[發明專利]籽晶生長的工藝方法

在審

• 申請號: 202010797866.5
• 申請日: 2020-08-10
• 公開（公告）號: CN114075691A
• 公開（公告）日: 2022-02-22
• 發明（設計）人: 王全志
• 申請（專利權）人: 蘇州阿特斯陽光電力科技有限公司;包頭阿特斯陽光能源科技有限公司
• 主分類號: C30B11/00
• 分類號: C30B11/00;C30B28/06;C30B29/06
• 代理公司: 北京景聞知識產權代理有限公司 11742
• 代理人: 么立雙

本發明公開了一種籽晶生長的工藝方法，籽晶生長的工藝方法包括：將硅料放置于爐體內加熱；對爐體加熱至第一預定階段，爐體內壓力設定為90?100mbar，爐體內進氣量和出氣量均小于10nl/min；對爐體加熱至第二預定階段，爐體內壓力設定為250?350mbar，爐體內進氣量和出氣量均小于10nl/min。根據本發明的籽晶生長的工藝方法，通過控制爐體內壓力，且使進氣量和出氣量均小于10nl/min，由此可以降低氣流流動速度，可以防止氣流流向爐體的底部，從而可以避免氣流激發爐體內底部的雜質，進而可以避免雜質與硅料融合，提升籽晶純度。

技術領域

本發明涉及類單晶工藝技術領域，尤其是涉及一種籽晶生長的工藝方法。

背景技術

類單晶的生長要求在一個完全對稱的熱場結構中，對稱的熱場結構有一個明顯的特點就是熔體流動性會弱一些，在鑄造過程中，當氣體流到坩堝底部，坩堝底部的涂層內部含有較多的雜質，同時氣體本身也會攜帶雜質，氣體激起涂層雜質的“浮塵”，隨著氣體向上流動，在高溫下與硅蒸氣反應，形成氮化硅，碳化硅，氧化硅及其他復合氧化物等，沉積在籽晶縫隙中或者硅料上，就會顯現出不同的彩色薄膜。

沉積在籽晶間的縫隙的雜質，隨著氣體向上流動進入上面的硅料中，但是類單晶的對稱性熱場結構，熔體流動性較弱，雜質很難通過分凝排到硅錠頭部，而留在了硅錠中，從而檢測到黑色的雜質點。

發明內容

本發明旨在至少解決現有技術中存在的技術問題之一。為此，本發明提出了一種籽晶生長的工藝方法，所述籽晶生長的工藝方法具有簡單、籽晶雜質少的優點。

根據本發明實施例的籽晶生長的工藝方法，所述工藝方法包括：

將硅料放置于爐體內加熱；

對所述爐體加熱至第一預定階段，所述爐體內壓力設定為90-100mbar，所述爐體內進氣量和出氣量均小于10nl/min；

對所述爐體加熱至第二預定階段，所述爐體內壓力設定為250-350mbar，所述爐體內進氣量和出氣量均小于10nl/min。

根據本發明實施例的籽晶生長的工藝方法，通過控制爐體內壓力，且使進氣量和出氣量均小于10nl/min，由此可以降低氣流流動速度，可以防止氣流流向爐體的底部，從而可以避免氣流激發爐體內底部的雜質，進而可以避免雜質與硅料融合，提升籽晶純度。

在一些實施例中，對所述爐體加熱至第二預定階段后，對所述爐體加熱至第三預定階段，從所述第二預定階段到所述第三預定階段之間，所述爐體內壓力設定為250-350mbar，所述爐體內進氣量小于10nl/min，所述爐體內出氣量為5-15nl/min。

在一些實施例中，對所述爐體加熱至第三預定階段后，對所述爐體加熱至第四預定階段，從所述第三預定階段到所述第四預定階段之間，所述爐體內壓力設定為550-650mbar，所述爐體內進氣量為55-65nl/min，所述爐體內出氣量小于10nl/min。

在一些實施例中，進入所述第四預定階段之前，所述爐體內出現熔體。

在一些實施例中，所述第四預定階段結束之前所述爐體內硅料熔化結束。

在一些實施例中，進入所述第四預定階段之前，所述爐體內的調壓模式為進氣模式；進入所述第四預定階段之后，所述爐體內的調壓模式為出氣模式。

在一些實施例中，對所述爐體加熱至第一預定階段時，所述爐體內部溫度為950-1050℃。

在一些實施例中，所述爐體處于所述第二預定階段時，所述爐體內部溫度大于1000℃。

在一些實施例中，在所述爐體進入所述第二階段之前，所述爐體內的壓力模式為真空模式。

在一些實施例中，在所述爐體進入所述第二階段之后，所述爐體內的壓力模式為壓力模式。