[發明專利]一種TFT基板及其制造方法、顯示面板

在審

• 申請號: 202010795044.3
• 申請日: 2020-08-10
• 公開（公告）號: CN112002763A
• 公開（公告）日: 2020-11-27
• 發明（設計）人: 趙舒寧;徐源竣
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L27/12;H01L21/77
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 王芳芳

本申請公開了一種TFT基板及其制造方法，顯示面板，所述TFT基板包括：襯底基板；有源層，設置于襯底基板上方；有源層包括溝道區、源極區和漏極區；溝道區的材料為氧化物半導體，源極區和漏極區的材料為導體化氧化物半導體；柵極絕緣層和柵極，依次設置于溝道區上方；氧化鈦層，覆蓋源極區及漏極區；源極和漏極，設置于氧化鈦層上方，氧化鈦層上設置有第一過孔，源極和漏極通過第一過孔分別和源極區與漏極區接觸。通過在TFT基板中增加一金屬鈦層，鈦層在有源層相應部位導體化處理過程中奪取有源層中的O原子，在實現導體化的同時鈦層被氧化，被氧化的鈦層可有效阻擋其上方膜層H原子和O原子的含量變化對薄膜晶體管電性的影響。

技術領域

本申請涉及顯示技術領域，尤其涉及一種TFT基板及其制造方法、顯示面板。

背景技術

薄膜晶體管(Thin Film Transistor，簡稱TFT)是目前液晶顯示裝置和有源矩陣型OLED顯示裝置中的主要驅動元件，對高性能平板顯示器的發展方向至關重要。薄膜晶體管具有多種結構，包括底柵型和頂柵型。頂柵型薄膜晶體管和底柵型薄膜晶體管相比，不存在背溝道刻蝕損傷問題，且柵極絕緣層位于有源層之上，起到了保護作用。頂柵型薄膜晶體管可以通過整面曝光和干刻法實現自對準，不存在交疊區域，工藝簡單且有兼容性。目前頂柵型薄膜晶體管的自對準結構實現的方法是：有源層包括源極區、漏極區和溝道區，在所述源極區和所述漏極區自對準后，對源極區和漏極區進行導體化處理，以降低電阻率，作為源極和漏極。目前對源極區和漏極區的導體化處理方法多采用He或Ar等離子體轟擊，導致金屬與氧之間的鍵斷裂，O原子逸出，增加了半導體氧化物的氧空位，提高了源極區和漏極區的電導率。但是有源層，特別是IGZO層對周圍環境非常敏感，特別是H原子和O原子，H原子和O原子會對薄膜晶體管器件的電性產生影響，會使有源層從半導體變成導體，影響薄膜晶體管器件的特性與可靠性。

發明內容

為了解決上述問題，本申請的目的在于提供一種能夠防止H原子和O原子會對薄膜晶體管器件的電性產生影響，提高影響薄膜晶體管器件的特性與可靠性的TFT基板及其制造方法、顯示面板。

本申請提供一種TFT基板，包括：

襯底基板；

有源層，設置于所述襯底基板上方；所述有源層包括溝道區、源極區和漏極區；所述溝道區的材料為氧化物半導體，所述源極區和所述漏極區的材料為導體化氧化物半導體；

柵極絕緣層和柵極，依次設置于所述溝道區上；

氧化鈦層，覆蓋所述源極區和所述漏極區；

源極和漏極，設置于所述氧化鈦層上方，所述氧化鈦層上設置有第一過孔，所述源極和所述漏極通過所述第一過孔分別和所述源極區與所述漏極區接觸。

進一步的，在一些實施方式中，所述氧化鈦層還覆蓋所述柵極絕緣層和所述柵極。

進一步的，在一些實施方式中，所述氧化鈦層覆蓋所述襯底基板的整面。

進一步的，在一些實施方式中，所述TFT基板還包括：

層間介質層，設置于所述氧化鈦層和所述源極與所述漏極之間，所述第一過孔貫穿所述層間介質層和所述氧化鈦層。

本申請還提供一種TFT基板的制造方法，所述制造方法包括以下步驟：

提供襯底基板；

在所述襯底基板上方形成氧化物半導體層，圖案化所述氧化物半導體層，在所述圖案化的氧化物半導體層上定義溝道區，在所述溝道區上依次形成柵極絕緣層和柵極；

在襯底基板上形成鈦層，所述鈦層覆蓋所述氧化物半導體層上所述溝道區的兩側區域；