[發明專利]多次可編程EEPROM單元的裕度測量電路

有效

• 申請號: 202010817034.5
• 申請日: 2020-08-14
• 公開（公告）號: CN112071356B
• 公開（公告）日: 2023-04-28
• 發明（設計）人: 王鑫
• 申請（專利權）人: 上海華虹宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: G11C29/50
• 分類號: G11C29/50
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 戴廣志

本申請涉及半導體存儲器件技術領域，具體涉及一種多次可編程EEPROM單元的裕度測量電路。該多次可編程EEPROM單元的裕度測量電路包括：第一數據存儲單元和第二數據存儲單元；第一參考電流源和第二參考電流源；鎖存比較器包括第一數據端和第二數據端，第一數據端的數據和第二數據端的數據互為反碼；第一控制單元用于根據控制信號控制第一數據存儲單元的數據節點或第一參考電流源的輸入端，與第一數據端導通；第二控制單元用于根據控制信號控制第二數據存儲單元的數據節點或第二參考電流源的輸入端，與第二數據端導通。本申請可以解決相關技術中難以測量雙單元結構的多次可編程EEPROM單元結構中存儲位元的電壓裕度問題。

技術領域

本申請涉及半導體存儲器件技術領域，具體涉及一種多次可編程EEPROM(Electrically?Erasable?Programmable?Read?Only?Memory，帶電可擦除可編程只讀存儲器)單元的裕度測量電路。

背景技術

半導體集成電路工業已經產生了多種器件以解決許多不同領域中的問題。這些器件中的一些，如半導體存儲器，被配置用于存儲運算所需的二進制數據。只讀存儲器(ROM)是半導體存儲器中的一種，只讀存儲器包括MTP(Multiple?Time?Programmable，多次可編程)存儲器和OTP(One?Time?programmable，一次可編程)存儲器，對于MTP存儲器，EEPROM是其中的一種，可通過高于普通電壓的作用來擦除和重編程，適于制作需要修改其中數據的只讀存儲器。

圖1為相關技術中一種多次可編程EEPROM單元結構的原理圖，參照圖1，包括存儲位元Cell，在進行讀操作時，向存儲位元Cell的字線WL施加裕度范圍內的電壓，使得在存儲位元Cell中存儲二進制數表征在存儲位元Cell的位線BL上，并通過讀出電路從輸出端Dout輸出。在進行存儲位元Cell電壓裕度測試時，通過調節施加在字線WL上的電壓，使得讀出數據處于正確讀出和讀錯的邊界時的字線WL上的電壓，為存儲位元Cell的裕度電壓。

對于圖2所示另一種多次可編程EEPROM單元結構，其存儲位元Cell為雙單元結構，即第一單元Cell_L和第二單元Cell_R組成一個用于存儲一位二進制代碼的存儲位元。第一單元Cell_L的位線BL1和第二單元Cell_R的位線BL2分別連接在讀出電路上，第一單元Cell_L和第二單元Cell_R共用字線WL。在工作時，一個存儲位元的其中一個單元執行擦除操作，另一個單元執行編程操作，執行擦除操作的單元為擦除單元E_Cell，執行編程操作的單元為編程單元P_Cell。當第一單元Cell_L為擦除單元E_Cell，第二單元Cell_R為編程單元P_Cell，在共用字線WL上施加裕度范圍內的電壓，則第一單元Cell_L的存儲節點處有電流，第二單元Cell_R的存儲節點處無電流，經過讀出電路，輸出端Dout輸出數據。當第一單元Cell_L為擦除單元P_Cell，第二單元Cell_R為編程單元E_Cell，在共用字線WL上施加裕度范圍內的電壓，則第一單元Cell_L的存儲節點處無電流，第二單元Cell_R的存儲節點處有電流，經過讀出電路，輸出端Dout輸出數據。

然而，在對編程單元E_Cell和擦除單元P_Cell進行電壓裕度測量時，由于第一單元Cell_L和第二單元Cell_R為共用字線，無法分別對第一單元Cell_L或第二單元Cell_R施加不同的調整電壓，因此相關技術難以測量雙單元結構的多次可編程EEPROM單元結構中存儲位元的電壓裕度。

發明內容

本申請提供了一種多次可編程EEPROM單元的裕度測量電路，可以解決相關技術中難以測量雙單元結構的多次可編程EEPROM單元結構中存儲位元的電壓裕度問題。

本申請提供了一種多次可編程EEPROM單元的裕度測量電路，該多次可編程EEPROM單元的裕度測量電路包括：

第一數據存儲單元和第二數據存儲單元；

第一參考電流源和第二參考電流源；