[發明專利]顯示裝置和其制造方法在審
| 申請號: | 202010824872.5 | 申請日: | 2020-08-17 |
| 公開(公告)號: | CN112420774A | 公開(公告)日: | 2021-02-26 |
| 發明(設計)人: | 金兌坤;柳春基 | 申請(專利權)人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京德琦知識產權代理有限公司 11018 | 代理人: | 潘懷仁;孔麗君 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示裝置 制造 方法 | ||
1.一種顯示裝置,包括:
顯示區;
圍繞所述顯示區并且包括密封區的非顯示區;
包括中心部分和外部部分的第一基板,所述中心部分包括在所述顯示區中的部分,所述外部部分包括在所述密封區中的部分;
包括中心部分和外部部分的第二基板,所述中心部分包括在所述顯示區中的部分,所述外部部分包括在所述密封區中的部分;以及
在所述第一基板和所述第二基板之間并且在所述密封區中的密封部分,
其中所述第一基板的所述中心部分的厚度不同于所述第一基板的所述外部部分的厚度,并且
所述第二基板的所述中心部分的厚度不同于所述第二基板的所述外部部分的厚度。
2.根據權利要求1所述的顯示裝置,其中,
所述第一基板的所述中心部分的所述厚度大于所述第一基板的所述外部部分的所述厚度,并且
所述第二基板的所述中心部分的所述厚度大于所述第二基板的所述外部部分的所述厚度。
3.根據權利要求2所述的顯示裝置,其中,
所述第一基板的所述中心部分的所述厚度和所述第二基板的所述中心部分的所述厚度為0.3mm至0.4mm,并且所述第一基板的所述外部部分的所述厚度和所述第二基板的所述外部部分的所述厚度小于或等于0.25mm。
4.根據權利要求3所述的顯示裝置,其中,
所述第一基板和所述第二基板包括在所述密封區處的切割線。
5.根據權利要求4所述的顯示裝置,其中,
所述切割線在朝著第一基板的所述中心部分和所述第二基板的所述中心部分與所述第一基板的所述外部部分的邊緣和所述第二基板的所述外部部分的邊緣分開50μm至100μm的位置處。
6.一種顯示裝置,包括:
顯示區;
圍繞所述顯示區并且包括密封區的非顯示區;
包括中心部分和外部部分的第一基板,所述中心部分包括在所述顯示區中的部分,所述外部部分包括在所述密封區中的部分;
包括中心部分和外部部分的第二基板,所述中心部分包括在所述顯示區中的部分,所述外部部分包括在所述密封區中的部分;
在所述第一基板和所述第二基板之間并且在所述密封區中的密封部分;以及
在所述第一基板的下側上的光學元件,
其中所述第二基板的所述中心部分在面對所述第一基板的一個側面上包括至少一個凹陷部分,
所述光學元件在對應于所述凹陷部分的部分處,
所述第一基板的所述中心部分的厚度不同于所述第一基板的所述外部部分的厚度,并且
所述第二基板的所述中心部分的厚度不同于所述第二基板的所述外部部分的厚度。
7.根據權利要求6所述的顯示裝置,其中,
所述第一基板的所述中心部分的所述厚度和所述第二基板的所述中心部分的所述厚度中的每個大于所述第一基板的所述外部部分的所述厚度和所述第二基板的所述外部部分的所述厚度中的每個。
8.根據權利要求7所述的顯示裝置,其中,
所述第一基板的所述外部部分在沿著所述第一基板的所述中心部分的水平方向的兩個相對的側面上包括第一外部部分和第二外部部分,
所述第二基板的所述外部部分在沿著所述第二基板的所述中心部分的水平方向的兩個相對的側面上包括第一外部部分和第二外部部分,
所述第一基板的所述第一外部部分的厚度不同于所述第一基板的所述第二外部部分的厚度,并且
所述第二基板的所述第一外部部分的厚度不同于所述第二基板的所述第二外部部分的厚度。
9.根據權利要求8所述的顯示裝置,其中,
所述第一基板的所述第一外部部分的所述厚度、所述第一基板的所述第二外部部分的所述厚度、所述第二基板的所述第一外部部分的所述厚度和所述第二基板的所述第二外部部分的所述厚度中的每個小于或等于0.25mm。
10.一種用于制造顯示裝置的方法,包括:
將第一耐酸膜附接至基板的上側,并且將第二耐酸膜附接至所述基板的下側;
將第一金屬圖案部分設置在所述第一耐酸膜的部分上,并且將第二金屬圖案部分設置在所述第二耐酸膜的部分上;
將紫外線輻射在所述第一耐酸膜的其中所述第一金屬圖案部分不在所述第一耐酸膜上的暴露的部分的上側上,并且將所述紫外線輻射在所述第二耐酸膜的其中所述第二金屬圖案部分不在所述第二耐酸膜上的暴露的部分的下側上;
去除所述第一耐酸膜的所述暴露的部分和所述第二耐酸膜的所述暴露的部分;以及
蝕刻所述基板的所述上側的其中去除了所述第一耐酸膜的部分,和蝕刻所述基板的所述下側的其中去除了所述第二耐酸膜的部分,
其中所述基板的外部部分對應于所述基板的其中去除了所述第一耐酸膜的所述部分,并且
所述基板的凹陷部分對應于所述基板的其中去除了所述第二耐酸膜的所述部分。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于三星顯示有限公司,未經三星顯示有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202010824872.5/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





