[發明專利]多個器件芯片的制造方法

在審

• 申請號: 202010825811.0
• 申請日: 2020-08-17
• 公開（公告）號: CN112420608A
• 公開（公告）日: 2021-02-26
• 發明（設計）人: 松岡祐哉
• 申請（專利權）人: 株式會社迪思科
• 主分類號: H01L21/78
• 分類號: H01L21/78
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 喬婉;于靖帥

本發明提供多個器件芯片的制造方法，在對被加工物進行磨削而薄化從而分割的情況下防止器件芯片的角部缺損。該方法具有如下步驟：孔形成步驟，向被加工物的正面側照射具有被被加工物吸收的波長的第1激光束，在多條分割預定線交叉的交叉部形成比相當于各器件芯片的完工厚度的深度深的孔；正面保護步驟，利用保護部件覆蓋被加工物的正面側；內部加工步驟，將具有透過被加工物的波長的第2激光束的聚光點定位于被加工物的內部，沿著各分割預定線從被加工物的背面側照射第2激光束，在被加工物的內部形成強度相對較低的區域；和背面側磨削步驟，對被加工物的背面側進行磨削直至成為完工厚度為止，將被加工物分割成多個器件芯片。

技術領域

本發明涉及沿著多條分割預定線對被加工物進行分割而制造多個器件芯片的方法。

背景技術

在制造具有IC(Integrated Circuit，集成電路)、LSI(Large ScaleIntegration，大規模集成)等功能元件的器件芯片的工序中，首先在由硅等半導體形成的大致圓盤狀的被加工物的正面側呈格子狀設定多條分割預定線。接著，在由多條分割預定線劃分的各區域內形成了IC、LSI等功能元件之后，沿著各分割預定線對被加工物進行分割。

為了沿著各分割預定線對被加工物進行分割，例如首先按照沿著各分割預定線的方式在被加工物的內部形成作為機械強度降低的區域的改質層(例如參照專利文獻1)。為了形成改質層，使用激光加工裝置。

激光加工裝置具有用于對被加工物進行保持的卡盤工作臺。在卡盤工作臺的上方設置有能夠照射具有透過被加工物的波長的脈沖狀的激光束的激光束照射單元。

在將從激光束照射單元照射的激光束的聚光點定位于被加工物的內部的狀態下，使卡盤工作臺在規定的方向上移動，從而在被加工物的內部沿著分割預定線形成改質層。

在激光加工后，使用磨削裝置對被加工物的背面側進行磨削。由此，被加工物被薄化，并且受到外力，以改質層為斷裂起點而沿著各分割預定線被分割。這樣，被加工物通過磨削時的外力而分割成多個器件芯片。

專利文獻1：日本特開2006-12902號公報

但是，在使用磨削裝置對被加工物的背面側進行磨削時，在兩條分割預定線交叉的交叉部，由于器件芯片的角部彼此摩擦而容易產生缺損。另外，在器件芯片受到外力的情況下，角部所產生的缺損有可能發展至形成有功能元件的區域。

發明內容

本發明是鑒于該問題點而完成的，其目的在于提供多個器件芯片的制造方法，在對被加工物進行磨削而薄化從而對被加工物進行分割的情況下，防止器件芯片的角部的缺損。

根據本發明的一個方式，提供多個器件芯片的制造方法，將在正面側在由呈格子狀設定的多條分割預定線劃分的多個區域內分別形成有器件的被加工物沿著各分割預定線分割成各個器件芯片而從該被加工物制造多個器件芯片，其中，該多個器件芯片的制造方法具有如下的步驟：孔形成步驟，從該被加工物的外部向該正面側照射具有被該被加工物吸收的波長的第1激光束，在該多條分割預定線交叉的交叉部形成比相當于各器件芯片的完工厚度的深度深的孔；正面保護步驟，利用保護部件覆蓋該被加工物的該正面側；內部加工步驟，在將具有透過該被加工物的波長的第2激光束的聚光點定位在該被加工物的內部的位于比相當于該完工厚度的深度靠該被加工物的背面側的位置的狀態下，沿著各分割預定線從該背面側照射該第2激光束，在該被加工物的內部形成強度比未照射該第2激光束的區域低的區域；以及背面側磨削步驟，對該被加工物的該背面側進行磨削直至該被加工物成為該完工厚度為止，并且將該被加工物分割成多個器件芯片。

也可以是，在該孔形成步驟中，形成未從該正面貫通至該背面的非貫通孔作為該孔。

另外，也可以是，在該孔形成步驟中，形成從該正面貫通至該背面的貫通孔作為該孔。