[發明專利]半導體裝置

在審

• 申請號: 202010798593.6
• 申請日: 2020-08-11
• 公開（公告）號: CN113410283A
• 公開（公告）日: 2021-09-17
• 發明（設計）人: 富田幸太;加藤浩朗
• 申請（專利權）人: 株式會社東芝;東芝電子元件及存儲裝置株式會社
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 徐殿軍

1.一種半導體裝置，其具有：

半導體部；

第一電極，設置于所述半導體部的背面上；

第二電極，設置于所述半導體部的表面上；

控制電極，在所述半導體部和所述第二電極之間配置于在所述半導體部設置的溝槽的內部；

第三電極，在所述溝槽的內部遠離所述控制電極而設置于相比所述控制電極和所述第一電極之間的距離更接近所述第一電極的位置；

第一絕緣部，將所述控制電極從所述半導體部電氣絕緣；

第二絕緣部，將所述第三電極從所述半導體部電氣絕緣；以及

第三絕緣部，將所述第三電極從所述控制電極電氣絕緣，

所述半導體部包括第一導電型的第一半導體層、第二導電型的第二半導體層和所述第一導電型的第三半導體層，

所述第一半導體層在所述第一電極和所述第二電極之間延伸，

所述第二半導體層位于所述第一半導體層和所述第二電極之間，

所述第三半導體層有選擇地設置于所述第二半導體層和所述第二電極之間，

所述第一絕緣部設置于所述控制電極和所述第二半導體層之間，

所述第二絕緣部設置于所述第三電極和所述第一半導體層之間，包括第一絕緣膜、第二絕緣膜和第三絕緣膜的一部分，

所述第一絕緣膜位于所述半導體部和所述第三電極之間，

所述第二絕緣膜位于所述第一絕緣膜和所述第三電極之間，

所述第三絕緣膜包括位于所述第一絕緣膜和所述第二絕緣膜之間的第一部分、和在所述第三絕緣部中延伸的第二部分。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，

所述第三絕緣膜設置成包圍所述第三電極及第二絕緣膜。

3.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，

所述第二絕緣膜與所述第三絕緣膜共同在所述第三絕緣部中延伸，

所述第三絕緣膜的第二部分位于所述控制電極和所述第二絕緣膜之間。

4.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，

所述半導體裝置還具有第四絕緣部，位于所述控制電極和所述第二電極之間，將所述控制電極從所述第二電極電氣絕緣。

5.根據權利要求4所述的半導體裝置，其中，

所述半導體裝置還具有控制配線，隔著所述第四絕緣部設置于所述半導體部的所述表面上，且遠離所述第二電極，

所述控制配線在所述第四絕緣部中延伸，包括與所述控制電極接觸的接觸部，

所述控制電極經由所述接觸部與所述控制配線電連接。

6.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，

所述控制電極設置于所述半導體部的所述第二半導體層和所述第三電極之間，

所述第四絕緣部具有位于所述第二電極和所述第三電極之間的部分，

所述第三絕緣膜還包括在所述第三電極和所述第四絕緣部的所述部分之間延伸的第三部分。

7.根據權利要求5所述的半導體裝置，其中，

所述第二電極在所述第三絕緣膜及所述第四絕緣部中延伸，包括與所述第三電極接觸的接觸部，

所述第三電極經由所述接觸部與所述第二電極電連接。

8.根據權利要求4所述的半導體裝置，其中，

所述控制電極位于所述第二電極和所述第三電極之間。

9.根據權利要求8所述的半導體裝置，其中，

所述第三絕緣部還包括在所述第三電極和所述第三絕緣膜的所述第二部分之間設置的第四絕緣膜。

10.根據權利要求9所述的半導體裝置，其中，

所述第四絕緣膜是氧化硅膜。

11.根據權利要求4所述的半導體裝置，其中，

所述控制電極包括位于所述第二電極和所述第三電極之間的第一部分、及位于所述半導體部的所述第二半導體層和所述第三電極之間的第二部分。