shù)據(jù)記錄在后臺(tái)數(shù)據(jù)庫中,不做相應(yīng)處理。此種測量方式可以偵測大面積的平整度變化,但對(duì)于局部納米形貌的結(jié)果無法得知,且現(xiàn)有的量測方式和數(shù)據(jù)處理無法讓工藝人員進(jìn)行相應(yīng)的追溯和管控,使得納米形貌的精度較低。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明旨在至少在一定程度上解決相關(guān)技術(shù)中的技術(shù)問題之一。為此,本發(fā)明的一個(gè)目的在于提出一種確定硅晶圓加工參數(shù)的方法,通過追溯上一批硅棒的加工工序和平整度數(shù)據(jù),實(shí)時(shí)調(diào)整晶圓加工參數(shù)或及時(shí)調(diào)整晶圓的后道加工工序的參數(shù)從而有效改善晶圓表面的納米形貌。
在本發(fā)明的一個(gè)方面,本發(fā)明提供了一種確定晶圓加工參數(shù)的方法。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例,該方法包括:獲取晶圓加工工序中多個(gè)晶圓上的預(yù)定線條的平整度數(shù)據(jù),所述平整度數(shù)據(jù)包括厚度數(shù)據(jù)和形狀數(shù)據(jù)中的至少之一;根據(jù)所述預(yù)定線條的平整度數(shù)據(jù),確定所述預(yù)定線條的徑向數(shù)據(jù);根據(jù)多個(gè)所述晶圓的預(yù)定線條的所述徑向數(shù)據(jù),確定硅晶圓加工參數(shù)。該方法,可以通過對(duì)前一批次硅棒硅棒的加工數(shù)據(jù),來確定后一批次硅棒或者晶圓后道加工工序的參數(shù),使得到的晶圓的平整度精度更高,加工良率更高,同時(shí)可以降低成本。
根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例,所述加工工序中多個(gè)晶圓源自同一硅棒。
根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例,所述預(yù)定線條滿足以下條件的至少之一:所述預(yù)定線條包含通過進(jìn)刀口與出刀口,并與所述切割方向平行的基準(zhǔn)線;所述預(yù)定線條為以晶圓的圓心為中點(diǎn),將所述基準(zhǔn)線按照順時(shí)針或逆時(shí)針以一定角度旋轉(zhuǎn)得到的直線;所述預(yù)定線條的條數(shù)為至少1條;任意相鄰兩條所述預(yù)定線條之間的夾角相等。
根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例,所述基準(zhǔn)線是通過以下步驟得到:定位得到所述晶圓的來源硅棒的粘接轉(zhuǎn)角;所述粘接轉(zhuǎn)角為切割前所述基準(zhǔn)線與槽口線的夾角;所述槽口線為通過晶圓上的槽口點(diǎn)與圓心的直線;量測所述晶圓的所述平整度數(shù)據(jù)時(shí),先定位所述槽口線的位置,將所述粘接轉(zhuǎn)角輸入量測機(jī)臺(tái),使得所述晶圓按照所述粘接轉(zhuǎn)角度數(shù)旋轉(zhuǎn),得到所述基準(zhǔn)線。
根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例,根據(jù)多個(gè)所述晶圓的預(yù)定線條的所述徑向數(shù)據(jù),確定晶圓加工參數(shù)包括:將多個(gè)所述晶圓的預(yù)定線條的所述徑向數(shù)據(jù)匯整于同一圖面中,得到匯整圖面;根據(jù)所述匯整圖面,確定硅加工工序的參數(shù)。
根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例,所述匯整圖面是通過以下步驟得到的:以預(yù)定線條的徑向位置坐標(biāo)為橫坐標(biāo),平整度數(shù)據(jù)為縱坐標(biāo),繪制每個(gè)所述預(yù)定線條的徑向平整度數(shù)據(jù)曲線;將多個(gè)所述晶圓的預(yù)定線條的徑向平整度數(shù)據(jù)曲線并列且間隔匯整于同一圖面中,所述匯整圖面的縱坐標(biāo)或者橫坐標(biāo)為所述預(yù)定線條的徑向位置坐標(biāo)。
根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例,所述加工工序包括切割工序、減薄工序和拋光工序中的至少一種。
根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例,所述平整度數(shù)據(jù)包括厚度、翹曲度和總厚度偏差中的至少之一。
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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