[發明專利]治具和退火裝置有效
| 申請號: | 202010825247.2 | 申請日: | 2020-08-17 |
| 公開(公告)號: | CN111933522B | 公開(公告)日: | 2023-07-18 |
| 發明(設計)人: | 林士仁 | 申請(專利權)人: | 業成科技(成都)有限公司;業成光電(深圳)有限公司;英特盛科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/268 | 分類號: | H01L21/268;H01L21/67 |
| 代理公司: | 成都希盛知識產權代理有限公司 51226 | 代理人: | 楊冬梅;張行知 |
| 地址: | 611730 四川*** | 國省代碼: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 退火 裝置 | ||
本發明涉及一種治具和退火裝置。該治具包括:第一夾塊;第二夾塊,與所述第一夾塊相對設置,所述第二夾塊包括導電本體和導通部,所述導通部設于所述導電本體朝向所述第一夾塊的一側,所述導通部包括若干間隔設置的導電體,所述導電體之間形成有熱流通道;以及驅動組件,用于驅使所述第二夾塊和所述第一夾塊相對運動。上述治具,在退火制程中,高溫氣體能夠進入導電體之間的熱流通道,確保面板被治具遮擋的區域與高溫氣體充分接觸,面板上被治具遮擋的區域與未被治具遮擋的區域的升溫以及降溫過程均保持一致。退火處理結束后,位于面板不同區域的透明導電膜的結晶狀態一致,采用本發明治具進行退火處理的面板表面顏色均勻。
技術領域
本發明涉及面板制備技術領域,特別是涉及治具和退火裝置。
背景技術
為消除面板制作過程中累積的電荷,在面板切割制程(Scribe?and?Break,SBK)后會增設退火制程(Annealing)。退火制程的具體內容為:利用導電布連接面板的輸出端(Source)信號線和附著于彩色濾光片的透明導電膜(ITO,Indium?Tin?Oxides,氧化銦錫),升溫以提高電子的遷移率,從而使面板殘存的電荷能夠傳輸至透明導電膜,以此消除面板內的殘存電荷。
為避免面板中的液晶受高溫影響,面板上的透明導電膜是采用低溫鍍膜制程形成的。然而,低溫鍍膜制程形成的透明導電膜為非晶態,在退火制程中,透明導電膜受溫度升高影響會由非晶態轉變為多晶態。面板上被導電布覆蓋的區域,與未被導電布覆蓋的區域,在退火制程中的受熱狀態不同,因而結晶狀態不同,導致面板局部存在顏色不均(CFsurface?dirt)。
發明內容
基于此,有必要針對面板在退火制程中由于受熱不均而產生顏色不均的問題,提供一種治具和退火裝置。
一種治具,包括:
第一夾塊;
第二夾塊,與所述第一夾塊相對設置,所述第二夾塊包括導電本體和導通部,所述導通部設于所述導電本體朝向所述第一夾塊的一側,所述導通部包括若干間隔設置的導電體,所述導電體之間形成有熱流通道;以及
驅動組件,用于驅使所述第二夾塊和所述第一夾塊相對運動。
在其中一個實施例中,所述導電體的材質為導電硅膠或導電泡棉。
在其中一個實施例中,所述導通部包括第一導通部和第二導通部,所述第一導通部的厚度大于所述第二導通部的厚度。
在其中一個實施例中,所述第二導通部的導電體呈現倒刺的形狀,所述倒刺具有凸出的尖端,所述尖端所述倒刺面向所述第一導通部。
在其中一個實施例中,設定由所述第一導通部指向所述第二導通部為第一方向,第二方向與所述第一方向垂直,所述第一導通部和所述第二導通部的多個導電體之間沿所述第一方向和/或所述第二方向形成有所述熱流通道。
在其中一個實施例中,所述導電體呈長條狀,相鄰兩個所述導電體之間形成有所述熱流通道,
和/或,所述導電體呈塊狀,并散布于所述導電本體上,所述導電體之間能夠形成所述熱流通道。
在其中一個實施例中,所述治具還包括安裝座,所述第一夾塊固定連接于所述安裝座,所述第二夾塊活動設于所述安裝座,所述驅動組件能夠帶動所述第二夾塊靠近所述第一夾塊,以對放置于所述治具的面板形成夾持。
在其中一個實施例中,所述第二夾塊與所述安裝座形成有間隙,氣流能夠由所述間隙進入所述熱流通道。
一種退火裝置,包括加熱爐和所述的治具,所述加熱爐內形成有中空腔體并能夠產生向上流動的高溫氣體,所述治具置于所述中空腔體內,所述高溫氣體流經置于所述治具上的面板表面時,能夠穿過所述熱流通道。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





