[發明專利]多個器件芯片的制造方法

在審

• 申請號: 202010825811.0
• 申請日: 2020-08-17
• 公開（公告）號: CN112420608A
• 公開（公告）日: 2021-02-26
• 發明（設計）人: 松岡祐哉
• 申請（專利權）人: 株式會社迪思科
• 主分類號: H01L21/78
• 分類號: H01L21/78
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 喬婉;于靖帥

1.一種多個器件芯片的制造方法，將在正面側在由呈格子狀設定的多條分割預定線劃分的多個區域內分別形成有器件的被加工物沿著各分割預定線分割成各個器件芯片而從該被加工物制造多個器件芯片，其特征在于，

該多個器件芯片的制造方法具有如下的步驟：

孔形成步驟，從該被加工物的外部向該正面側照射具有被該被加工物吸收的波長的第1激光束，在該多條分割預定線交叉的交叉部形成比相當于各器件芯片的完工厚度的深度深的孔；

正面保護步驟，利用保護部件覆蓋該被加工物的該正面側；

內部加工步驟，在將具有透過該被加工物的波長的第2激光束的聚光點定位在該被加工物的內部的位于比相當于該完工厚度的深度靠該被加工物的背面側的位置的狀態下，沿著各分割預定線從該背面側照射該第2激光束，在該被加工物的內部形成強度比未照射該第2激光束的區域低的區域；以及

背面側磨削步驟，對該被加工物的該背面側進行磨削直至該被加工物成為該完工厚度為止，并且將該被加工物分割成多個器件芯片。

2.根據權利要求1所述的多個器件芯片的制造方法，其特征在于，

在該孔形成步驟中，形成未從該正面貫通至該背面的非貫通孔作為該孔。

3.根據權利要求1所述的多個器件芯片的制造方法，其特征在于，

在該孔形成步驟中，形成從該正面貫通至該背面的貫通孔作為該孔。