[發(fā)明專利]一種增加爬電距離的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)及其封裝方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010828782.3
• 申請(qǐng)日: 2020-08-18
• 公開（公告）號(hào): CN111916407A
• 公開（公告）日: 2020-11-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 朱袁正;王燕軍;朱久桃;李明芬
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 無錫電基集成科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/29
• 分類號(hào): H01L23/29;H01L23/31;H01L21/56
• 代理公司: 無錫市匯誠永信專利代理事務(wù)所(普通合伙) 32260
• 代理人: 曹慧萍

1.一種增加爬電距離的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其包括殼體、若干個(gè)由內(nèi)部芯片引出的貫穿所述殼體的引線，其特征在于，至少一個(gè)所述引線上包覆有凸緣，所述凸緣位于所述引線與殼體外表面相鄰的部位；或至少一個(gè)所述引線上包覆有凸緣，同時(shí)相鄰兩個(gè)所述引線之間開有凹槽，所述凹槽的兩端分別貫穿所述殼體的頂端端面和底端端面。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種增加爬電距離的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，每個(gè)所述凹槽的中部均設(shè)置有凸塊，所述凸塊的兩端向兩側(cè)延伸并貫穿所述殼體的上表面、下表面。

3.根據(jù)權(quán)利要求1、2或3任一項(xiàng)所述的一種增加爬電距離的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述凸緣平行于所述引線伸出方向并凸出于所述殼體的外表面，所述凸緣由所述殼體的外表面沿所述引線向外延伸的距離為100微米～3毫米。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種增加爬電距離的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述凹槽由所述殼體的一側(cè)端面向內(nèi)凹陷，所述凹陷的深度為100微米～3毫米。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種增加爬電距離的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述引線的數(shù)量為三個(gè)，分別為：第一引線、第二引線、第三引線，所述第一引線、第二引線、第三引線沿所述殼體的一側(cè)端順序設(shè)置，所述凹槽位于所述第一引線與所述第二引線之間、或所述第二引線與所述第三引線之間。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種增加爬電距離的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一引線、第三引線凸出于所述殼體的部位分別包覆有所述凸緣，所述第一引線與所述第二引線之間、所述第二引線與所述第三引線之間分別開有所述凹槽。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種增加爬電距離的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二引線凸出于所述殼體的部位包覆有所述凸緣。

8.一種實(shí)現(xiàn)上述權(quán)利要求1、6或7任一項(xiàng)封裝結(jié)構(gòu)封裝的方法，其特征在于，采用環(huán)氧樹脂將所述芯片及所述引線的一端密封封裝，所述引線之間的爬電路徑上設(shè)置有若干個(gè)所述凸緣，或至少一個(gè)所述引線上包覆有凸緣，同時(shí)所相鄰兩個(gè)述引線之間開有凹槽，所述凸緣與所述殼體一體成型，或所述凸緣、凹槽與所述殼體一體成型。