[發明專利]一種ppb級探測下限的氫氣傳感器及其制備方法有效
| 申請號： | 202010811514.0 | 申請日： | 2020-08-13 |
| 公開（公告）號： | CN111965223B | 公開（公告）日： | 2021-06-01 |
| 發明（設計）人： | 蔣洪川;田佳蔚;鄧新武;師港偉;趙曉輝;張萬里 | 申請（專利權）人： | 電子科技大學 |
| 主分類號： | G01N27/12 | 分類號： | G01N27/12 |
| 代理公司： | 電子科技大學專利中心 51203 | 代理人： | 吳姍霖 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 國省代碼： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 ppb 探測 下限 氫氣 傳感器 及其 制備 方法 | ||
1.一種ppb級探測下限的氫氣傳感器的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
步驟1、清洗泡沫金屬，干燥；
步驟2、將步驟1清洗干燥后的泡沫金屬在空氣氣氛中進行熱處理，熱處理溫度為500～1000℃，熱處理時間為3～6h，完成后，自然冷卻至室溫，取出，得到氧化泡沫金屬；
步驟3、采用直流磁控濺射法，在步驟2得到的氧化泡沫金屬表面濺射得到粒徑為5nm～10nm的Pd納米顆粒，其中，濺射速率為8nm/min，濺射時間為60s～180s，濺射靶材為Pd靶；
步驟4、在步驟3得到的負載鈀納米顆粒的氧化泡沫金屬兩端涂覆導電銀漿或者濺射Au薄膜作為電極，制備得到氫氣傳感器；
步驟5、對步驟4得到的氫氣傳感器進行激活處理，具體為：
5.1將步驟4得到的氫氣傳感器在氮氣氣氛、15～35℃溫度下處理30min以上；
5.2步驟5.1處理后的氫氣傳感器在氮氫混合氣體氣氛、15～35℃溫度下處理10min～30min；
5.3步驟5.2處理后的氫氣傳感器在氮氣氣氛、15～35℃溫度下處理30min以上。
2.根據權利要求1所述的ppb級探測下限的氫氣傳感器的制備方法，其特征在于，步驟1所述泡沫金屬為泡沫鎳、泡沫銅、泡沫鋅、泡沫鋁或泡沫鈷，泡沫金屬的厚度為0.1mm～1mm，孔隙率為98％以上。
3.根據權利要求1所述的ppb級探測下限的氫氣傳感器的制備方法，其特征在于，步驟5.2中所述氮氫混合氣體中，氫氣的體積百分比為3％～4％。
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