[發明專利]一種微納米紋理無縫拼接的紋理模具的制備工藝

在審

• 申請號: 202010821640.4
• 申請日: 2020-08-15
• 公開（公告）號: CN111935910A
• 公開（公告）日: 2020-11-13
• 發明（設計）人: 余雅;黃宇正;陳德全;王鈺;鐘均勝
• 申請（專利權）人: 伯恩創盛技術研發（惠州）有限公司
• 主分類號: H05K3/00
• 分類號: H05K3/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種微納米紋理無縫拼接的紋理模具的制備工藝，其特征在于，包括以下步驟：

S1、將感光材料涂覆于基板上，并通過預烤、曝光、顯影 ，制得紋理模具及玻璃靶標模具C；

S2、將紋理模具C上的紋理進行轉印，在其紋理面施加UV膠水，在UV膠水上覆蓋PET膜片，并通過壓印、UV預固化后，將紋理模具C與PET膜片分離，使紋理轉印至PET膜片上，制得紋理膜片A；

S3、將涂布有感光材料的PET基材置于光繪機中，根據所需圖案對PET基材表面的感光涂層進行掃描，然后將已光刻的PET基材經過顯影、定影、清洗以及干燥處理后，制得具有紋理外形的菲林片B；

S4、將紋理膜片A和菲林片B貼合，制得菲林母模D；

S5、將玻璃靶標模具C固定于UV轉印機臺作業平臺上，將PC板置于作業面置于玻璃靶標模具C上面，將靶標紋理轉印至PC板上，制得PC紋理靶標E；

S6、根據PC紋理靶標E的標靶位置將除第一模外的其它多模位置貼上保護膜，并將貼合保護膜的PC紋理靶標E置于機臺作業平臺上，將機臺上平臺的菲林母模D的紋理轉印到PC紋理靶標E的第一模的位置；

S7、PC紋理靶標E的已轉印有紋理的第一模位置貼覆保護膜，并將未覆蓋區域的膠水清楚，撕掉第二模的保護膜；

S8、操作機臺使上平臺的菲林母模D的紋理轉印到PC紋理靶標E上的第二模位置；

S9、重復步驟S7-S8，直到所有的排板完成，制得PC紋理模具E1。

2.根據權利要求1所述的一種微納米紋理無縫拼接的紋理模具的制備工藝，其特征在于，步驟S1將感光材料涂覆于基板上，并通過預烤、曝光、顯影 ，制得紋理模具及玻璃靶標模具C，包括：通過涂布工藝將感光性樹脂光阻覆蓋在基板上，并進行預烤100-300s，預烤溫度為100-150℃，然后通過曝光顯影將微納米級紋理制作在基板上，0mW曝光能量≤200mW，UV燈波長為365-425nm，顯影液采用TMAH溶液，顯影液電導率為10-60us/cm、溫度為23±2℃，顯影時間為20-240s，并經純水洗、吹干、烘烤固化，烘烤時間為1-2h，烘烤溫度為100-150℃，制得紋理模具及玻璃靶標模具C。

3.根據權利要求1所述的一種微納米紋理無縫拼接的紋理模具的制備工藝，其特征在于：S2中UV轉印的滾輪壓力0.2-0.6MPa、走速為0.1-2mm/sec、固化能量為400-800mJ/cm²。

4.根據權利要求3所述的一種微納米紋理無縫拼接的紋理模具的制備工藝，其特征在于：步驟S2之后還包括UV固化機對S2中的紋理膜片A進行老化處理，設置能量500-550mJ/cm2，走速2-2.5m/min，重復次數8-10次；以及將已老化為紋理膜片A進行邊鐳切處理，長寬較紋理邊緣單邊外擴20-50mm，鐳切功率為50w，鐳切速度25mm/s。

5.根據權利要求1所述的一種微納米紋理無縫拼接的紋理模具的制備工藝，其特征在于：步驟中S4將紋理膜片A和菲林片B貼合，制得菲林母模D，包括：將紋理膜片A和菲林片B分別固定在貼合機臺工位上，分別進行精度CCD抓靶，按下翻轉平臺真空按鈕，啟動貼合作業，滾輪壓力0.3Mpa，滾輪速度5m/min，組合半成品菲林母模，再置于脫泡機進行脫泡，壓力6KG，溫度＜40℃，脫泡時間1200s，制作成成品菲林母模D。

6.根據權利要求1所述的一種微納米紋理無縫拼接的紋理模具的制備工藝，其特征在于：步驟S5將玻璃靶標模具C固定于UV轉印機臺作業平臺上，將PC板置于作業面置于玻璃靶標模具C上面，將靶標紋理轉印至PC板上，制得PC紋理靶標E，包括：將玻璃靶標模具C固定于UV轉印機臺作業平臺上，調整機臺作業參數，滾輪速度1mm/s，滾輪壓力0.4Mpa，UV曝光能量600-800mj/cm²；用塑膠吸管吸取適量UV膠水，在玻璃靶標模具C首端距離邊緣2cm處，將膠水擠出成一條與玻璃靶標模具C外形平行的直線，將PC板保護膜撕除，作業面置于玻璃靶標模具C上面，且四邊平齊，操作機臺將靶標紋理轉印至PC板上，制得PC紋理靶標E。