[發明專利]一種晶片介質膜沉積裝片裝置在審
| 申請號: | 202010820726.5 | 申請日: | 2020-08-14 |
| 公開(公告)號: | CN112086388A | 公開(公告)日: | 2020-12-15 |
| 發明(設計)人: | 不公告發明人 | 申請(專利權)人: | 北京智創芯源科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/673 | 分類號: | H01L21/673;H01L21/677 |
| 代理公司: | 北京聿宏知識產權代理有限公司 11372 | 代理人: | 吳大建;朱明明 |
| 地址: | 100176 北京市大興區*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 晶片 介質 沉積 裝置 | ||
1.一種晶片介質膜沉積裝片裝置,其特征在于,包括:
主體外殼,所述主體外殼內部為裝片操作腔,所述主體外殼底部均勻地開設有多個通風孔,所述主體外殼一側側面上開設有對接口,所述對接口處設置有能夠密封對接介質膜沉積設備的波紋伸縮接頭;
過濾送風單元,所述過濾送風單元設置于主體外殼的頂部,所述過濾送風單元用于向所述裝片操作腔中送風;
靜壓箱,所述靜壓箱設置在所述過濾送風單元的上方并與所述過濾送風單元的送風入口連通,所述靜壓箱上設置有氣體輸入接口。
2.根據權利要求1所述的晶片介質膜沉積裝片裝置,其特征在于,所述主體外殼相對于所述對接口所在側面的另一側側面上開設有傳片口、相鄰于所述對接口所在側面的另兩側側面上均開設有操作口。
3.根據權利要求2所述的晶片介質膜沉積裝片裝置,其特征在于,所述傳片口與所述操作口上均設置有能夠封閉對應開口的滑蓋。
4.根據權利要求1至3任一項所述的晶片介質膜沉積裝片裝置,其特征在于,所述過濾送風單元內設置有風扇,所述風扇的出風方向豎直向下。
5.根據權利要求1所述的晶片介質膜沉積裝片裝置,其特征在于,所述氣體輸入接口包括:
壓縮空氣接口,所述壓縮空氣接口用于向所述靜壓箱中輸入壓縮空氣;
氮氣接口,所述氮氣接口用于向所述靜壓箱中輸入氮氣;
其中,所述壓縮空氣接口與所述氮氣接口上均設置有浮子流量計。
6.根據權利要求1或5所述的晶片介質膜沉積裝片裝置,其特征在于,所述靜壓箱上還設置有連通外部的空氣接口,所述空氣接口上設置有機械式壓差表。
7.根據權利要求1所述的晶片介質膜沉積裝片裝置,其特征在于,所述主體外殼包括主體框架與多個殼體面板,所述殼體面板安裝在所述主體框架的四周側面以及底部。
8.根據權利要求7所述的晶片介質膜沉積裝片裝置,其特征在于,所述主體框架與安裝在所述主體框架底部的所述殼體面板均采用不銹鋼制成,安裝在所述主體框架四周側面的所述殼體面板采用有機玻璃制成。
9.根據權利要求1所述的晶片介質膜沉積裝片裝置,其特征在于,還包括用于支撐所述主體外殼的支架,所述支架底部安裝有滾輪,所述支架上設置有能夠調節支撐高度的升降結構。
10.根據權利要求9所述的晶片介質膜沉積裝片裝置,其特征在于,所述滾輪包括定向輪與萬向輪,所述滾輪上設置有鎖止結構。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





