[發(fā)明專利]半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010815465.8
• 申請(qǐng)日: 2020-08-14
• 公開（公告）號(hào): CN114078747A
• 公開（公告）日: 2022-02-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李艷楠;張艷紅;陳秋穎;陳亮;楊林宏
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中芯國(guó)際集成電路制造（天津）有限公司;中芯國(guó)際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/768
• 分類號(hào): H01L21/768;H01L23/522
• 代理公司: 北京市一法律師事務(wù)所 11654
• 代理人: 劉榮娟

1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，包括：

提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底表面形成有第一金屬層；

在所述第一金屬層表面形成第一介質(zhì)層，在所述第一介質(zhì)層中形成貫穿所述第一介質(zhì)層且直接連接所述第一金屬層的第一層間連接結(jié)構(gòu)；

以此類推，在第m介質(zhì)層表面形成第n介質(zhì)層，在所述第n介質(zhì)層中形成貫穿所述第n介質(zhì)層且直接連接第m層間連接結(jié)構(gòu)的第n層間連接結(jié)構(gòu)，其中，所述m為n-1，所述n為大于等于二的整數(shù)。

2.如權(quán)利要求1所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述第n層間連接結(jié)構(gòu)與所述第m層間連接結(jié)構(gòu)完全對(duì)準(zhǔn)連接。

3.如權(quán)利要求1所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述第m介質(zhì)層、第n介質(zhì)層和第一介質(zhì)層的厚度相同。

4.如權(quán)利要求3所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述第一介質(zhì)層的厚度為4微米至8微米。

5.如權(quán)利要求1所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述第一層間連接結(jié)構(gòu)的寬度為0.6微米至1.6微米。

6.如權(quán)利要求1所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述第m介質(zhì)層、第n介質(zhì)層和第一介質(zhì)層的總厚度為10微米至30微米。

7.如權(quán)利要求1所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，形成所述第n層間連接結(jié)構(gòu)的方法包括：

在所述第n介質(zhì)層表面形成圖案化的掩膜層，所述圖案化的掩膜層定義第n溝槽的位置；

以所述圖案化的掩膜層為掩膜刻蝕所述第n介質(zhì)層形成第n溝槽，所述第n溝槽完全暴露所述第m層間連接結(jié)構(gòu)，且與所述第m層間連接結(jié)構(gòu)完全對(duì)準(zhǔn)；

在所述第n溝槽中形成所述第n層間連接結(jié)構(gòu)。

8.如權(quán)利要求1所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，形成所述第n層間連接結(jié)構(gòu)的工藝與形成所述第一層間連接結(jié)構(gòu)的工藝相同。

9.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：

半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底表面形成有第一金屬層；

第一介質(zhì)層以及貫穿所述第一介質(zhì)層且直接連接所述第一金屬層的第一層間連接結(jié)構(gòu)，所述第一介質(zhì)層位于所述第一金屬層表面；

以此類推，第n介質(zhì)層以及貫穿所述第n介質(zhì)層且直接連接第m層間連接結(jié)構(gòu)的第n層間連接結(jié)構(gòu)，所述第n介質(zhì)層位于第m介質(zhì)層表面，其中，所述m為n-1，所述n為大于等于二的整數(shù)。

10.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第n層間連接結(jié)構(gòu)與所述第m層間連接結(jié)構(gòu)完全對(duì)準(zhǔn)連接。

11.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第m介質(zhì)層、第n介質(zhì)層和第一介質(zhì)層的厚度相同。

12.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一介質(zhì)層的厚度為4微米至8微米。

13.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一層間連接結(jié)構(gòu)的寬度為0.6微米至1.6微米。

14.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第m介質(zhì)層、第n介質(zhì)層和第一介質(zhì)層的總厚度為10微米至30微米。