[發明專利]賽道存儲器及其讀寫方法、賽道存儲裝置

有效

• 申請號: 202010821163.1
• 申請日: 2020-08-14
• 公開（公告）號: CN111951846B
• 公開（公告）日: 2022-10-28
• 發明（設計）人: 葉智爽
• 申請（專利權）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: G11C11/16
• 分類號: G11C11/16
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 楊艇要

1.一種賽道存儲器，其特征在于，包括：

磁納米管，沿第一方向依次延伸為第一寫入區、第一存儲區、以及第一讀取區，包括設置于所述第一存儲區的多個第一存儲單元，每個第一存儲單元用以存儲具有不同自旋方向的斯格明子；

第一寫入磁隧道結，裝置于所述第一寫入區，并沿所述磁納米管的表面設置，用以將存儲數據以斯格明子的形式寫入至所述多個第一存儲單元中，其中，每個被寫入所述多個第一存儲單元中的斯格明子，具有對應特定的所述多個第一存儲單元中的一個位置的校驗碼；

第一讀取磁隧道結，裝置于所述第一讀取區，并沿所述磁納米管的表面設置，用以讀取寫入有斯格明子的第一存儲單元中的斯格明子，并根據其自旋方向來得到以不同數字表示的存儲數據；以及

記憶體，連接所述第一寫入磁隧道結以及所述第一讀取磁隧道結，用以暫存通過所述第一讀取磁隧道結得到的存儲數據，并通過所述第一寫入磁隧道結將其以斯格明子的形式再次寫入至所述多個第一存儲單元中，其中，所述記憶體根據所述校驗碼將通過所述第一讀取磁隧道結得到的存儲數據以斯格明子的形式正確地再次寫入至所述特定的所述多個第一存儲單元中的一個。

2.根據所述權利要求1所述的賽道存儲器，其特征在于：所述磁納米管沿所述第一方向并在所述第一讀取區后還依序包括第二存儲區和第二寫入區，所述第二存儲區包括多個第二存儲單元，每個第二存儲單元用以存儲具有不同自旋方向的斯格明子，所述第二寫入區裝置有第二寫入磁隧道結，并沿所述磁納米管的表面設置，用以將存儲數據以斯格明子的形式寫入至所述多個第二存儲單元中，并且所述第一讀取磁隧道結還用以讀取寫入有斯格明子的第二存儲單元中的斯格明子，并根據其自旋方向來得到以不同數字表示的存儲數據。

3.根據所述權利要求2所述的賽道存儲器，其特征在于：所述記憶體還連接所述第二寫入磁隧道結，用以暫存通過所述第一讀取磁隧道結得到的存儲數據，并通過所述第二寫入磁隧道結將其以斯格明子的形式再次寫入至所述多個第二存儲單元中。

4.根據所述權利要求1所述的賽道存儲器，其特征在于：所述磁納米管沿所述第一方向并在所述第一讀取區后還依序包括有第二存儲區和第二讀取區，所述第二存儲區包括多個第二存儲單元，每個第二存儲單元用以存儲具有不同自旋方向的斯格明子，所述第一寫入磁隧道結還用以將存儲數據以斯格明子的形式寫入所述多個第二存儲單元中，并且所述第二讀取區裝置有第二讀取磁隧道結，其沿所述磁納米管的表面設置，用以讀取寫入有斯格明子的第二存儲單元中的斯格明子，并根據其自旋方向來得到以不同數字表示的存儲據。

5.根據所述權利要求4所述的賽道存儲器，其特征在于：所述記憶體還連接所述第二讀取磁隧道結，用以暫存通過所述第二讀取磁隧道結得到的存儲數據，并通過所述第一寫入磁隧道結將其以斯格明子的形式再次寫入至所述多個第二存儲單元中。

6.根據所述權利要求1所述的賽道存儲器，其特征在于：所述記憶體為快取記憶體(cache memory)。

7.根據所述權利要求4或5所述的賽道存儲器，其特征在于：每個被寫入所述多個第二存儲單元中的斯格明子，具有對應特定的所述多個第二存儲單元中的一個位置的校驗碼，所述記憶體根據所述校驗碼將通過所述第一讀取磁隧道結和所述第二讀取磁隧道結得到的存儲數據以斯格明子的形式正確地再次寫入至所述特定的所述多個第二存儲單元中的一個。

8.根據所述權利要求3或5所述的賽道存儲器，其特征在于：所述多個第一存儲單元與所述多個第二存儲單元均寫入有斯格明子。