[發明專利]多次可編程EEPROM單元的裕度測量電路有效
| 申請號： | 202010817034.5 | 申請日： | 2020-08-14 |
| 公開（公告）號： | CN112071356B | 公開（公告）日： | 2023-04-28 |
| 發明（設計）人： | 王鑫 | 申請（專利權）人： | 上海華虹宏力半導體制造有限公司 |
| 主分類號： | G11C29/50 | 分類號： | G11C29/50 |
| 代理公司： | 上海浦一知識產權代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴廣志 |
| 地址： | 201203 上海市浦東*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 多次 可編程 eeprom 單元 測量 電路 | ||
1.一種多次可編程EEPROM單元的裕度測量電路，其特征在于，所述多次可編程EEPROM單元的裕度測量電路包括：
第一數據存儲單元和第二數據存儲單元；
第一參考電流源和第二參考電流源；
鎖存比較器，所述鎖存比較器包括第一數據端和第二數據端，所述第一數據端的數據和第二數據端的數據互為反碼；
第一控制單元，所述第一控制單元將所述第一數據存儲單元的數據節點，和所述第一參考電流源的輸入端，連接在所述第一數據端上，用于根據控制信號控制所述第一數據存儲單元的數據節點或第一參考電流源的輸入端，與所述第一數據端導通；
第二控制單元，所述第二控制單元將所述第二數據存儲單元的數據節點，和所述第二參考電流源的輸入端，連接在所述第二數據端上，用于根據控制信號控制所述第二數據存儲單元的數據節點或第二參考電流源的輸入端，與所述第二數據端導通，
其中，所述控制信號包括第一控制信號和第二控制信號，所述第一控制信號與所述第二控制信號互為反相；
所述第一控制單元包括：第一晶體管和第二晶體管；所述第一晶體管的漏極連接所述第一數據端，源極連接所述第一數據存儲單元的數據節點，柵極連接所述第一控制信號；所述第二晶體管的漏極連接所述第一數據端，源極連接所述第一參考電流源的輸入端，柵極連接所述第二控制信號；
所述第二控制單元包括：第三晶體管和第四晶體管；所述第三晶體管的源極連接所述第二數據端，漏極連接所述第二數據存儲單元的數據節點，柵極連接所述第二控制信號；所述第四晶體管的源極連接所述第二數據端，漏極連接所述第二參考電流源的輸入端，柵極連接所述第一控制信號。
2.如權利要求1所述的多次可編程EEPROM單元的裕度測量電路，其特征在于，所述鎖存比較器包括：第一反相器和第二反相器；
所述第一反相器的輸出端連接所述第二反相器的輸入端，所述第二反相器的輸出端連接所述第一反相器的輸入端；
所述第一反相器的輸出端為所述鎖存比較器的第一數據端，所述第一反相器的輸入端為所述鎖存比較器的第二數據端。
3.如權利要求1所述的多次可編程EEPROM單元的裕度測量電路，其特征在于，還包括第三反相器，所述第三反相器的輸入端連接所述第一數據端，所述第三反相器的輸出端為所述裕度測量電路的第一輸出端。
4.如權利要求3所述的多次可編程EEPROM單元的裕度測量電路，其特征在于，還包括第四反相器，所述第四反相器的輸入端連接所述第二數據端，所述第四反相器的輸出端為所述裕度測量電路的第二輸出端。
5.如權利要求1所述的多次可編程EEPROM單元的裕度測量電路，其特征在于，所述第一參考電流源和第二參考電流源相同。
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