[發明專利]微器件的轉移方法和轉移系統在審
| 申請號: | 202010816180.6 | 申請日: | 2020-08-14 |
| 公開(公告)號: | CN112993120A | 公開(公告)日: | 2021-06-18 |
| 發明(設計)人: | 范春林;張楊;汪慶;王斌 | 申請(專利權)人: | 重慶康佳光電技術研究院有限公司 |
| 主分類號: | H01L33/48 | 分類號: | H01L33/48;H01L21/683;B23K26/122;B23K26/57;B23K26/70;G21K1/00 |
| 代理公司: | 廣州三環專利商標代理有限公司 44202 | 代理人: | 熊永強 |
| 地址: | 402760 重慶市璧*** | 國省代碼: | 重慶;50 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 器件 轉移 方法 系統 | ||
本發明涉及一種微器件的轉移方法和系統,該方法包括:將第一激光分為第二激光和第三激光;將所述第二激光提供給一激光剝離組件,以使所述激光剝離組件將微器件從襯底剝離;以及將所述第三激光提供給一光鑷調節組件,通過所述光鑷調節組件將剝離后的所述微器件拾取并轉移至一背板。通過該方法,微器件只與激光接觸,可避免損傷微器件,可以適用于小尺寸的微器件的轉移。只需利用第一激光進行分光即可實現微器件從襯底的剝離,以及拾取和轉移剝離的微器件,可減少激光組件的數量,節約成本。
技術領域
本發明涉及微器件轉移技術領域,尤其涉及一種微器件的轉移方法和轉移系統。
背景技術
目前微發光二極管(Micro-LED)芯片制程中最大的工藝瓶頸是芯片轉移環節,現有的芯片轉移方法主要運用靜電力、范德華力、磁力、流體自組裝、滾軸轉印等技術。但是上述技術都是和芯片有直接接觸,都有損傷芯片的缺點。
另一方面,隨著Micro-LED芯片尺寸的逐漸縮小,上述所有轉移方式將越來越困難。根據行業發展預測,虛擬現實、增強顯示等應用需要微器件尺寸小于等于5微米才能達到較好的視覺效果,這對現有的技術路線提出巨大的挑戰。
因此,如何提供一種避免損傷芯片,并適用于小尺寸的微器件的轉移方法是亟需解決的問題。
發明內容
鑒于上述現有技術的不足,本申請的目的在于提供一種微器件的轉移方法和轉移系統,旨在提供一種避免損傷芯片,并適用于小尺寸的微器件的轉移方法和轉移系統。
本申請提供一種微器件的轉移方法,包括:
將第一激光分為第二激光和第三激光;
將所述第二激光提供給一激光剝離組件,以使所述激光剝離組件將微器件從襯底剝離;以及
將所述第三激光提供給一光鑷調節組件,通過所述光鑷調節組件將剝離后的所述微器件拾取并轉移至一背板。
通過該轉移方法,整個轉移過程中,微器件只與激光接觸,而不與其他物理結構直接接觸,可避免損傷微器件。同時,由于光鑷調節組件利用光鑷拾取微器件,可拾取納米至微米級的微器件,從而可以適用于小尺寸的微器件的轉移。此外,只需利用第一激光進行分光即可實現微器件從襯底的剝離,以及拾取剝離的微器件,可減少激光組件的數量,節約成本。
可選的,所述光鑷調節組件拾取及轉移所述微器件在一溶液中進行;其中,所述溶液的折射率小于所述微器件的折射率。由于光鑷調節組件產生的光鑷的激光具有較高的能量,設置在溶液中進行拾取并轉移微器件,溶液具有散熱作用,能起到保護微器件的作用。
可選的,所述方法還包括:設置所述溶液的溫度小于室溫,可使得溶液的散熱效果顯著,提升對微器件的保護的效果。
可選的,將所述微器件從所述襯底剝離前,還包括:在所述微器件上包覆一保護層。由于光鑷調節組件產生的光鑷的激光具有較高的能量,在微器件上包覆保護層,可以起到保護微器件的作用,避免后續的光鑷組件拾取及轉移微器件時對微器件的破壞。
可選的,所述微器件的數量為多個;所述在所述微器件上包覆一保護層的步驟,包括:于各所述微器件上沉積一保護層;對所述保護層進行圖案化處理,以除去相鄰兩個所述微器件之間的所述保護層。微器件周圍包覆的保護層能增加激光透過率,提高光鑷調節組件拾取并轉移微器件的成功率,此外,保護層也可對微器件進行保護。
可選的,所述微器件的數量為多個;所述通過所述光鑷調節組件拾取所述微器件的步驟,包括:
將所述第三激光分成多束子激光,多束所述子激光提供給所述光鑷調節組件,所述光鑷調節組件形成多個光鑷,多個所述光鑷一一對應地拾取多個所述微器件。形成多個光鑷,可批量的拾取微器件,實現批量的轉移,提高轉移的效率。
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