[發明專利]電子束正膠的曝光方法有效
| 申請號： | 202010821044.6 | 申請日： | 2020-08-14 |
| 公開（公告）號： | CN111999987B | 公開（公告）日： | 2023-05-02 |
| 發明（設計）人： | 賀曉彬;張青竹;殷華湘;李俊峰;劉金彪;李亭亭 | 申請（專利權）人： | 中國科學院微電子研究所 |
| 主分類號： | G03F7/20 | 分類號： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京辰權知識產權代理有限公司 11619 | 代理人： | 金銘 |
| 地址： | 100029 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 電子束 曝光 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種電子束正膠的曝光方法，其特征在于，包括以下步驟：
提供器件版圖；
根據刻蝕工藝的具體需求，選擇電子束正膠的厚度；
將所述器件版圖的設計尺寸縮小以作為實驗尺寸；所述設計尺寸為10nm-30nm，所述實驗尺寸是所述設計尺寸的30％-70％；
根據所述實驗尺寸以及選擇的電子束正膠的厚度進行電子束曝光實驗，調整曝光劑量來使光刻膠完全感光，曝光劑量調高至1.2倍、1.5倍、1.8倍或2.1倍的進行曝光，以使所述實驗尺寸曝光至所述設計尺寸，得到曝光劑量-各設計尺寸的對應關系；
根據曝光劑量-各設計尺寸的對應關系，根據待曝光的晶圓的設計尺寸施加對應的曝光劑量。
2.根據權利要求1所述的電子束正膠的曝光方法，其特征在于，所述電子束正膠的厚度為1000A-6000A。
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