[發(fā)明專利]半導(dǎo)體設(shè)備封裝和其制造方法

在審

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• 申請日: 2020-08-13
• 公開（公告）號: CN113140549A
• 公開（公告）日: 2021-07-20
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 詹雅芳;蔣源峰;呂柏緯
• 申請（專利權(quán)）人: 日月光半導(dǎo)體制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/66
• 分類號: H01L23/66;H01L21/56;H01L23/485;H01L23/31;H01L23/482;H01Q1/22
• 代理公司: 北京律盟知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287
• 代理人: 蕭輔寬

1.一種半導(dǎo)體設(shè)備封裝，其包括：

介電層；

天線結(jié)構(gòu)，所述天線結(jié)構(gòu)安置在所述介電層中；

半導(dǎo)體設(shè)備，所述半導(dǎo)體設(shè)備安置在所述介電層上；

包封料，所述包封料覆蓋所述半導(dǎo)體設(shè)備；以及

導(dǎo)電柱，所述導(dǎo)電柱具有第一部分和第二部分，

其中所述第一部分被所述包封料包圍并且所述第二部分嵌入在所述介電層中。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體設(shè)備封裝，其中所述第一部分具有第一側(cè)面并且所述第二部分具有第二側(cè)面，并且所述第一側(cè)面和所述第二側(cè)面基本上共面。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體設(shè)備封裝，其進(jìn)一步包括重新分布層RDL，所述RDL安置在所述包封料上，其中所述RDL將所述導(dǎo)電柱與所述半導(dǎo)體設(shè)備電連接。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體設(shè)備封裝，其中所述導(dǎo)電柱電連接到所述天線結(jié)構(gòu)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體設(shè)備封裝，其進(jìn)一步包括晶種層，所述晶種層包圍所述導(dǎo)電柱的所述第二部分。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體設(shè)備封裝，其中所述天線結(jié)構(gòu)包括多個天線元件，其中所述多個天線元件中的每個天線元件從所述介電層的背離所述半導(dǎo)體設(shè)備的表面凹入。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體設(shè)備封裝，其中所述天線結(jié)構(gòu)包括天線元件，所述天線元件基本上與所述導(dǎo)電柱對齊，并且所述天線元件的寬度大于所述導(dǎo)電柱的寬度。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體設(shè)備封裝，其進(jìn)一步包括保護(hù)層，所述保護(hù)層安置在所述天線結(jié)構(gòu)上。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體設(shè)備封裝，其進(jìn)一步包括晶種層，所述晶種層安置在所述天線結(jié)構(gòu)與所述保護(hù)層之間。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體設(shè)備封裝，其進(jìn)一步包括導(dǎo)電端子，所述導(dǎo)電端子安置在所述半導(dǎo)體設(shè)備上并且具有第一表面，其中所述導(dǎo)電柱具有第二表面，并且其中所述第一表面和所述第二表面基本上處于同一高程處。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體設(shè)備封裝，其中所述介電層具有第一介電常數(shù)(Dk)并且所述包封料具有第二Dk，并且所述第一Dk低于所述第二Dk。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體設(shè)備封裝，其中所述介電層具有第一熱膨脹系數(shù)CTE并且所述包封料具有第二CTE，并且所述第一CTE大于所述第二CTE。

13.一種半導(dǎo)體設(shè)備封裝，其包括：

介電層，所述介電層具有第一表面和第二表面；

天線結(jié)構(gòu)，所述天線結(jié)構(gòu)嵌入在所述介電層中；

半導(dǎo)體設(shè)備，所述半導(dǎo)體設(shè)備安置在所述介電層的所述第一表面上；

導(dǎo)電柱，所述導(dǎo)電柱具有所述介電層內(nèi)的第一表面，

其中所述導(dǎo)電柱的所述第一表面和所述介電層的所述第一表面是不連續(xù)的。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體設(shè)備封裝，其進(jìn)一步包含包封料，所述包封料安置在所述介電層的所述第一表面上，其中所述介電層具有第一側(cè)面并且所述包封料具有第二側(cè)面，并且所述第一側(cè)面和所述第二側(cè)面是基本上連續(xù)的。

15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體設(shè)備封裝，其進(jìn)一步包含重新分布層RDL，其中所述RDL將所述半導(dǎo)體設(shè)備與所述導(dǎo)電柱電連接。

16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體設(shè)備封裝，其中所述包封料具有背離所述介電層的第一表面并且所述導(dǎo)電柱具有背離所述介電層的第二表面，并且所述第一表面和所述第二表面基本上共面。