[發明專利]電子束正膠的曝光方法

有效

• 申請號: 202010821044.6
• 申請日: 2020-08-14
• 公開（公告）號: CN111999987B
• 公開（公告）日: 2023-05-02
• 發明（設計）人: 賀曉彬;張青竹;殷華湘;李俊峰;劉金彪;李亭亭
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20
• 代理公司: 北京辰權知識產權代理有限公司 11619
• 代理人: 金銘

本發明涉及光刻工藝技術領域，具體涉及一種電子束正膠的曝光方法，包括以下步驟：提供器件版圖；根據刻蝕工藝的具體需求，選擇電子束正膠的厚度；將所述器件版圖的設計尺寸縮小以作為實驗尺寸；根據所述實驗尺寸以及選擇的電子束正膠的厚度進行電子束曝光實驗，調整曝光劑量來使光刻膠完全感光，以使所述實驗尺寸曝光至所述設計尺寸，得到曝光劑量?各設計尺寸的對應關系；根據曝光劑量?設計尺寸的對應關系，根據待曝光的晶圓的設計尺寸施加對應的曝光劑量。

技術領域

本發明涉及光刻工藝技術領域，具體涉及一種電子束正膠的曝光方法。

背景技術

電子束直寫光刻具有分辨率高、不需要光刻版等優點。使用電子束直寫工藝可以得到光學光刻很難實現的小尺寸圖形，而且電子束曝光不需要光刻版，可以直接通過圖形軟件，將器件版圖直接導入，并按照器件版圖來曝光。

電子束正膠是在曝光孔圖形以及槽式圖形必須使用的光刻膠，其曝光部分會被顯影液顯影掉。由于電子束曝光效率很低，曝光面積越大，所需要的時間也就越多，因此，當需要制作孔或者槽時，就必須使用正膠來作為圖形掩蔽層。

隨著電子束圖形尺寸的減小，需要使用較薄的光刻膠才能使圖形尺寸做到很小。但由于電子束正膠同時需要當做刻蝕的阻擋層，膠厚需要達到一定厚度才能使用。如圖1所示，當膠厚較大時，曝光存在的問題是當曝光劑量較小時無法使光刻膠200完全感光，如圖2所示，當曝光劑量太大時圖形尺寸會變大，可能無法找到合適條件來做出與設計尺寸相同的圖形。

發明內容

為克服上述技術問題，本發明提出一種電子束正膠的曝光方法，使得設計尺寸縮小的情況下，光刻膠也能夠完全感光。

為了實現上述目的，本發明提供了一種電子束正膠的曝光方法，包括以下步驟：

提供器件版圖；

根據刻蝕工藝的具體需求，選擇電子束正膠的厚度；

將所述器件版圖的設計尺寸縮小以作為實驗尺寸；

根據所述實驗尺寸以及選擇的電子束正膠的厚度進行電子束曝光實驗，調整曝光劑量來使光刻膠完全感光，以使所述實驗尺寸曝光至所述設計尺寸，得到曝光劑量-各設計尺寸的對應關系；

根據曝光劑量-設計尺寸的對應關系，根據待曝光的晶圓的設計尺寸施加對應的曝光劑量。

附圖說明

通過閱讀下文優選實施方式的詳細描述，各種其他的優點和益處對于本領域普通技術人員將變得清楚明了。附圖僅用于示出優選實施方式的目的，而并不認為是對本發明的限制。而且在整個附圖中，用相同的參考符號表示相同的部件。在附圖中：

圖1為現有技術中光刻膠未感光的結構示意圖；

圖2為現有技術中曝光劑量過大后的結構示意圖；

圖3為本發明實施例中光刻膠完全感光后的結構示意圖。

具體實施方式

以下，將參照附圖來描述本公開的實施例。但是應該理解，這些描述只是示例性的，而并非要限制本公開的范圍。此外，在以下說明中，省略了對公知結構和技術的描述，以避免不必要地混淆本公開的概念。

在附圖中示出了根據本公開實施例的各種結構示意圖。這些圖并非是按比例繪制的，其中為了清楚表達的目的，放大了某些細節，并且可能省略了某些細節。圖中所示出的各種區域、層的形狀以及它們之間的相對大小、位置關系僅是示例性的，實際中可能由于制造公差或技術限制而有所偏差，并且本領域技術人員根據實際所需可以另外設計具有不同形狀、大小、相對位置的區域/層。