[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010798593.6
• 申請(qǐng)日: 2020-08-11
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN113410283A
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-09-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 富田幸太;加藤浩朗
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 株式會(huì)社東芝;東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L29/06
• 分類號(hào): H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336
• 代理公司: 永新專利商標(biāo)代理有限公司 72002
• 代理人: 徐殿軍

半導(dǎo)體裝置具有半導(dǎo)體部、所述半導(dǎo)體部的背面上的第一電極及表面上的第二電極、控制電極、第三電極、第一～第三絕緣部。所述控制電極、所述第三電極配置于所述半導(dǎo)體部和所述第二電極之間的溝槽的內(nèi)部。所述第一絕緣部將所述控制電極從所述半導(dǎo)體部電絕緣，所述第二絕緣部將所述第三電極從所述半導(dǎo)體部電絕緣。所述第三絕緣部將所述第三電極從所述控制電極電絕緣。所述第二絕緣部包括第一、第二絕緣膜及第三絕緣膜的一部分。所述第一絕緣膜位于所述半導(dǎo)體部和所述第三電極之間，所述第二絕緣膜位于所述第一絕緣膜和所述第三電極之間。所述第三絕緣膜包括位于所述第一絕緣膜和所述第二絕緣膜之間的第一部分和在所述第三絕緣部中延伸的第二部分。

本申請(qǐng)以第2020－45469號(hào)日本專利申請(qǐng)(申請(qǐng)日：2020年3月16日)為基礎(chǔ)并對(duì)其主張優(yōu)先權(quán)。本申請(qǐng)通過(guò)引用該原專利申請(qǐng)而包含其全部?jī)?nèi)容。

技術(shù)領(lǐng)域

實(shí)施方式涉及半導(dǎo)體裝置。

背景技術(shù)

功率控制用半導(dǎo)體裝置要求具有高耐壓、低接通電阻的特性。例如，在溝槽柵型MOSFET中，為了實(shí)現(xiàn)高耐壓、低接通電阻的特性，在柵極溝槽的內(nèi)部配置柵極電極及場(chǎng)板。這樣的溝槽柵構(gòu)造在場(chǎng)板和半導(dǎo)體層之間需要厚的絕緣膜。因此，在柵極溝槽的內(nèi)部例如使用CVD(Chemical Vapor Deposition，化學(xué)氣相沉積)形成抑制內(nèi)部應(yīng)力的絕緣膜。但是，這樣的絕緣膜有時(shí)包含對(duì)半導(dǎo)體裝置的特性產(chǎn)生影響的雜質(zhì)。

發(fā)明內(nèi)容

實(shí)施方式提供一種能夠抑制絕緣膜中的雜質(zhì)的影響的半導(dǎo)體裝置。

實(shí)施方式涉及的半導(dǎo)體裝置具有半導(dǎo)體部、在所述半導(dǎo)體部的背面上設(shè)置的第一電極、在所述半導(dǎo)體部的表面上設(shè)置的第二電極、控制電極、第三電極、和第一～第三絕緣部?？刂齐姌O在所述半導(dǎo)體部和所述第二電極之間配置于在所述半導(dǎo)體部設(shè)置的溝槽的內(nèi)部。第三電極在所述溝槽的內(nèi)部遠(yuǎn)離所述控制電極而設(shè)置于相比所述控制電極和所述第一電極之間的距離更接近所述第一電極的位置。所述第一絕緣部將所述控制電極從所述半導(dǎo)體部電氣絕緣。所述第二絕緣部將所述第三電極從所述半導(dǎo)體部電氣絕緣。所述第三絕緣部將所述第三電極從所述控制電極電氣絕緣。所述半導(dǎo)體部包括第一導(dǎo)電型的第一半導(dǎo)體層、第二導(dǎo)電型的第二半導(dǎo)體層和所述第一導(dǎo)電型的第三半導(dǎo)體層。所述第二半導(dǎo)體層位于所述第一半導(dǎo)體層和所述第二電極之間，所述第三半導(dǎo)體層有選擇地設(shè)置于所述第二半導(dǎo)體層和所述第二電極之間。所述第一絕緣部設(shè)置于所述控制電極和所述第二半導(dǎo)體層之間。所述第二絕緣部設(shè)置于所述第三電極和所述第一半導(dǎo)體層之間，包括第一絕緣膜、第二絕緣膜和第三絕緣膜的一部分。所述第一絕緣膜位于所述半導(dǎo)體部和所述第三電極之間，所述第二絕緣膜位于所述第一絕緣膜和所述第三控制電極之間。所述第三絕緣膜包括位于所述第一絕緣膜和所述第二絕緣膜之間的第一部分、和在所述第三絕緣部中延伸的第二部分。

附圖說(shuō)明

圖1(a)及(b)是表示有關(guān)實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的示意剖視圖。

圖2(a)～圖9(b)是表示有關(guān)實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造過(guò)程的示意剖視圖。

圖10是表示有關(guān)實(shí)施方式的第一變形例的半導(dǎo)體裝置的示意剖視圖。

圖11是表示有關(guān)實(shí)施方式的第二變形例的半導(dǎo)體裝置的示意剖視圖。

具體實(shí)施方式

下面，參照附圖對(duì)實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。對(duì)于附圖中的相同部分標(biāo)注相同的標(biāo)號(hào)，并適當(dāng)省略其詳細(xì)說(shuō)明，對(duì)不同的部分進(jìn)行說(shuō)明。另外，附圖是示意性或者概念性的圖，各部分的厚度和寬度的關(guān)系、各部分間的尺寸的比例等不一定與實(shí)際狀況相同。并且，即使是表示相同部分的情況下，也存在根據(jù)附圖而相互的尺寸和比例表現(xiàn)得不同的情況。

另外，使用在各附圖中示出的X軸、Y軸及Z軸來(lái)說(shuō)明各部分的配置及結(jié)構(gòu)。X軸、Y軸、Z軸相互正交，分別表示X方向、Y方向、Z方向。并且，有時(shí)設(shè)Z方向?yàn)樯戏?、設(shè)其相反方向?yàn)橄路竭M(jìn)行說(shuō)明。