[發(fā)明專利]顯示裝置和其制造方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010824872.5 | 申請日: | 2020-08-17 |
| 公開(公告)號: | CN112420774A | 公開(公告)日: | 2021-02-26 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 金兌坤;柳春基 | 申請(專利權(quán))人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京德琦知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11018 | 代理人: | 潘懷仁;孔麗君 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 顯示裝置 制造 方法 | ||
本發(fā)明提供了顯示裝置和其制造方法。根據(jù)一些示例性實施方式的顯示裝置包括:顯示區(qū);圍繞顯示區(qū)并且包括密封區(qū)的非顯示區(qū);包括中心部分和外部部分的第一基板,中心部分包括在顯示區(qū)中的部分,外部部分包括在密封區(qū)中的部分;包括中心部分和外部部分的第二基板,中心部分包括在顯示區(qū)中的部分,外部部分包括在密封區(qū)中的部分;以及在第一基板和第二基板之間并且在密封區(qū)中的密封部分,其中第一基板的中心部分的厚度不同于第一基板的外部部分的厚度,并且第二基板的中心部分的厚度不同于第二基板的外部部分的厚度。
相關(guān)申請的交叉引用
本申請要求于2019年8月20日在韓國知識產(chǎn)權(quán)局提交的韓國專利申請第10-2019-0101908號的優(yōu)先權(quán)和權(quán)益,其全部內(nèi)容通過引用并入本文。
技術(shù)領(lǐng)域
本公開的實施方式涉及顯示裝置和其制造方法。
背景技術(shù)
需要具有各種特點,比如,例如,輕薄、低功率消耗和輕質(zhì)的顯示裝置,并且正在開發(fā)各種顯示器,比如,例如,液晶顯示器和有機發(fā)光裝置顯示器。
通過如下來制造顯示裝置:將開關(guān)元件,比如,例如,薄膜晶體管;用于連接它們的布線;用于將電壓施加至顯示元件的電極;和用于配置紅色像素、綠色像素和藍色像素的顯示元件作為薄層結(jié)構(gòu)設(shè)置在第一基板上,并且在薄層結(jié)構(gòu)上密封第二基板。
通過在第一基板和第二基板之間插入由熔料制成的密封部分并且使熔料硬化而進行密封工藝。
然而,如果基板的厚度形成為大于或等于約0.3t,那么在用于切割用于各個單位(例如,顯示單元)的顯示裝置的工藝期間,應(yīng)力聚集在其上施加密封部分的密封單元上,并且基板的邊緣可斷裂。為了最小化或減少該情況的發(fā)生,在與密封部分分開超過設(shè)定距離或預定距離的位置處切割顯示裝置,其造成不顯示圖像的區(qū)(例如,非顯示區(qū))中的死空間不可避免地變寬。如本文使用的,術(shù)語(t)表示距離單元,例如,1t對應(yīng)于1毫米(1mm=10-3m)。
該背景技術(shù)章節(jié)中公開的上述信息僅僅用于增強對本公開的背景技術(shù)的理解,并且所以其可含有不為相關(guān)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員已經(jīng)知道的現(xiàn)有技術(shù)的信息。
發(fā)明內(nèi)容
本公開提供了具有減小的非顯示區(qū)的死空間的顯示裝置和其制造方法的實施方式。
在本公開的實施方式中,顯示裝置包括:顯示區(qū);圍繞顯示區(qū)并且包括密封區(qū)的非顯示區(qū);包括中心部分和外部部分的第一基板,中心部分包括在顯示區(qū)中的部分,外部部分包括在密封區(qū)中的部分;包括中心部分和外部部分的第二基板,中心部分包括在顯示區(qū)中的部分,外部部分包括在密封區(qū)中的部分;以及在第一基板和第二基板之間并且在密封區(qū)中的密封部分,其中第一基板的中心部分的厚度不同于第一基板的外部部分的厚度,并且第二基板的中心部分的厚度不同于第二基板的外部部分的厚度。
在一些實施方式中,第一基板的中心部分的厚度可大于第一基板的外部部分的厚度。
在一些實施方式中,第一基板的中心部分的厚度可為0.3t(0.3mm)至0.4t(0.4mm),并且第一基板的外部部分的厚度可小于或等于0.25t(0.25mm)。
在一些實施方式中,第二基板的中心部分的厚度可大于第二基板的外部部分的厚度。
在一些實施方式中,第二基板的中心部分的厚度可為0.3t(0.3mm)至0.4t(0.4mm),并且第二基板的外部部分的厚度可小于或等于0.25t(0.25mm)。
在一些實施方式中,第一基板的外部部分可在沿著第一基板的中心部分的水平方向的兩個相對的側(cè)面上包括第一外部部分和第二外部部分,并且第一基板的第一外部部分的厚度可不同于第一基板的第二外部部分的厚度。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





