[發明專利]高粘度光刻膠的涂膠方法

在審

• 申請號: 202010821046.5
• 申請日: 2020-08-14
• 公開（公告）號: CN111905989A
• 公開（公告）日: 2020-11-10
• 發明（設計）人: 賀曉彬;張青竹;殷華湘;李俊峰;李亭亭;劉金彪
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: B05D1/00
• 分類號: B05D1/00;B05D1/26;G03F7/16
• 代理公司: 北京辰權知識產權代理有限公司 11619
• 代理人: 金銘

本發明涉及半導體制造工藝技術領域，具體涉及一種高粘度光刻膠的涂膠方法，包括以下步驟：真空吸盤帶動所述晶圓旋轉；滴膠裝置移動至晶圓的邊緣處進行滴膠，接著所述滴膠裝置沿著所述晶圓的徑向朝所述晶圓的中心移動；所述滴膠裝置到達所述晶圓的中心進行再次滴膠。本申請通過先邊緣后中心的滴膠方法，使得高粘度光刻膠的涂敷更加均勻；且可以節省光刻膠用量。

技術領域

本發明涉及半導體制造工藝技術領域，具體涉及一種高粘度光刻膠的涂膠方法。

背景技術

涂膠是光刻的基本工藝，涂膠的質量會直接影響到光刻效果。因此，最后形成的膠膜需要均勻。傳統的涂膠方式主要是通過光刻膠噴嘴在晶圓的中心位置噴膠，然后讓硅片旋轉，通過離心力的作用使光刻膠涂覆在晶圓上。但是對于高粘度光刻膠來說，形成一個比較均勻的膠膜比較困難，而且邊緣容易出現無法涂覆的問題，且噴涂量需要很大。

發明內容

為克服上述技術問題，本發明提出一種高粘度光刻膠的涂膠方法，使得晶圓的涂膠更加均勻。

為了實現上述目的，本發明提供了一種高粘度光刻膠的涂膠方法，包括以下步驟：

真空吸盤帶動所述晶圓旋轉；

滴膠裝置移動至晶圓的邊緣處進行滴膠，接著所述滴膠裝置沿著所述晶圓的徑向朝所述晶圓的中心移動；

所述滴膠裝置到達所述晶圓的中心進行再次滴膠。

附圖說明

通過閱讀下文優選實施方式的詳細描述，各種其他的優點和益處對于本領域普通技術人員將變得清楚明了。附圖僅用于示出優選實施方式的目的，而并不認為是對本發明的限制。而且在整個附圖中，用相同的參考符號表示相同的部件。在附圖中：

圖1為本發明實施例中未滴膠的晶圓和滴膠裝置的位置圖，A為滴膠裝置滴膠前的位置；

圖2為本發明實施例中滴膠裝置在晶圓邊緣處滴膠的示意圖，A為滴膠裝置滴膠前的位置；

圖3為本發明實施例中滴膠裝置在晶圓中心滴膠的示意圖，A為滴膠裝置滴膠前的位置；

圖4為傳統滴膠方法處理后晶圓圖；

圖5為本發明實施例中滴膠處理后晶圓圖。

具體實施方式

以下，將參照附圖來描述本公開的實施例。但是應該理解，這些描述只是示例性的，而并非要限制本公開的范圍。此外，在以下說明中，省略了對公知結構和技術的描述，以避免不必要地混淆本公開的概念。

在附圖中示出了根據本公開實施例的各種結構示意圖。這些圖并非是按比例繪制的，其中為了清楚表達的目的，放大了某些細節，并且可能省略了某些細節。圖中所示出的各種區域、層的形狀以及它們之間的相對大小、位置關系僅是示例性的，實際中可能由于制造公差或技術限制而有所偏差，并且本領域技術人員根據實際所需可以另外設計具有不同形狀、大小、相對位置的區域/層。

在本公開的上下文中，當將一層/元件稱作位于另一層/元件“上”時，該層/元件可以直接位于該另一層/元件上，或者它們之間可以存在居中層/元件。另外，如果在一種朝向中一層/元件位于另一層/元件“上”，那么當調轉朝向時，該層/元件可以位于該另一層/元件“下”。

本發明的實施例涉及一種高粘度光刻膠的涂膠方法，光刻膠的粘度大于500cp，光刻膠涂布于直徑為200mm的晶圓10面上，晶圓10離心機的真空吸盤上，晶圓10方設置有滴膠裝置，包括以下步驟：

如圖1-3所示，真空吸盤帶動晶圓10旋轉，滴膠裝置移動至晶圓10邊緣處進行滴膠，其中，邊緣處與晶圓10邊沿的水平距離為40-60mm，具體地，滴膠位置太靠近晶圓中心效果不明顯，太靠近晶圓邊緣則會影響涂膠效果。