[發(fā)明專利]半導(dǎo)體設(shè)備封裝和其制造方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010810177.3
• 申請日: 2020-08-13
• 公開（公告）號: CN113140549A
• 公開（公告）日: 2021-07-20
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 詹雅芳;蔣源峰;呂柏緯
• 申請（專利權(quán)）人: 日月光半導(dǎo)體制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/66
• 分類號: H01L23/66;H01L21/56;H01L23/485;H01L23/31;H01L23/482;H01Q1/22
• 代理公司: 北京律盟知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287
• 代理人: 蕭輔寬

本公開提供了一種半導(dǎo)體設(shè)備封裝。所述半導(dǎo)體設(shè)備封裝包含介電層。所述半導(dǎo)體設(shè)備封裝進一步包含天線結(jié)構(gòu)，所述天線結(jié)構(gòu)安置在所述介電層中。所述半導(dǎo)體設(shè)備封裝進一步包含半導(dǎo)體設(shè)備，所述半導(dǎo)體設(shè)備安置在所述介電層上。所述半導(dǎo)體設(shè)備封裝進一步包含包封料，所述包封料覆蓋所述半導(dǎo)體設(shè)備。所述半導(dǎo)體設(shè)備封裝進一步包含導(dǎo)電柱，所述導(dǎo)電柱具有第一部分和第二部分。所述第一部分被所述包封料包圍并且所述第二部分嵌入在所述介電層中。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開總體上涉及一種半導(dǎo)體設(shè)備封裝，并且涉及包含天線結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體設(shè)備封裝和用于制造半導(dǎo)體設(shè)備封裝的方法。

背景技術(shù)

如移動電話等無線通信設(shè)備可以包含具有如封裝上天線(AoP)等用于信號(例如，射頻(RF)信號)傳輸?shù)奶炀€的一或多個半導(dǎo)體設(shè)備封裝。天線首先被制造，然后安置在半導(dǎo)體設(shè)備封裝的襯底上。因此，需要延伸穿過半導(dǎo)體設(shè)備封裝的襯底的通孔來連接天線和一些電子組件。然而，天線和通孔的繁重制造導(dǎo)致半導(dǎo)體設(shè)備封裝的成本較高。

發(fā)明內(nèi)容

在一或多個實施例中，一種半導(dǎo)體設(shè)備封裝包含介電層。所述半導(dǎo)體設(shè)備封裝進一步包含天線結(jié)構(gòu)，所述天線結(jié)構(gòu)安置在所述介電層中。所述半導(dǎo)體設(shè)備封裝進一步包含半導(dǎo)體設(shè)備，所述半導(dǎo)體設(shè)備安置在所述介電層上。所述半導(dǎo)體設(shè)備封裝進一步包含包封料，所述包封料覆蓋所述半導(dǎo)體設(shè)備。所述半導(dǎo)體設(shè)備封裝進一步包含導(dǎo)電柱，所述導(dǎo)電柱具有第一部分和第二部分。所述第一部分被所述包封料包圍并且所述第二部分嵌入在所述介電層中。

在一或多個實施例中，一種半導(dǎo)體設(shè)備封裝包含介電層，所述介電層具有第一表面和第二表面。所述半導(dǎo)體設(shè)備封裝進一步包含天線結(jié)構(gòu)，所述天線結(jié)構(gòu)嵌入在所述介電層中。所述半導(dǎo)體設(shè)備封裝進一步包含半導(dǎo)體設(shè)備，所述半導(dǎo)體設(shè)備安置在所述介電層的所述第一表面上。所述半導(dǎo)體設(shè)備封裝進一步包含導(dǎo)電柱，所述導(dǎo)電柱具有所述介電層內(nèi)的第一表面。所述導(dǎo)電柱的所述第一表面和所述介電層的所述第一表面是不連續(xù)的。

在一或多個實施例中，一種制造半導(dǎo)體設(shè)備封裝的方法包含：形成天線結(jié)構(gòu)；形成介電層以覆蓋所述天線結(jié)構(gòu)；在所述介電層中限定孔以暴露所述天線結(jié)構(gòu)的一部分；形成導(dǎo)電柱，所述導(dǎo)電柱具有所述孔中用于電連接到所述天線結(jié)構(gòu)的暴露部分的第一部分和從所述介電層凸出的第二部分；在所述介電層上安置半導(dǎo)體設(shè)備；形成包封料以覆蓋所述半導(dǎo)體設(shè)備和所述導(dǎo)電柱的所述第二部分；以及在所述包封料上形成重新分布層以將所述導(dǎo)電柱與所述半導(dǎo)體設(shè)備電連接。

附圖說明

當(dāng)與附圖一起閱讀以下詳細描述時，可以根據(jù)以下詳細描述容易地理解本公開的各方面。應(yīng)當(dāng)注意的是，各種特征可能不一定按比例繪制。為了討論的清楚起見，可以任意增大或減小各種特征的尺寸。

圖1A展示了根據(jù)本公開的一些實施例的半導(dǎo)體設(shè)備封裝的橫截面視圖。

圖1B展示了根據(jù)本公開的一些實施例的半導(dǎo)體設(shè)備封裝的橫截面視圖。

圖2A展示了根據(jù)本公開的一些實施例的半導(dǎo)體設(shè)備封裝的橫截面視圖。

圖2B展示了根據(jù)本公開的一些實施例的半導(dǎo)體設(shè)備封裝的橫截面視圖。

圖3展示了根據(jù)本公開的一些實施例的半導(dǎo)體設(shè)備封裝的底視圖。

圖4A、圖4B、圖4C、圖4D、圖4E、圖4F、圖4G、圖4H、圖4I、圖4J、圖4K、圖4L、圖4M、圖4N、圖4O、圖4P、圖4Q、圖4R、圖4S和圖4T展示了根據(jù)本申請的一些實施例的用于制造半導(dǎo)體設(shè)備封裝的方法的一或多個階段。

圖5展示了根據(jù)本申請的一些實施例的用于制造半導(dǎo)體設(shè)備封裝的方法的一或多個階段。

圖6A、圖6B、圖6C、圖6D和圖6E展示了根據(jù)本申請的一些實施例的用于制造半導(dǎo)體設(shè)備封裝的方法的一或多個階段。