[發(fā)明專利]賽道存儲器及其讀寫方法、賽道存儲裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010821163.1 | 申請日： | 2020-08-14 |
| 公開（公告）號： | CN111951846B | 公開（公告）日： | 2022-10-28 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 葉智爽 | 申請（專利權(quán)）人： | 長江存儲科技有限責任公司 |
| 主分類號： | G11C11/16 | 分類號： | G11C11/16 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44570 | 代理人： | 楊艇要 |
| 地址： | 430205 湖北省武漢*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 賽道 存儲器 及其 讀寫 方法 存儲 裝置 | ||
一種賽道存儲器，其包括磁納米管、第一寫入磁隧道結(jié)、第一讀取磁隧道結(jié)、以及記憶體，其中記憶體連接第一寫入磁隧道結(jié)和第一讀取磁隧道結(jié)，用以暫存通過第一讀取磁隧道結(jié)得到的存儲數(shù)據(jù)，并通過第一寫入磁隧道結(jié)將其以斯格明子的形式再次寫入至多個第一存儲單元中。通過引入記憶體，使存儲數(shù)據(jù)得以復位外，更提升了磁納米管的存儲密度。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及存儲器領(lǐng)域，尤其涉及一種賽道存儲器及其讀寫方法、賽道存儲裝置。
背景技術(shù)
磁隨機存儲器(magnetic random access memory，MRAM)是以磁隧道結(jié)的隧道磁阻(tunnel magnetoresistance，TMR)為原理的新型非易失性(non-volatile)隨機存儲器，其在速度、面積、寫入次數(shù)、以及功耗方面均有適當?shù)谋憩F(xiàn)，因此被業(yè)界認為是構(gòu)建下一代非易失性的緩存和主存的潛在存儲器。
在現(xiàn)行的賽道存儲器中，由于其中的磁納米管需要在橫跨讀取磁隧道結(jié)的一端預留沒有寫入斯格明子的存儲單元，使讀取磁隧道結(jié)在完成讀取寫入有斯格明子的存儲單元中的斯格明子后可以繼續(xù)將讀取后的斯格明子向前推移，避免存儲數(shù)據(jù)消失且無法復位的問題，但如此卻造成磁納米管的存儲密度降低。
因此，有必要提供一種賽道存儲器及其讀寫方法、賽道存儲裝置，以解決上述的問題。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種賽道存儲器及其讀寫方法、賽道存儲裝置。
為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明第一方面提供一種賽道存儲器，包括：
磁納米管，沿第一方向依次延伸為第一寫入?yún)^(qū)、第一存儲區(qū)、以及第一讀取區(qū)，包括設(shè)置于所述第一存儲區(qū)的多個第一存儲單元，每個第一存儲單元用以存儲具有不同自旋方向的斯格明子；
第一寫入磁隧道結(jié)，裝置于所述第一寫入?yún)^(qū)，并沿所述磁納米管的表面設(shè)置，用以將存儲數(shù)據(jù)以斯格明子的形式寫入至所述多個第一存儲單元中；
第一讀取磁隧道結(jié)，裝置于所述第一讀取區(qū)，并沿所述磁納米管的表面設(shè)置，用以讀取寫入有斯格明子的第一存儲單元中的斯格明子，并根據(jù)其自旋方向來得到以不同數(shù)字表示的存儲數(shù)據(jù)；以及
記憶體，連接所述第一寫入磁隧道結(jié)以及所述第一讀取磁隧道結(jié)，用以暫存通過所述第一讀取磁隧道結(jié)得到的存儲數(shù)據(jù)，并通過所述第一寫入磁隧道結(jié)將其以斯格明子的形式再次寫入至所述多個第一存儲單元中。
可選地，所述磁納米管沿所述第一方向并在所述第一讀取區(qū)后還依序包括第二存儲區(qū)和第二寫入?yún)^(qū)，所述第二存儲區(qū)包括多個第二存儲單元，每個第二存儲單元用以存儲具有不同自旋方向的斯格明子，所述第二寫入?yún)^(qū)裝置有第二寫入磁隧道結(jié)，并沿所述磁納米管的表面設(shè)置，用以將存儲數(shù)據(jù)以斯格明子的形式寫入至所述多個第二存儲單元中，并且所述第一讀取磁隧道結(jié)還用以讀取寫入有斯格明子的第二存儲單元中的斯格明子，并根據(jù)其自旋方向來得到以不同數(shù)字表示的存儲數(shù)據(jù)。
進一步地，所述記憶體還連接所述第二寫入磁隧道結(jié)，用以暫存通過所述第一讀取磁隧道結(jié)得到的存儲數(shù)據(jù)，并通過所述第二寫入磁隧道結(jié)將其以斯格明子的形式再次寫入至所述多個第二存儲單元中。
可選地，所述磁納米管沿所述第一方向并在所述第一讀取區(qū)后還依序包括有第二存儲區(qū)和第二讀取區(qū)，所述第二存儲區(qū)包括多個第二存儲單元，每個第二存儲單元用以存儲具有不同自旋方向的斯格明子，所述第一寫入磁隧道結(jié)還用以將存儲數(shù)據(jù)以斯格明子的形式寫入所述多個第二存儲單元中，并且所述第二讀取區(qū)裝置有第二讀取磁隧道結(jié)，其沿所述磁納米管的表面設(shè)置，用以讀取寫入有斯格明子的第二存儲單元中的斯格明子，并根據(jù)其自旋方向來得到以不同數(shù)字表示的存儲據(jù)。
進一步地，所述記憶體還連接所述第二讀取磁隧道結(jié)，用以暫存通過所述第二讀取磁隧道結(jié)得到的存儲數(shù)據(jù)，并通過所述第一寫入磁隧道結(jié)將其以斯格明子的形式再次寫入至所述多個第二存儲單元中。
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