[發明專利]一種TFT基板及其制造方法、顯示面板

在審

• 申請號: 202010795044.3
• 申請日: 2020-08-10
• 公開（公告）號: CN112002763A
• 公開（公告）日: 2020-11-27
• 發明（設計）人: 趙舒寧;徐源竣
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L27/12;H01L21/77
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 王芳芳

1.一種TFT基板，其特征在于，包括：

襯底基板；

有源層，設置于所述襯底基板上方；所述有源層包括溝道區、源極區和漏極區；所述溝道區的材料為氧化物半導體，所述源極區和所述漏極區的材料為導體化氧化物半導體；

柵極絕緣層和柵極，依次設置于所述溝道區上；

氧化鈦層，覆蓋所述源極區和所述漏極區；

源極和漏極，設置于所述氧化鈦層上方，所述氧化鈦層上設置有第一過孔，所述源極和所述漏極通過所述第一過孔分別和所述源極區與所述漏極區接觸。

2.如權利要求1所述的TFT基板，其特征在于，所述氧化鈦層還覆蓋所述柵極絕緣層和所述柵極。

3.如權利要求1所述的TFT基板，其特征在于，所述氧化鈦層覆蓋所述襯底基板的整面。

4.如權利要求1所述的TFT基板，其特征在于，所述TFT基板還包括：

層間介質層，設置于所述氧化鈦層和所述源極與所述漏極之間，所述第一過孔貫穿所述層間介質層和所述氧化鈦層。

5.一種TFT基板的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括以下步驟：

提供襯底基板；

在所述襯底基板上方形成氧化物半導體層，圖案化所述氧化物半導體層，在所述圖案化的氧化物半導體層上定義溝道區，在所述溝道區上依次形成柵極絕緣層和柵極；

在襯底基板上形成鈦層，所述鈦層覆蓋所述氧化物半導體層上所述溝道區的兩側區域；

對所述氧化物半導體層上所述溝道區的兩側區域進行導體化處理，所述溝道區的兩側區域被導體化后形成源極區和漏極區，所述氧化物半導體層形成有源層；所述鈦層被氧化形成氧化鈦層；

在所述源極區和所述漏極區上方的所述氧化鈦層上開設第一過孔，在所述氧化鈦層上方形成源極和漏極，所述源極和所述漏極分別通過所述第一過孔與所述源極區和所述漏極區接觸。

6.如權利要求5所述的制造方法，其特征在于，在所述襯底基板上形成鈦層，所述鈦層覆蓋所述氧化物半導體層上所述溝道區的兩側區域的步驟還包括以下步驟：對所述鈦層進行圖案化處理，去除除所述氧化物半導體層上所述溝道區的兩側區域、所述柵極絕緣層和所述柵極上方之外的鈦層。

7.如權利要求5所述的制造方法，其特征在于，所述鈦層覆蓋所述襯底基板的整面。

8.如權利要求5所述的制造方法，其特征在于，所述鈦層的厚度為

9.如權利要求5所述的制造方法，其特征在于，在所述氧化鈦層上方形成源極和漏極之前還包括以下步驟：

在所述氧化鈦層上形成層間介質層；

在所述源極區和所述漏極區上方的所述氧化鈦層和層間介質層上設置第一過孔，所述源極和所述漏極通過所述第一過孔分別和所述源極區與所述漏極區接觸。

10.一種顯示面板，其特征在于，所述顯示面板包括如權利要求1至4任一項所述的TFT基板。