[發明專利]確定晶圓加工參數的方法和晶圓的加工方法在審
| 申請號: | 202010829427.8 | 申請日: | 2020-08-18 |
| 公開(公告)號: | CN112071765A | 公開(公告)日: | 2020-12-11 |
| 發明(設計)人: | 蔡偉耀;盧健平 | 申請(專利權)人: | 徐州鑫晶半導體科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/66 | 分類號: | H01L21/66;B24B37/04;B28D5/00;B82Y40/00 |
| 代理公司: | 北京清亦華知識產權代理事務所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 尹璐 |
| 地址: | 221004 江蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 確定 加工 參數 方法 | ||
1.一種確定晶圓加工參數的方法,其特征在于,包括:
獲取晶圓加工工序中多個晶圓上的預定線條的平整度數據,所述平整度數據包括厚度數據和形狀數據中的至少之一;
根據所述預定線條的平整度數據,確定所述預定線條的徑向數據;
根據多個所述晶圓的預定線條的所述徑向數據,確定硅晶圓加工參數。
2.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,所述加工工序中的多個所述晶圓源自同一硅棒。
3.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,所述預定線條滿足以下條件的至少之一:
所述預定線條包含通過進刀口與出刀口,并與所述切割方向平行的基準線;
所述預定線條為以晶圓的圓心為中點,將所述基準線按照順時針或逆時針以一定角度旋轉得到的直線;
所述預定線條的條數為至少1條;
任意相鄰兩條所述預定線條之間的夾角相等。
4.根據權利要求3所述的方法,其特征在于,所述基準線是通過以下步驟得到:
定位得到所述晶圓的來源硅棒的粘接轉角;所述粘接轉角為切割前所述基準線與槽口線的夾角;所述槽口線為通過晶圓上的槽口點與圓心的直線;
量測所述晶圓的所述平整度數據時,先定位所述槽口線的位置,將所述粘接轉角輸入量測機臺,所述量測機臺使得所述晶圓按照所述粘接轉角度數旋轉,得到所述基準線。
5.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,根據多個所述晶圓的預定線條的所述徑向數據,確定晶圓加工參數包括:
將多個所述晶圓的預定線條的所述徑向數據匯整于同一圖面中,得到匯整圖面;
根據所述匯整圖面,確定硅加工工序的參數。
6.根據權利要求5所述的方法,其特征在于,所述匯整圖面是通過以下步驟得到的:
以所述預定線條的徑向位置坐標為橫坐標,所述平整度數據為縱坐標,繪制每個所述預定線條的徑向平整度數據曲線;
將多個所述晶圓的預定線條的所述徑向平整度數據曲線并列且間隔匯整于同一圖面中,所述匯整圖面的橫坐標或者縱坐標為所述預定線條的徑向位置坐標。
7.根據權利要求1~6所述的方法,其特征在于,所述加工工序包括切割工序、減薄工序和拋光工序中的至少一種。
8.根據權利要求7所述的方法,其特征在于,所述平整度數據包括厚度、翹曲度和總厚度偏差中的至少之一;
所述切割工序參數包括切割速度和切割溫度中的至少之一;
所述減薄工序參數包括砂輪水平及垂直對應位置中的至少之一;
所述拋光工序參數包括拋光速率和拋光時間中的至少之一。
9.根據權利要求7所述的方法,其特征在于,多個所述晶圓是連續切割后得到的,所述平整度參數為翹曲度,所述切割工序參數為切割速度,根據所述匯整圖面,確定硅加工工序的參數包括:
若所述翹曲度值呈現邊緣位置對應中間位置往左邊方向偏擺,則確定所述切割速度為先慢后快。
10.一種晶圓的加工方法,其特征在于,包括:
通過權利要求1~9任一項所述方法得到前批次所述切割工序的所述平整度參數或平整度匯整圖,
判斷所述平整度參數是否超過定義范圍或存在持續往同一方向偏差;
實時調整所述切割工序的參數或及時調整減薄工序的參數;
或者,
通過權利要求1~9任一項所述方法得到前批次所述減薄工序的所述平整度參數或平整度匯整圖,
判斷所述平整度參數中數值最大的那條線是否超過定義范圍;
實時調整所述減薄工序的參數或及時調整拋光工序的參數。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
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H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
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H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





