[發明專利]光刻膠的涂膠方法

有效

• 申請號: 202010819906.1
• 申請日: 2020-08-14
• 公開（公告）號: CN111905988B
• 公開（公告）日: 2022-10-04
• 發明（設計）人: 賀曉彬;張青竹;殷華湘;李俊峰;李亭亭;劉金彪
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: B05D1/00
• 分類號: B05D1/00;B05D1/02;B05D7/00;G03F7/16
• 代理公司: 北京辰權知識產權代理有限公司 11619
• 代理人: 金銘

本發明涉及半導體制造工藝技術領域，具體涉及一種光刻膠的涂膠方法，包括以下步驟：硅片保持靜止，控制噴膠裝置移動至硅片的第一位置；控制所述硅片旋轉，所述噴膠裝置向所述硅片噴射光刻膠，加速所述硅片的旋轉，所述硅片至少在預設時間段內的旋轉速度以脈沖的方式變化。本申請將硅片的旋轉速度以脈沖的方式變化，這樣硅片邊緣的氣流更加均勻，使得涂膠的均勻性更好，避免風紋的形成。

技術領域

本發明涉及半導體制造工藝技術領域，具體涉及一種光刻膠的涂膠方法。

背景技術

在半導體器件制造和先進封裝工藝中，光刻是至關重要的步驟。光刻是指在基板(如半導體基底)上經過光刻膠涂敷、曝光、顯影等處理，將光刻掩模板(MASK)上設計好的圖案轉移到基板表面的膜層中的過程。在光刻膠涂敷工藝中，一般是將基板(如半導體基底)放入專門的涂膠裝置中，采用旋涂膠法(spin coating)或者噴涂膠法(spray coating)。

旋涂膠法是在基板上點特定量的經過稀釋的光刻膠，然后旋轉基板，通過高速旋轉時的離心力將光刻膠均勻的分布在基板上，多余的膠被甩出基板之外。噴涂膠法是將光刻膠霧化成微小顆粒，然后噴涂到基板表面。當采用旋涂膠法時，當光刻膠粘度一定時，調整涂膠厚度只能通過更改涂膠轉速來實現，為達到線寬所需要的膠厚，通常需要增加涂膠時的主轉速來降低光刻膠的膜厚。但當涂膠主轉速到4000rpm以上時，基本上維持轉速不變進行旋轉，如圖1-2所示，在硅片的邊緣就會形成風紋，從而導致膜厚均勻性較差。

發明內容

為克服上述技術問題，本發明提出一種光刻膠的涂膠方法，避免不規則的氣流在硅片邊緣形成的風紋，提高了涂膠的均勻性。

為了實現上述目的，本發明提供了一種光刻膠的涂膠方法，包括以下步驟：

硅片保持靜止，控制噴膠裝置移動至硅片的第一位置；

控制所述硅片旋轉，所述噴膠裝置向所述硅片噴射光刻膠，加速所述硅片的旋轉，所述硅片至少在預設時間段內的旋轉速度以脈沖的方式變化。

附圖說明

通過閱讀下文優選實施方式的詳細描述，各種其他的優點和益處對于本領域普通技術人員將變得清楚明了。附圖僅用于示出優選實施方式的目的，而并不認為是對本發明的限制。而且在整個附圖中，用相同的參考符號表示相同的部件。在附圖中：

圖1為現有技術中硅片旋轉速度變化曲線圖；

圖2為現有技術中硅片表面示意圖，邊緣A處形成有風紋；

圖3為本發明實施例中硅片旋轉速度變化曲線圖；

圖4為本發明實施例中硅片表面示意圖。

具體實施方式

以下，將參照附圖來描述本公開的實施例。但是應該理解，這些描述只是示例性的，而并非要限制本公開的范圍。此外，在以下說明中，省略了對公知結構和技術的描述，以避免不必要地混淆本公開的概念。

在附圖中示出了根據本公開實施例的各種結構示意圖。這些圖并非是按比例繪制的，其中為了清楚表達的目的，放大了某些細節，并且可能省略了某些細節。圖中所示出的各種區域、層的形狀以及它們之間的相對大小、位置關系僅是示例性的，實際中可能由于制造公差或技術限制而有所偏差，并且本領域技術人員根據實際所需可以另外設計具有不同形狀、大小、相對位置的區域/層。

在本公開的上下文中，當將一層/元件稱作位于另一層/元件“上”時，該層/元件可以直接位于該另一層/元件上，或者它們之間可以存在居中層/元件。另外，如果在一種朝向中一層/元件位于另一層/元件“上”，那么當調轉朝向時，該層/元件可以位于該另一層/元件“下”。

本發明的實施例涉及一種光刻膠的涂膠方法，包括以下步驟：