[發(fā)明專利]一種表征納米材料穩(wěn)定性的方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010824858.5 | 申請(qǐng)日: | 2020-08-17 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN111965391B | 公開(kāi)(公告)日: | 2023-07-14 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 沈彩;陳立杭;劉兆平 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中國(guó)科學(xué)院寧波材料技術(shù)與工程研究所 |
| 主分類號(hào): | G01Q60/24 | 分類號(hào): | G01Q60/24;G01Q30/20 |
| 代理公司: | 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人: | 楊威 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 表征 納米 材料 穩(wěn)定性 方法 | ||
本發(fā)明提供了一種表征納米材料穩(wěn)定性的方法,包括以下步驟:a)采用原子力顯微鏡的峰值力輕敲模式對(duì)待測(cè)的納米材料進(jìn)行原位掃描,得到不同時(shí)間的形貌圖;b)通過(guò)對(duì)步驟a)得到的不同時(shí)間的形貌圖中選擇區(qū)域的面積變化,確定納米刻蝕的速率,得到納米材料穩(wěn)定性的表征結(jié)果。與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明提供得方法首次提出通過(guò)原子力顯微鏡的峰值力輕敲模式對(duì)納米材料穩(wěn)定性進(jìn)行表征,該方法操作簡(jiǎn)單、易于控制、穩(wěn)定性好,并且表征結(jié)果直觀、可靠,為研究納米材料的穩(wěn)定性提供了新的方法和思路。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及納米材料表征技術(shù)領(lǐng)域,更具體地說(shuō),是涉及一種表征納米材料穩(wěn)定性的方法。
背景技術(shù)
近年來(lái),由于納米材料的獨(dú)特的、優(yōu)異的物理和化學(xué)性能,隨著不斷的研究和發(fā)展,納米技術(shù)越來(lái)越成熟,運(yùn)用的范圍也越來(lái)越廣泛。同時(shí),為了更加深入的探究微觀納米尺度的形貌,結(jié)構(gòu)和性能,納米材料的表征技術(shù)也在不斷的提升。常用的微觀納米表征技術(shù)包括掃描電子顯微鏡(SEM),透射電子顯微鏡(TEM),掃描隧道顯微鏡(STM),原子力顯微鏡(AFM)等。根據(jù)不同的需求、不同的樣品性質(zhì)和不同的實(shí)驗(yàn)條件選擇不同的表征工具,能夠得到的表征結(jié)果也大不相同。
自1986年AFM發(fā)明以來(lái),由于可以在真空、大氣甚至液下操作,既可以檢測(cè)導(dǎo)體、半導(dǎo)體表面,也可以檢測(cè)絕緣體表面,因此迅速發(fā)展成研究納米科學(xué)的重要工具。其原理是探針針尖和樣品表面之間的作用力會(huì)使懸臂梁發(fā)生彎曲或偏移;而當(dāng)探針在樣品表面進(jìn)行掃描時(shí),光電探測(cè)器通過(guò)懸臂梁的彎曲度或偏轉(zhuǎn)度,之后通過(guò)計(jì)算機(jī)處理,可生成表面形貌的圖像。通常而言,AFM的成像模式包括接觸模式(Contact?Mode)和輕敲模式(TappingMode),其中接觸模式是當(dāng)掃描管引導(dǎo)針尖在樣品上方掃過(guò)(或樣品在針尖下方移動(dòng))時(shí),接觸作用力使懸臂發(fā)生彎曲,保持懸臂的彎曲量恒定,從而反映出形貌的起伏;而輕敲模式探針在樣品上方以固定頻率(10~1000kHz)振動(dòng),當(dāng)掃描管在樣品表面移動(dòng)時(shí),掃描管通過(guò)上下運(yùn)動(dòng)保持探針懸臂振幅不變,從而獲取表面形貌信息。此外,AFM不僅可用于成像,還可以對(duì)材料進(jìn)行納米操作,如納米刻蝕。基于原子力顯微鏡常見(jiàn)的納米刻蝕的方法主要有:(1)納米刮痕法;利用傳統(tǒng)的接觸模式,讓針尖始終與樣品表面保持接觸狀態(tài),通過(guò)掃描管移動(dòng)修改或去除局部樣品表面,獲得任意納米結(jié)構(gòu);其缺點(diǎn)在于直接與樣品接觸,掃描的過(guò)程中會(huì)產(chǎn)生橫向剪切力,對(duì)樣品表面及探針都會(huì)造成損傷。(2)AFM電刻蝕法;其原理是通過(guò)在AFM探針尖端和局部樣品表面之間構(gòu)建的納米級(jí)電場(chǎng)實(shí)現(xiàn)AFM刻蝕,包括以下兩種類型的機(jī)制:一種是電化學(xué)機(jī)制,探針與樣品之間的電壓足夠引起電化學(xué)/化學(xué)腐蝕,形成氧化產(chǎn)物修飾局部樣品表面;另一種是基于電物理過(guò)程,在探針與樣品的納米間隙中發(fā)生放電現(xiàn)象,可能還存在電擊穿現(xiàn)象,從而去除或修飾樣品表面;該方法受到樣品表面導(dǎo)電的限制,在絕緣體和半導(dǎo)體表面的應(yīng)用受限。上述兩種方法均是利用了原子力顯微鏡進(jìn)行刻蝕,具有高的空間分辨率,靈活的操作,同時(shí)還能進(jìn)行原位表征等優(yōu)點(diǎn)。近年來(lái),AFM成像模式進(jìn)一步得到優(yōu)化,產(chǎn)生了峰值力輕敲(Peak?Force?Tapping)模式。其原理是采用固定頻率在樣品表面的每一個(gè)像素處做一次力曲線。做力曲線的過(guò)程中,探針施加給樣品的力的最大值稱為峰值力(Peak?Force),利用峰值力做反饋,通過(guò)掃描管的移動(dòng)來(lái)保持探針和樣品之間的峰值力恒定,從而反應(yīng)出樣品的形貌。與輕敲模式相比,峰值力輕敲模式的懸臂共振頻率小,因此其優(yōu)勢(shì)在于探針和樣品之間的作用力很小,對(duì)樣品表面的影響很小。理論上,峰值力輕敲模式對(duì)樣品沒(méi)有損傷,可用于生物樣品等脆弱樣品的成像觀察。
但是,目前還沒(méi)有關(guān)于基于AFM的峰值力輕敲模式作為對(duì)納米材料穩(wěn)定性的表征手段的報(bào)導(dǎo)。
發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此,本發(fā)明的目的在于提供一種表征納米材料穩(wěn)定性的方法,該方法通過(guò)原子力顯微鏡的峰值力輕敲模式對(duì)納米材料穩(wěn)定性進(jìn)行表征,操作簡(jiǎn)單、易于控制、穩(wěn)定性好,并且表征結(jié)果直觀、可靠。
本發(fā)明提供了一種表征納米材料穩(wěn)定性的方法,包括以下步驟:
a)采用原子力顯微鏡的峰值力輕敲模式對(duì)待測(cè)的納米材料進(jìn)行原位掃描,得到不同時(shí)間的形貌圖;
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于中國(guó)科學(xué)院寧波材料技術(shù)與工程研究所,未經(jīng)中國(guó)科學(xué)院寧波材料技術(shù)與工程研究所許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買(mǎi)此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
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G01Q 掃描探針技術(shù)或設(shè)備;掃描探針技術(shù)的應(yīng)用,例如,掃描探針顯微術(shù)[SPM]
G01Q60-00 特殊類型的SPM [掃描探針顯微術(shù)]或其設(shè)備;其基本組成
G01Q60-02 .多個(gè)類型SPM,即包括兩種或更多種SPM技術(shù)
G01Q60-10 .STM [掃描隧道顯微術(shù)]或其設(shè)備,例如STM探針
G01Q60-18 .SNOM [掃描近場(chǎng)光學(xué)顯微術(shù)]或其設(shè)備,例如,SNOM探針
G01Q60-24 .AFM [原子力顯微術(shù)]或其設(shè)備,例如AFM探針
G01Q60-44 .SICM [掃描離子電導(dǎo)顯微術(shù)]或其設(shè)備,例如SICM探針
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