[發明專利]一種晶片介質膜沉積裝片裝置

在審

• 申請號: 202010820726.5
• 申請日: 2020-08-14
• 公開（公告）號: CN112086388A
• 公開（公告）日: 2020-12-15
• 發明（設計）人: 不公告發明人
• 申請（專利權）人: 北京智創芯源科技有限公司
• 主分類號: H01L21/673
• 分類號: H01L21/673;H01L21/677
• 代理公司: 北京聿宏知識產權代理有限公司 11372
• 代理人: 吳大建;朱明明

本發明提供了一種晶片介質膜沉積裝片裝置，包括：主體外殼，所述主體外殼內部為裝片操作腔，所述主體外殼底部均勻地開設有多個通風孔，所述主體外殼一側側面上開設有對接口，所述對接口處設置有能夠密封對接介質膜沉積設備的波紋伸縮接頭；過濾送風單元，所述過濾送風單元設置于主體外殼的頂部；靜壓箱，所述靜壓箱設置在所述過濾送風單元的上方并與所述過濾送風單元的送風入口連通，所述靜壓箱上設置有氣體輸入接口。本發明的裝片裝置形成有相對獨立的裝置腔體，通過向腔體內均勻的送入過濾后的清潔風并與后續介質膜沉積設備密封對接，使晶片不用再暴露于普通清潔環境，為晶片的裝片過程提供理想的工藝環境。

技術領域

本發明涉及半導體芯片加工技術領域，特別地涉及一種晶片介質膜沉積裝片裝置。

背景技術

半導體芯片制備的工序主要包括光刻、蝕刻、離子注入、鈍化、沉積等。介質膜沉積工藝主要包括表面鈍化膜沉積和金屬膜沉積，采用的主要方法有熱蒸發、離子束濺射和磁控濺射等多種手段。在進行介質膜沉積工藝前，需要對晶片進行裝片，半導體晶片材料特性決定了在裝片過程中必須對環境進行嚴格控制，控制的內容包括溫度、濕度、塵粒的尺寸、數量等，避免環境因素對晶片造成不良影響。

在目前的晶片裝片生產過程中，通常采用固定的潔凈工作臺。晶片裝片的方式一般有兩種：一是將晶片在潔凈工作臺上裝在樣品盤上，然后把樣品盤裝到設備里；二是對于易被氧化的材料則在裝片時采用液體密封的方式傳遞至潔凈工作臺，在潔凈工作臺上現將晶片吹干，然后將晶片裝在樣品盤上，然后把樣品盤裝到設備里。以上兩種裝片方式都在普通的潔凈環境中進行，凈化度有限，晶片在暴露于環境中的空氣中時，依然可能出現晶片表面吸附雜質、水汽以及發生氧化的問題。

因此，需要一種用于專用裝置，為晶片的裝片過程提供理想的工藝環境。

發明內容

針對上述現有技術中的問題，本申請提出了一種晶片介質膜沉積裝片裝置，通過向相對獨立的裝置腔體內均勻的送入過濾后的清潔風以及與后續介質膜沉積設備的密封對接，使晶片不用再暴露于普通清潔環境，為晶片的裝片過程提供理想的工藝環境。

本發明的一種晶片介質膜沉積裝片裝置，包括：

主體外殼，所述主體外殼內部為裝片操作腔，所述主體外殼底部均勻地開設有多個通風孔，所述主體外殼一側側面上開設有對接口，所述對接口處設置有能夠密封對接介質膜沉積設備的波紋伸縮接頭；

過濾送風單元，所述過濾送風單元設置于主體外殼的頂部，所述過濾送風單元用于向所述裝片操作腔中送風；

靜壓箱，所述靜壓箱設置在所述過濾送風單元的上方并與所述過濾送風單元的送風入口連通，所述靜壓箱上設置有氣體輸入接口。

在一個實施方式中，所述主體外殼相對于所述對接口所在側面的另一側側面上開設有傳片口、相鄰于所述對接口所在側面的另兩側側面上均開設有操作口。

在一個實施方式中，所述傳片口與所述操作口上均設置有能夠封閉對應開口的滑蓋。

在一個實施方式中，所述過濾送風單元內設置有風扇，所述風扇的出風方向豎直向下。

在一個實施方式中，所述氣體輸入接口包括：

壓縮空氣接口，所述壓縮空氣接口用于向所述靜壓箱中輸入壓縮空氣；

氮氣接口，所述氮氣接口用于向所述靜壓箱中輸入氮氣；

其中，所述壓縮空氣接口與所述氮氣接口上均設置有浮子流量計。

在一個實施方式中，所述靜壓箱上還設置有連通外部的空氣接口，所述空氣接口上設置有機械式壓差表。

在一個實施方式中，所述主體外殼包括主體框架與多個殼體面板，所述殼體面板安裝在所述主體框架的四周側面以及底部。