[發(fā)明專利]半導體裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010817443.5 | 申請日： | 2020-08-14 |
| 公開（公告）號： | CN113035932A | 公開（公告）日： | 2021-06-25 |
| 發(fā)明（設計）人： | 篠原大輔 | 申請（專利權）人： | 株式會社東芝;東芝電子元件及存儲裝置株式會社 |
| 主分類號： | H01L29/06 | 分類號： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 永新專利商標代理有限公司 72002 | 代理人： | 徐殿軍 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 裝置 | ||
1.一種半導體裝置，具備：
半導體部分，在上表面形成有凹部；
絕緣部件，設于所述凹部內(nèi)的一部分；
第一電極，具有第一部分和第二部分，該第一部分設于所述凹部內(nèi)的其他一部分，該第二部分設于比所述絕緣部件靠上方的位置；
柵極絕緣膜，設于所述半導體部分與所述第一部分之間，比所述絕緣部件薄；
源極觸點，設于所述半導體部分上；以及
漏極觸點，設于所述半導體部分上，
所述半導體部分具有：
第一導電型的第一層，與所述柵極絕緣膜相接；
第二導電型的第二層，與所述第一層相接，并與所述源極觸點連接；以及
第二導電型的第三層，與所述第一層相接，并與所述漏極觸點連接，
在從上方觀察時，所述凹部位于所述源極觸點與所述漏極觸點之間，
所述絕緣部件配置于所述第一部分與所述第三層之間。
2.如權利要求1所述的半導體裝置，
在從上方觀察時，所述第二部分的一部分配置于所述第一部分與所述漏極觸點之間。
3.如權利要求1或2所述的半導體裝置，
所述第三層與所述絕緣部件相接。
4.如權利要求1或2所述的半導體裝置，
所述凹部的側面為錐狀。
5.如權利要求1或2所述的半導體裝置，
所述絕緣部件的所述第三層側的側面與所述絕緣部件的上表面所成的第一角度為銳角。
6.如權利要求5所述的半導體裝置，
所述第一角度為10度以上且85度以下。
7.如權利要求1或2所述的半導體裝置，
所述柵極絕緣膜的表面與所述凹部的上表面所成的第二角度為銳角。
8.如權利要求1或2所述的半導體裝置，
所述第一部分配置于所述絕緣部件與所述柵極絕緣膜之間。
9.如權利要求1或2所述的半導體裝置，
所述半導體裝置還具備第二電極，該第二電極設于所述絕緣部件上、且所述第一電極與所述漏極觸點之間。
10.如權利要求1或2所述的半導體裝置，
所述半導體部分含有硅，
所述柵極絕緣膜是硅的氧化膜。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的半導體器件；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘，例如PN結耗盡層或載流子集結層的電容器或電阻器；半導體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對一個不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的
