[發明專利]一種微納米紋理無縫拼接的紋理模具的制備工藝在審
| 申請號: | 202010821640.4 | 申請日: | 2020-08-15 |
| 公開(公告)號: | CN111935910A | 公開(公告)日: | 2020-11-13 |
| 發明(設計)人: | 余雅;黃宇正;陳德全;王鈺;鐘均勝 | 申請(專利權)人: | 伯恩創盛技術研發(惠州)有限公司 |
| 主分類號: | H05K3/00 | 分類號: | H05K3/00 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 516221 廣東省惠州*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 納米 紋理 無縫 拼接 模具 制備 工藝 | ||
本發明公開了一種微納米紋理無縫拼接的紋理模版的制備工藝,采用菲林片遮擋、UV局部曝光的方式實現微納米無縫拼接,通過CCD抓取上下平臺靶標定位,設定不同的行距和列距實現多模排版,可使單膜拼接成多膜,從而解決了紋理母模開發周期長,開發成本高,且本發明的制備工藝通過單模拼接成多模的方式,可快速實現多模生產,提高生產效率,降低開發成本。
技術領域
本發明涉及菲林模具制備技術領域,尤其涉及一種微納米紋理無縫拼接的紋理模具的制備工藝。
背景技術
現有技術主要采用先將單模紋理轉印于PC板上,然后采用CNC技術將部分區域的紋理或多種紋理單獨的銑出來,再根據紋理拼接排版圖進行裝配,再將裝配好的紋理模具完整的轉印至PC板上?,F有技術具有以下的缺陷:
1.采用CNC技術銑出來的單模紋理公差較大。
2.在銑單模紋理時,易造成損傷(如異色、臟污、劃傷等不良)。
3.CNC銑單模紋理時,邊緣區域易出現崩邊造成紋理缺失。
4.CNC銑出來的單模紋理和邊框在裝配后,接縫處分膜困難,易出現積膠和氣泡等問題。
發明內容
本發明的目在于提供一種能夠實現微納米紋理無縫拼接的紋理模具的制備工藝。
為實現上述的目的,本發明采用以下的技術方案:
一種微納米紋理無縫拼接的紋理模具的制備工藝,包括以下步驟:
S1、將感光材料涂覆于基板上,并通過預烤、曝光、顯影 ,制得紋理模具及玻璃靶標模具C;
S2、將紋理模具C上的紋理進行轉印,在其紋理面施加UV膠水,在UV膠水上覆蓋PET膜片,并通過壓印、UV預固化后,將紋理模具C與PET膜片分離,使紋理轉印至PET膜片上,制得紋理膜片A;
S3、將涂布有感光材料的PET基材置于光繪機中,根據所需圖案對PET基材表面的感光涂層進行掃描,然后將已光刻的PET基材經過顯影、定影、清洗以及干燥處理后,制得具有紋理外形的菲林片B;
S4、將紋理膜片A和菲林片B貼合,制得菲林母模D;
S5、將玻璃靶標模具C固定于UV轉印機臺作業平臺上,將PC板置于作業面置于玻璃靶標模具C上面,將靶標紋理轉印至PC板上,制得PC紋理靶標E;
S6、根據PC紋理靶標E的標靶位置將除第一模外的其它多模位置貼上保護膜,并將貼合保護膜的PC紋理靶標E置于機臺作業平臺上,將機臺上平臺的菲林母模D的紋理轉印到PC紋理靶標E的第一模的位置;
S7、PC紋理靶標E的已轉印有紋理的第一模位置貼覆保護膜,并將未覆蓋區域的膠水清楚,撕掉第二模的保護膜;
S8、操作機臺使上平臺的菲林母模D的紋理轉印到PC紋理靶標E上的第二模位置;
S9、重復步驟S7-S8,直到所有的排板完成,制得PC紋理模具E1。
在本發明的一個實施例中,步驟S1將感光材料涂覆于基板上,并通過預烤、曝光、顯影 ,制得紋理模具及玻璃靶標模具C,包括:過涂布工藝將感光性樹脂光阻覆蓋在基板上,并進行預烤100-300s,預烤溫度為100-150℃,然后通過曝光顯影將微納米級紋理制作在基板上,0mW曝光能量≤200mW,UV燈波長為365-425nm,顯影液采用TMAH溶液,顯影液電導率為10-60us/cm、溫度為23±2℃,顯影時間為20-240s,并經純水洗、吹干、烘烤固化,烘烤時間為1-2h,烘烤溫度為100-150℃,制得紋理模具及玻璃靶標模具C。
優選的,S2中UV轉印的滾輪壓力0.2-0.6MPa、走速為0.1-2mm/sec、固化能量為400-800mJ/cm2。
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