[發(fā)明專利]一種增加爬電距離的半導體封裝結(jié)構(gòu)及其封裝方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 202010828782.3
• 申請日: 2020-08-18
• 公開（公告）號: CN111916407A
• 公開（公告）日: 2020-11-10
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 朱袁正;王燕軍;朱久桃;李明芬
• 申請（專利權(quán)）人: 無錫電基集成科技有限公司
• 主分類號: H01L23/29
• 分類號: H01L23/29;H01L23/31;H01L21/56
• 代理公司: 無錫市匯誠永信專利代理事務(wù)所(普通合伙) 32260
• 代理人: 曹慧萍

本發(fā)明公開了一種增加爬電距離的半導體封裝結(jié)構(gòu)及其封裝方法，其可增加引線之間的爬電距離，同時可增加器件的絕緣強度，滿足半導體器件的高耐壓要求，其包括殼體、若干個由內(nèi)部芯片引出的貫穿殼體的引線，至少一個引線上包覆有凸緣，凸緣位于引線與殼體外表面相鄰的部位，或至少一個引線上包覆有凸緣，同時引線之間開有凹槽，一種實現(xiàn)上述封裝結(jié)構(gòu)封裝的方法，采用環(huán)氧樹脂將所述芯片及所述引線的一端密封封裝，引線之間的爬電路徑上設(shè)置有若干個所述凸緣或凸緣與凹槽的組合結(jié)構(gòu)，凸緣與殼體一體成型，或凸緣、凹槽與殼體一體成型。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導體封裝技術(shù)領(lǐng)域，具體為一種增加爬電距離的半導體封裝結(jié)構(gòu)及其封裝方法。

背景技術(shù)

半導體器件作為整流器、振蕩器、發(fā)光器、放大器或測光器等廣泛應(yīng)用于射頻、微波和光學半導體產(chǎn)品領(lǐng)域中，現(xiàn)有半導體器件主要包括封裝殼體1、由內(nèi)部電路組件引出的貫穿封裝殼體的引線2，見圖1、圖2，其中引線2間的爬電距離是判斷半導體器件絕緣性能的關(guān)鍵特征，爬電距離是沿絕緣表面測得的兩個導電零部件之間或?qū)щ娏悴考c設(shè)備防護界面之間的最短路徑。但是在實際應(yīng)用時，當有高電壓施加于半導體功率器件的導電引線時，引線和引線之間可能因爬電距離不足，出現(xiàn)塑封料表面漏電，該漏電降低了器件的絕緣強度，反之若使器件滿足絕緣安全標準，則該半導體器件的功率則無法相應(yīng)提高。

發(fā)明內(nèi)容

針對現(xiàn)有技術(shù)中存在的在半導體殼體上施加高電壓時，引線和引線之間可能因爬電距離不足，出現(xiàn)殼體表面漏電，導致器件的絕緣強度降低的問題，本發(fā)明提供了一種增加爬電距離的半導體封裝結(jié)構(gòu)，其可增加引線之間的爬電距離，同時可增加器件的絕緣強度，滿足半導體器件的高耐壓要求。

為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用如下技術(shù)方案：

一種增加爬電距離的半導體結(jié)構(gòu)，其包括殼體、若干個由內(nèi)部芯片引出的貫穿所述殼體的引線，其特征在于，至少一個所述引線上包覆有凸緣，所述凸緣位于所述引線與殼體外表面相鄰的部位；或至少一個所述引線上包覆有凸緣，同時相鄰兩個所述引線之間開有凹槽，所述凹槽的兩端分別貫穿所述殼體的頂端端面和底端端面。

其進一步特征在于，

每個所述凹槽的中部設(shè)置有凸塊，所述凸塊的兩端向兩側(cè)延伸并貫穿所述殼體的上表面、下表面；

所述凸緣平行于所述引線伸出方向并凸出于所述殼體的外表面；

所述凸緣由所述殼體的外表面沿所述引線向外延伸的距離為100微米～3毫米；

所述凹槽由所述殼體的一側(cè)端面向內(nèi)凹陷，所述凹陷的深度為100微米～3 毫米；

所述引線的數(shù)量為三個，分別為：第一引線、第二引線、第三引線，所述第一引線、第二引線、第三引線沿所述殼體的一側(cè)端順序設(shè)置，所述凹槽位于所述第一引線與所述第二引線之間或所述第二引線與所述第三引線之間；

所述芯片為MOS管、IGBT管、SIC晶體管、可控硅的任意一種；

所述殼體為多面體結(jié)構(gòu)；

所述殼體的材質(zhì)為塑料；

所述引線為多面體結(jié)構(gòu)。

一種實現(xiàn)上述封裝結(jié)構(gòu)封裝的方法，其特征在于，采用環(huán)氧樹脂將所述芯片及所述引線的一端密封封裝，所述引線之間的爬電路徑上設(shè)置有若干個所述凸緣，或至少一個所述引線上包覆有凸緣，同時相鄰兩個所述引線之間開凹槽，所述凸緣與所述殼體一體成型，或所述凸緣、凹槽與所述殼體一體成型。

其進一步特征在于，所述引線之間的爬電路徑上設(shè)置有若干個凹槽，所述凹槽與所述殼體一體成型；

所述凸緣與所述殼體、凹槽一體成型。