[發(fā)明專利]籽晶生長的工藝方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010797866.5 | 申請日： | 2020-08-10 |
| 公開（公告）號： | CN114075691A | 公開（公告）日： | 2022-02-22 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 王全志 | 申請（專利權(quán)）人： | 蘇州阿特斯陽光電力科技有限公司;包頭阿特斯陽光能源科技有限公司 |
| 主分類號： | C30B11/00 | 分類號： | C30B11/00;C30B28/06;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京景聞知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11742 | 代理人： | 么立雙 |
| 地址： | 215000 江*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 籽晶 生長 工藝 方法 | ||
1.一種籽晶生長的工藝方法，其特征在于，所述工藝方法包括：
將硅料放置于爐體內(nèi)加熱；
對所述爐體加熱至第一預(yù)定階段，所述爐體內(nèi)壓力設(shè)定為90-100mbar，所述爐體內(nèi)進(jìn)氣量和出氣量均小于10nl/min；
對所述爐體加熱至第二預(yù)定階段，所述爐體內(nèi)壓力設(shè)定為250-350mbar，所述爐體內(nèi)進(jìn)氣量和出氣量均小于10nl/min。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的籽晶生長的工藝方法，其特征在于，對所述爐體加熱至第二預(yù)定階段后，對所述爐體加熱至第三預(yù)定階段，從所述第二預(yù)定階段到所述第三預(yù)定階段之間，所述爐體內(nèi)壓力設(shè)定為250-350mbar，所述爐體內(nèi)進(jìn)氣量小于10nl/min，所述爐體內(nèi)出氣量為5-15nl/min。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的籽晶生長的工藝方法，其特征在于，對所述爐體加熱至第三預(yù)定階段后，對所述爐體加熱至第四預(yù)定階段，從所述第三預(yù)定階段到所述第四預(yù)定階段之間，所述爐體內(nèi)壓力設(shè)定為550-650mbar，所述爐體內(nèi)進(jìn)氣量為55-65nl/min，所述爐體內(nèi)出氣量小于10nl/min。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的籽晶生長的工藝方法，其特征在于，進(jìn)入所述第四預(yù)定階段之前，所述爐體內(nèi)出現(xiàn)熔體。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的籽晶生長的工藝方法，其特征在于，所述第四預(yù)定階段結(jié)束之前所述爐體內(nèi)硅料熔化結(jié)束。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的籽晶生長的工藝方法，其特征在于，進(jìn)入所述第四預(yù)定階段之前，所述爐體內(nèi)的調(diào)壓模式為進(jìn)氣模式；
進(jìn)入所述第四預(yù)定階段之后，所述爐體內(nèi)的調(diào)壓模式為出氣模式。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的籽晶生長的工藝方法，其特征在于，對所述爐體加熱至第一預(yù)定階段時，所述爐體內(nèi)部溫度為950-1050℃。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的籽晶生長的工藝方法，其特征在于，所述爐體處于所述第二預(yù)定階段時，所述爐體內(nèi)部溫度大于1000℃。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的籽晶生長的工藝方法，其特征在于，在所述爐體進(jìn)入所述第二階段之前，所述爐體內(nèi)的壓力模式為真空模式。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的籽晶生長的工藝方法，其特征在于，在所述爐體進(jìn)入所述第二階段之后，所述爐體內(nèi)的壓力模式為壓力模式。
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