[發明專利]治具和退火裝置有效
| 申請號: | 202010825247.2 | 申請日: | 2020-08-17 |
| 公開(公告)號: | CN111933522B | 公開(公告)日: | 2023-07-18 |
| 發明(設計)人: | 林士仁 | 申請(專利權)人: | 業成科技(成都)有限公司;業成光電(深圳)有限公司;英特盛科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/268 | 分類號: | H01L21/268;H01L21/67 |
| 代理公司: | 成都希盛知識產權代理有限公司 51226 | 代理人: | 楊冬梅;張行知 |
| 地址: | 611730 四川*** | 國省代碼: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 退火 裝置 | ||
1.一種治具,其特征在于,所述治具用于面板的退火工藝,所述面板包括薄膜晶體層和設于所述薄膜晶體層一側的透明導電膜,所述薄膜晶體層上設有退火端子;
所述治具包括:
第一夾塊;
第二夾塊,與所述第一夾塊相對設置,所述第二夾塊包括導電本體和導通部,所述導通部設于所述導電本體朝向所述第一夾塊的一側,所述導通部包括若干間隔設置的導電體,所述導電體之間形成有熱流通道;其中,所述導電本體的表面劃分為第一區域和第二區域,位于所述第一區域的所述導通部和位于所述第二區域的所述導通部均與所述導電本體相接且電導通;以及
驅動組件,用于驅使所述第二夾塊和所述第一夾塊相對運動,以使所述第二夾塊和所述第一夾塊能夠相互靠近而對所述面板形成夾持,并使位于所述第一區域內的所述導通部與所述退火端子相接并實現電導通,位于所述第二區域內的所述導通部與所述透明導電膜相接并實現電導通。
2.根據權利要求1所述的治具,其特征在于,所述導電體的材質為導電硅膠或導電泡棉。
3.根據權利要求1所述的治具,其特征在于,所述導通部包括第一導通部和第二導通部,所述第一導通部的厚度大于所述第二導通部的厚度。
4.根據權利要求3所述的治具,其特征在于,所述第二導通部的導電體呈現倒刺的形狀,所述倒刺具有凸出的尖端,所述尖端面向所述第一導通部。
5.根據權利要求3所述的治具,其特征在于,設定由所述第一導通部指向所述第二導通部為第一方向,第二方向與所述第一方向垂直,所述第一導通部和所述第二導通部的多個導電體之間沿所述第一方向和/或所述第二方向形成有所述熱流通道。
6.根據權利要求1所述的治具,其特征在于,所述導電體呈長條狀,相鄰兩個所述導電體之間形成有所述熱流通道,
和/或,所述導電體呈塊狀,并散布于所述導電本體上,所述導電體之間能夠形成所述熱流通道。
7.根據權利要求1所述的治具,其特征在于,所述治具還包括安裝座,所述第一夾塊固定連接于所述安裝座,所述第二夾塊活動設于所述安裝座,所述驅動組件能夠帶動所述第二夾塊靠近所述第一夾塊,以對放置于所述治具的面板形成夾持。
8.根據權利要求7所述的治具,其特征在于,所述第二夾塊與所述安裝座形成有間隙,氣流能夠由所述間隙進入所述熱流通道。
9.一種退火裝置,其特征在于,包括加熱爐和如權利要求1-8任一項所述的治具,所述加熱爐內形成有中空腔體并能夠產生向上流動的高溫氣體,所述治具置于所述中空腔體內,所述高溫氣體流經置于所述治具上的面板表面時,能夠穿過所述熱流通道。
10.根據權利要求9所述的退火裝置,其特征在于,所述退火裝置還包括支架和若干槽板,多個所述槽板并列設置于所述支架上,所述治具設于兩個相鄰的所述槽板之間,兩個相鄰的所述槽板的相應位置開設有卡槽,所述卡槽用于放置所述面板的兩個相對側邊。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





