[發明專利]LED芯片及LED芯片制造方法

在審

• 申請號: 202010828812.0
• 申請日: 2020-08-18
• 公開（公告）號: CN111816743A
• 公開（公告）日: 2020-10-23
• 發明（設計）人: 不公告發明人
• 申請（專利權）人: 聚燦光電科技（宿遷）有限公司
• 主分類號: H01L33/40
• 分類號: H01L33/40;H01L33/14
• 代理公司: 蘇州威世朋知識產權代理事務所(普通合伙) 32235
• 代理人: 沈曉敏

1.一種LED芯片，包括襯底和依次設于其上的N型半導體層、發光層、P型半導體層，所述N型半導體層上設有N電極，其特征在于，

所述LED芯片還包括電流阻擋層、透明導電層、金屬粘附層和P電極；

所述電流阻擋層設于所述P型半導體層上表面部分區域，所述電流阻擋層設有貫通其上下表面的第一通孔；

所述透明導電層覆于所述P型半導體層上，所述透明導電層設有貫通其上下表面的第二通孔，所述第二通孔暴露所述第一通孔；

所述金屬粘附層至少覆蓋所述電流阻擋層暴露在所述第二通孔內的上表面，并電性連接于所述透明導電層；

所述P電極位于所述第二通孔內，設于所述金屬粘附層上，并填充于所述第一通孔內空間。

2.根據權利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述金屬粘附層還覆蓋于所述第一通孔的側壁面。

3.根據權利要求2所述的LED芯片，其特征在于，所述金屬粘附層還覆蓋于所述P型半導體層暴露于所述第一通孔內的區域。

4.根據權利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述金屬粘附層為鎳膜層，或為金膜層，或為鎳金復合膜層。

5.根據權利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述透明導電層、所述金屬粘附層和所述P電極上覆有絕緣保護層，所述絕緣保護層上設有第三通孔，所述第三通孔暴露所述P電極。

6.一種LED芯片制造方法，其特征在于，包括步驟：

提供一襯底，在所述襯底上生長N型半導體層、發光層和P型半導體層，刻蝕部分所述發光層和P型半導體層，暴露所述N型半導體層；

在所述P型半導體層上形成電流阻擋層，并在所述電流阻擋層內形成一貫通其上下表面的第一通孔；

在所述P型半導體層上形成透明導電層，并在所述透明導電層內形成暴露所述第一通孔且貫通其上下表面的第二通孔；

至少在所述第二通孔內的電流阻擋層的上表面和所述第二通孔周圈的部分透明導電層上形成金屬粘附層；

在所述金屬粘附層和所述第一通孔內形成P電極，在所述N型半導體層上形成N電極。

7.根據權利要求6所述的LED芯片制造方法，其特征在于，所述金屬粘附層還形成于所述第一通孔的側壁面上。

8.根據權利要求7所述的LED芯片制造方法，其特征在于，所述金屬粘附層還形成于所述P型半導體層暴露于所述第一通孔內的區域上。

9.根據權利要求6所述的LED芯片制造方法，其特征在于，所述金屬粘附層為鎳膜層、或金膜層，或為鎳金復合膜層。

10.根據權利要求6所述的LED芯片制造方法，其特征在于，形成所述P電極后還包括步驟：在所述P電極和所述N電極上形成絕緣保護層。