[發明專利]LED芯片及LED芯片制造方法

在審

• 申請號: 202010828812.0
• 申請日: 2020-08-18
• 公開（公告）號: CN111816743A
• 公開（公告）日: 2020-10-23
• 發明（設計）人: 不公告發明人
• 申請（專利權）人: 聚燦光電科技（宿遷）有限公司
• 主分類號: H01L33/40
• 分類號: H01L33/40;H01L33/14
• 代理公司: 蘇州威世朋知識產權代理事務所(普通合伙) 32235
• 代理人: 沈曉敏

本發明提供一種LED芯片及LED芯片制造方法，LED芯片通過在電流阻擋層和透明導電層上分別設置第一通孔和第二通孔，以及覆于第一通孔和第二通孔內的金屬粘附層，可以使P電極不直接設置在透明導電層和電流阻擋層上，而是通過金屬粘附層分別與P電極和P型半導體層相連，從而在LED芯片打線流程中，能夠分散打線時所帶來的擠壓力，使力直接作用在P型半導體層上，并通過金屬粘附層加強P電極設置的牢固程度，以避免出現所述透明導電層和所述P電極碎裂脫落的問題。

技術領域

本發明涉及半導體發光器件領域，具體地涉及一種LED芯片及LED芯片制造方法。

背景技術

發光二極管(英文：Light Emitting Diode，簡稱：LED)作為一種新型節能、環保固態照明光源，具有能效高、體積小、重量輕、響應速度快以及壽命長等優點，使其在很多領域得到了廣泛應用。

現在LED芯片中，通常在P型半導體層和所述電流阻擋層上沉積一層銦錫氧化物(英文：Indium tin oxide，簡稱：ITO)透明導電層，從而起到增加電流擴展能力的作用。在實際制程中，先在P型層上面生長一層銦錫氧化物薄膜，然后再于銦錫氧化物薄膜上沉積金屬電極材料，作為焊盤使用。

但在后續的LED芯片封裝打線流程中，會對電極施加較大的擠壓力，設置在ITO層上的電極將力傳導到ITO層上后，容易造成ITO層碎裂脫落、電極脫落的異常問題，導致芯片無法封裝成型，使LED芯片品質可靠性受到影響。

發明內容

本發明的目的在于提供一種LED芯片及LED芯片制造方法。

本發明提供一種LED芯片，包括襯底和依次設于其上的N型半導體層、發光層、P型半導體層，所述N型半導體層上設有N電極，所述LED芯片還包括電流阻擋層、透明導電層、金屬粘附層和P電極；

所述電流阻擋層設于所述P型半導體層上表面部分區域，所述電流阻擋層設有貫通其上下表面的第一通孔；

所述透明導電層覆于所述P型半導體層上，所述透明導電層設有貫通其上下表面的第二通孔，所述第二通孔暴露所述第一通孔；

所述金屬粘附層至少覆蓋所述電流阻擋層暴露在所述第二通孔內的上表面，并電性連接于所述透明導電層；

所述P電極位于所述第二通孔內，設于所述金屬粘附層上，并填充于所述第一通孔內空間。

作為本發明的進一步改進，所述金屬粘附層還覆蓋于所述第一通孔的側壁面。

作為本發明的進一步改進，所述金屬粘附層還覆蓋于所述P型半導體層暴露于所述第一通孔內的區域。

作為本發明的進一步改進，所述金屬粘附層為鎳膜層，或為金膜層，或為鎳金復合膜層。

作為本發明的進一步改進，所述透明導電層、所述金屬粘附層和所述P電極上覆有絕緣保護層，所述絕緣保護層上設有第三通孔，所述第三通孔暴露所述P電極。

本發明還提供一種LED芯片制造方法，包括步驟：

提供一襯底，在所述襯底上生長N型半導體層、發光層和P型半導體層，刻蝕部分所述發光層和P型半導體層，暴露所述N型半導體層；

在所述P型半導體層上形成電流阻擋層，并在所述電流阻擋層內形成一貫通其上下表面的第一通孔；

在所述P型半導體層上形成透明導電層，并在所述透明導電層內形成暴露所述第一通孔且貫通其上下表面的第二通孔；

至少在所述第二通孔內的電流阻擋層的上表面和所述第二通孔周圈的部分透明導電層上形成金屬粘附層；

在所述金屬粘附層和所述第一通孔內形成P電極，在所述N型半導體層上形成N電極。