[發(fā)明專利]半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)

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• 申請日: 2020-08-13
• 公開（公告）號: CN114078777A
• 公開（公告）日: 2022-02-22
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 王凌翔
• 申請（專利權(quán)）人: 長鑫存儲技術(shù)有限公司
• 主分類號: H01L21/8242
• 分類號: H01L21/8242;H01L27/108
• 代理公司: 上海晨皓知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31260
• 代理人: 成麗杰

1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，包括如下步驟：

提供半導(dǎo)體基底，所述半導(dǎo)體基底中至少包括分立的導(dǎo)電層；

在所述半導(dǎo)體基底上形成分立排布的支撐結(jié)構(gòu)，所述支撐結(jié)構(gòu)底部包括底部導(dǎo)電層，且所述支撐結(jié)構(gòu)之間包括電容開口，所述底部導(dǎo)電層電連接所述導(dǎo)電層；

在所述支撐結(jié)構(gòu)的側(cè)壁形成下電極，所述下電極電連接所述底部導(dǎo)電層；

形成覆蓋所述支撐結(jié)構(gòu)頂部、所述下電極側(cè)壁和所述電容開口底部的電容介質(zhì)層；

形成覆蓋所述電容介質(zhì)層的上電極，以構(gòu)成電容結(jié)構(gòu)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，在所述半導(dǎo)體基底上形成分立排布的支撐結(jié)構(gòu)的步驟包括：

在所述半導(dǎo)體基底上形成所述底部導(dǎo)電層；

在所述底部導(dǎo)電層上形成支撐層；

圖形化所述支撐層和所述底部導(dǎo)電層形成所述電容開口，剩余的所述支撐層和所述底部導(dǎo)電層構(gòu)成所述支撐結(jié)構(gòu)。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，在所述半導(dǎo)體基底上形成所述底部導(dǎo)電層和在所述底部導(dǎo)電層上形成支撐層的步驟包括：

在所述半導(dǎo)體基底上形成底部導(dǎo)電膜；

圖形化所述底部導(dǎo)電膜，形成貫穿所述底部導(dǎo)電膜的通孔，剩余所述底部導(dǎo)電膜作為所述底部導(dǎo)電層；

在所述底部導(dǎo)電層上形成支撐層，所述支撐層還填充所述通孔。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，圖形化所述支撐層形成多個分立的所述電容開口的步驟包括：

在所述支撐層上依次形成掩膜層和圖形化的光刻膠層；

基于所述光刻膠層，圖形化所述掩膜層；

基于圖形化后的所述掩膜層，刻蝕所述支撐層和所述底部導(dǎo)電層形成所述電容開口。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，所述電容開口至少暴露出每個分立的所述導(dǎo)電層的部分頂部表面。

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述支撐層為依次堆疊形成底支撐層和填充層。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，在所述半導(dǎo)體基底上形成分立排布的支撐結(jié)構(gòu)的步驟包括：

在所述半導(dǎo)體基地上形成分立排布的初始支撐結(jié)構(gòu)，所述初始支撐結(jié)構(gòu)包括依次堆疊形成的底支撐層和填充層；

橫向刻蝕部分寬度的所述底支撐層，形成導(dǎo)電開口；

形成填充所述導(dǎo)電開口的底部導(dǎo)電層，所述底部導(dǎo)電層與剩余所述初始支撐結(jié)構(gòu)成所述支撐結(jié)構(gòu)。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，平行于所述半導(dǎo)體基底頂部表面的方向上，所述導(dǎo)電開口的寬度小于等于所述底部導(dǎo)電層寬度的三分之一。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，形成填充所述導(dǎo)電開口的底部導(dǎo)電層的步驟包括：

形成填充所述導(dǎo)電開口和部分高度所述電容開口的底部導(dǎo)電膜，所述底部導(dǎo)電膜頂部表面的高度高于所述底支撐層頂部表面的高度；

刻蝕去除位于電容開口暴露出的所述底部導(dǎo)電膜，形成所述底部導(dǎo)電層。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，在所述支撐結(jié)構(gòu)的側(cè)壁形成電連接一所述導(dǎo)電層的下電極的步驟包括：

在所述支撐結(jié)構(gòu)頂部和側(cè)壁以及所述電容開口底部形成頂導(dǎo)電層；

去除位于所述支撐結(jié)構(gòu)頂部以及所述電容開口底部的所述頂導(dǎo)電層，形成位于所述支撐結(jié)構(gòu)側(cè)壁的下電極。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述去除位于所述支撐結(jié)構(gòu)頂部的所述頂導(dǎo)電層的方式包括化學(xué)機械研磨。